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公开(公告)号：CN110011182A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201810010147.7
申请日：2018-01-05
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01S5/32
Abstract: 本发明提供一种光子晶体内置基板及其制造方法、以及面发光量子级联激光器。光子晶体内置基板具有化合物半导体基板、电介质层、以及第1半导体层。所述电介质层设置于所述化合物半导体基板的表面，配置到二维衍射光栅的各个晶格结点。各电介质层具有相对于所述二维衍射光栅的边中的至少1个边非对称的形状，且具有比所述化合物半导体基板的折射率低的折射率。所述半导体层叠体覆盖所述电介质层和所述化合物半导体基板的所述表面且具有平坦的第1面，构成所述第1面的层包含可与构成所述化合物半导体基板的材料进行晶格匹配的材料。
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公开(公告)号：CN107196188A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201610767059.2
申请日：2016-08-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01S5/34
CPC classification number: H01S5/3402 , H01S5/0425 , H01S5/105 , H01S5/18 , H01S5/187 , H01S5/2027 , H01S5/2228 , H01S2301/145 , H01S5/3401
Abstract: 面发光量子级联激光器具有活性层、第一半导体层以及第一电极。上述活性层层叠有多个量子阱层，并通过子带间跃迁发射激光。上述第一半导体层设置于上述活性层之上，并且具有以构成二维的格子的方式设置有多个坑的第一面。上述第一电极设置于上述第一半导体层之上，并具有周期性的开口部。各个坑关于与上述格子的边平行的线为非对称。上述激光从在上述开口部露出的坑起沿相对上述活性层大致垂直方向射出。
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公开(公告)号：CN104037281A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410079574.2
申请日：2014-03-06
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/504 , H01L25/0756 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/60 , H01L33/642 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本公开涉及半导体发光元件及其制造方法。根据一实施例，半导体发光元件包括光反射层、第一至第四半导体层、第一和第二发光层、以及第一光传输层。第二半导体层设置在第一半导体层和光反射层之间。第一发光层设置在第一和第二半导体层之间。第一光传输层设置在第二半导体层和光反射层之间。第三半导体层设置在第一光传输层和光反射层之间。第四半导体层设置在第三半导体层和光反射层之间。第二发光层设置在第三和第四半导体层之间。光反射层电连接到从第三和第四半导体层中选择的一个。
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公开(公告)号：CN103594574A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310328701.3
申请日：2013-07-31
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括：第一半导体层、第二半导体层、以及设于第一半导体层和第二半导体层之间的发光层。第一半导体层包括氮化物半导体，并且是n型的。第二半导体层包括氮化物半导体，并且是p型的。所述发光层包括：第一阱层；设于第一阱层与第二半导体层之间的第二阱层；设于第一和第二阱层之间的第一势垒层；以及在第一势垒层与第二阱层之间接触第二阱层并且包括含Alx1Ga1-x1N（0.1≤x1≤0.35）的层的第一含Al层。
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公开(公告)号：CN1989630A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200680000332.3
申请日：2006-02-21
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00 , H01S5/042 , H01L21/285 , H01L29/45
CPC classification number: H01S5/0425 , B82Y20/00 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01S5/2231 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：p型氮化物半导体层(14)；以及p侧电极(18)，包括连接到所述氮化物半导体层(14)的表面的氧化钯膜(30)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1885581A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610093141.8
申请日：2006-06-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/507 , H01L33/505 , H01L33/60 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/3025 , H01S5/005 , H01S5/02248 , H01S5/0228 , H01S5/183 , H01S5/32341 , H01S5/327 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体发光装置，包括：半导体发光元件，发射紫外范围和可见范围内的光束；以及荧光元件，吸收来自所述半导体发光元件的所述光束，并在光出射方向上输出可见光束，所述光出射方向不同于发光方向。在所述半导体发光装置内吸收由所述发光元件发射的所述光束。
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公开(公告)号：CN108701964B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201680083246.7
申请日：2016-09-02
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 半导体激光器装置具有有源层、第一层和表面金属膜。上述有源层层叠有多个量子阱层，能够通过子带间跃迁射出太赫兹波的激光。上述第一层设置在上述有源层之上，具有第一面，该第一面上以构成二维的栅格的方式设置有多个凹坑。上述表面金属膜设置在上述第一层之上，具有多个开口部。各个凹坑相对于与上述栅格的边平行的线是非对称的。上述激光穿过上述多个开口部，向与上述有源层大致垂直的方向出射。
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公开(公告)号：CN108701963B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201680083224.0
申请日：2016-09-01
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 分布反馈型半导体激光器具有半导体层叠体和第一电极。上述半导体层叠体包括第一层、设置在上述第一层之上且能够通过子带间光跃迁射出激光的有源层、和设置在上述有源层之上的第二层。上述半导体层叠体具有包括平坦部和槽部的第一面，该平坦部包括上述第二层的表面，该槽部从上述表面到达上述第一层，上述平坦部具有沿着第一直线延伸的第一区域和以与上述第一直线正交的方式延伸的第二区域，上述槽部和上述第二区域在上述第一区域的外侧构成沿着上述第一直线具有规定间距的衍射光栅。上述第一电极设于上述第一区域。
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公开(公告)号：CN109802300A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811344710.0
申请日：2018-11-13
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供能够在高输出时改善光学特性的面发光量子级联激光器。面发光量子级联激光器具有半导体层叠体、上部电极、以及下部电极。半导体层叠体具有：活性层，具有产生子带间跃迁的量子阱层，并且放出红外激光；第一半导体层，设于活性层之上，并且具有凹部构成矩形光栅的光子晶体层；以及设于活性层的下方的第二半导体层。下部电极设于第二半导体层的下表面中的与上部电极重叠的区域。在俯视时，半导体层叠体具有包含光子晶体层的面发光区域、以及设有上部电极并且将面发光区域包围的电流注入区域。活性层产生子带间跃迁，能够通过二维衍射光栅产生光谐振，并且向面发光区域的垂直方向放出红外激光。
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公开(公告)号：CN109428262A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201811029974.7
申请日：2018-09-05
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供提高了散热性、降低了从芯片侧面的光的泄漏的面发光量子级联激光器。面发光量子级联激光器具有活性层和第1半导体层。第1半导体层设置在活性层之上，具有第1面。第1面包括由第1凹部构成第1二维光栅的内部区域以及由第2凹部构成第2二维光栅的外周区域。第1凹部的光栅间隔是第2凹部的光栅间隔的m倍。第1凹部的平面形状为，关于在第1平面形状的重心通过并且与第1二维光栅的至少1边平行的线非对称。第2凹部的平面形状为，关于在平面形状的重心通过并且与第2二维光栅的全部的边平行的线分别对称。激光具有与第2凹部的光栅间隔对应的发光波长并且从内部区域在与活性层大致垂直的方向上被放出。
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