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公开(公告)号：CN103985800B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410046022.1
申请日：2014-02-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0079 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L2933/0016
Abstract: 根据一个实施方式，一种半导体发光器件包含：第一金属层、第二金属层、第三金属层、半导体发光单元以及绝缘单元。半导体发光单元在第一方向上与第一金属层分离。第二金属层被设置在第一金属层和半导体发光单元之间以电连接到第一金属层，并且该第二金属层是反光的。第二金属层包含接触金属部分和外周金属部分。第三金属层是反光的。第三金属层包含内部分、中间部分以及外部分。绝缘单元包含第一绝缘部分、第二绝缘部分以及第三绝缘部分。
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公开(公告)号：CN106252490A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610132725.5
申请日：2016-03-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/50
Abstract: 本发明的实施方式提供一种将配光扩大的半导体发光装置。实施方式的半导体发光装置包括：发光体，包含：具有第1面及第1侧面的第1导电型的第1半导体层、具有第2面及第2侧面的第2导电型的第2半导体层、及设置在所述第1半导体层与第2半导体层之间的发光层；第1金属层，电连接于所述第1半导体层；及第2金属层，电连接于所述第2半导体层。所述发光体包含凹部，该凹部设置为自所述第2面到所述第1半导体层中的深度，且具有与所述第1及第2侧面对向的内面。
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公开(公告)号：CN105990487A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610140819.7
申请日：2016-03-11
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/38 , H01L33/20
Abstract: 本发明的实施方式提供一种生产性高的半导体发光元件。根据实施方式，提供一种半导体发光元件，包含衬底、第1～第3半导体层、第1、第2电极、金属层。衬底具有第1区域及具备从第1区域突出的凸部的第2区域。第1半导体层为第1导电型。第1半导体层与衬底在第1方向相隔。第2半导体层为第2导电型。第2半导体层设置在第1半导体层与衬底之间。第3半导体层设置在第1半导体层与第2半导体层之间。第1电极设置在第1半导体层与衬底之间且与第1半导体层电连接。第2电极设置在第2半导体层与衬底之间且与第2半导体层电连接。金属层设置在第1电极与第2区域之间以及第2电极与第1区域之间。金属层具有与衬底的凸部嵌合的凹部。
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公开(公告)号：CN105810781A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610022122.X
申请日：2016-01-13
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L2933/0016 , H01L33/00 , H01L33/36 , H01L33/44
Abstract: 本发明的实施方式提供一种提高发光效率的半导体发光元件、发光装置及半导体发光元件的制造方法。实施方式的半导体发光元件具备：积层体，包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、及设置在第1半导体层与第2半导体层之间的发光层；以及第1金属层，设置在积层体的第2半导体层的一侧，且与积层体的第2半导体层电连接。第1金属层具有延伸至积层体的外侧的第1区域、及与第1区域相邻的第2区域，第1区域中的第1金属层的下端与第1金属层的上端之间的距离比第2区域中的第1金属层的下端与第1金属层的上端之间的距离短，第1区域中的第1金属层的下端与第1金属层的上端跟第1金属层的外端连接。
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公开(公告)号：CN103840040A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310388586.9
申请日：2013-08-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/50 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/505 , H01L33/647 , H01L2924/0002 , H01L2933/0075 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括：层叠体、波长转换层、第一金属层和第一绝缘部分。所述层叠体包括：第一和第二半导体层；以及第一发光层，被提供在所述第一和第二半导体层之间。所述波长转换层被配置为转换从所述第一发光层发射的光的波长。所述第一半导体层被设置在所述第一发光层和所述波长转换层之间。所述第一金属层电连接到所述第二半导体层。所述第一绝缘部分被提供在第一侧表面和所述第一金属层的第一侧表面部分之间以及在所述波长转换层和所述第一侧表面部分之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106257698A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201610137734.3
申请日：2016-03-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/62
Abstract: 本发明的半导体发光装置包括：发光体，包含第1、2半导体层以及设置在第1、2半导体层间的发光层；配置在发光体层的第2半导体层侧的衬底；在衬底与发光体之间电连接于第1半导体层及第2半导体层的任一层的第1金属层，其从衬底与发光体间沿衬底向发光体外侧延伸；覆盖位于发光体外侧的第1金属层的延伸部的导电层，其延伸在发光体与第1金属层间及在衬底上与发光体并排设置的第2金属层，其隔着导电层设置在延伸部；发光体包括：包含第1半导体层表面的第1面、包含第2半导体层表面的第2面、包含第1半导体层外缘的侧面；并且包括在与第1面平行的方向从侧面朝内侧凹陷的供设置第2金属层的凹部，其侧壁经由曲面与侧面连接。
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公开(公告)号：CN105990486A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610134597.8
申请日：2016-03-09
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/38
Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够获得稳定的特性的半导体发光元件。根据实施方式，提供一种半导体发光元件，具备：基体；第1导电型的第1半导体层，与基体在第1方向上相隔；第2导电型的第2半导体层，设置在第1半导体层与基体之间；第3半导体层，设在第1半导体层与第2半导体层之间；第1电极，设置在基体与第1半导体层之间且与第1半导体层电连接；绝缘层，设置在第1电极与基体及第2半导体层之间；及金属膜，设置在绝缘层与基体之间且覆盖绝缘层及第2半导体层；且第1电极设置在从第2半导体层到达第1半导体层的凹部；绝缘层具有基体侧的第1面，第1面具有沿从第2半导体层朝向第1电极的方向距基体的距离减小的区域。
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公开(公告)号：CN105990474A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610140797.4
申请日：2016-03-11
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/32
Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够提高效率的半导体发光元件及其制造方法。根据实施方式，半导体发光元件包含：基体；第1导电型的第1半导体层；第2导电型的第2半导体层，设置在所述基体与所述第1半导体层之间；第3半导体层，设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间；及金属层，设置在所述基体与所述第2半导体层之间。所述基体具有所述金属层侧的第1面及与所述第1面为相反侧的第2面。所述第2面为凸状。
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公开(公告)号：CN105098010A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510098499.9
申请日：2015-03-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/005 , H01L33/145 , H01L2933/0016 , H01L33/0075
Abstract: 本发明的实施方式涉及一种半导体发光元件及其制造方法。实施方式的半导体发光元件包含积层体、第一电极、第二电极、及第一层。所述积层体包含：第一半导体层、第二半导体层、及发光层。所述第一半导体层具有第一导电型。所述第二半导体层具有第二导电型。所述发光层设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间。所述第一电极连接在所述第一半导体层。所述第一电极包含：线状部分、及转向部分。所述线状部分相连在所述转向部分。所述第二电极连接在所述第二半导体层。所述第一层设置在所述第一半导体层的一部分与所述第一电极的所述转向部分之间。
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公开(公告)号：CN104282810A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410309048.0
申请日：2014-07-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/02
CPC classification number: H01L33/382 , H01L25/0756 , H01L33/22 , H01L33/405 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件。根据一个实施例，一种半导体发光元件包括第一电极、第一和第二发光单元、第一和第二导电层、第一连接电极、第一电介质层、第一和第二衬垫、以及第一发光单元间电介质层。第一发光单元包括第一和第二半导体层以及第一发光层。第一半导体层包括第一半导体部分和第二半导体部分。第二发光单元包括第三半导体层、第四半导体层以及第二发光层。第四半导体层电连接到第一电极。第一导电层电连接到第三半导体层。第二导电层电连接到第二半导体层。第一连接电极电连接第一导电层和第一半导体部分。
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