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公开(公告)号：CN106257698A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201610137734.3
申请日：2016-03-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/62
Abstract: 本发明的半导体发光装置包括：发光体，包含第1、2半导体层以及设置在第1、2半导体层间的发光层；配置在发光体层的第2半导体层侧的衬底；在衬底与发光体之间电连接于第1半导体层及第2半导体层的任一层的第1金属层，其从衬底与发光体间沿衬底向发光体外侧延伸；覆盖位于发光体外侧的第1金属层的延伸部的导电层，其延伸在发光体与第1金属层间及在衬底上与发光体并排设置的第2金属层，其隔着导电层设置在延伸部；发光体包括：包含第1半导体层表面的第1面、包含第2半导体层表面的第2面、包含第1半导体层外缘的侧面；并且包括在与第1面平行的方向从侧面朝内侧凹陷的供设置第2金属层的凹部，其侧壁经由曲面与侧面连接。
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公开(公告)号：CN105990486A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610134597.8
申请日：2016-03-09
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/38
Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够获得稳定的特性的半导体发光元件。根据实施方式，提供一种半导体发光元件，具备：基体；第1导电型的第1半导体层，与基体在第1方向上相隔；第2导电型的第2半导体层，设置在第1半导体层与基体之间；第3半导体层，设在第1半导体层与第2半导体层之间；第1电极，设置在基体与第1半导体层之间且与第1半导体层电连接；绝缘层，设置在第1电极与基体及第2半导体层之间；及金属膜，设置在绝缘层与基体之间且覆盖绝缘层及第2半导体层；且第1电极设置在从第2半导体层到达第1半导体层的凹部；绝缘层具有基体侧的第1面，第1面具有沿从第2半导体层朝向第1电极的方向距基体的距离减小的区域。
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公开(公告)号：CN105990476A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610016212.8
申请日：2016-01-11
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 半导体发光元件包含基体、第1～6半导体层、第1～3导电层、构造体及第1绝缘层。第1半导体层与基体相隔。第2半导体层设置在第1半导体层与基体之间。第3半导体层设置在第1半导体层与第2半导体层之间。第1导电层与第2半导体层电连接。第4半导体层与基体相隔，与第1半导体层并排。第5半导体层设置在第4半导体层与基体之间。第6半导体层设置在第4半导体层与第5半导体层之间。第2导电层与第5半导体层电连接。构造体与基体相隔。构造体的一部分设置在第1半导体层与第4半导体层之间。第3导电层与第4半导体层电连接。第3导电层包含第1区域、第2区域及第3区域。第1绝缘层的一部分设置在第3导电层与第5半导体层之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105810790A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610020688.9
申请日：2016-01-13
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L2933/0016 , H01L33/36 , H01L33/00 , H01L33/44
Abstract: 本发明的实施方式提供一种提高电力效率的半导体发光元件及其制造方法。实施方式的半导体发光元件具备：第1导电型的第1半导体层；发光层；第2导电型的第2半导体层，在与所述第1半导体层之间夹持所述发光层；第1导电层，与未设置所述发光层的所述第1半导体层电连接，且从连接的所述第1半导体层延伸至所述第1半导体层的外侧；第1层，设置在延伸至所述第1半导体层的外侧的所述第1导电层上，且包含金属；及焊垫电极，经由所述第1层而与所述第1导电层电连接。
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公开(公告)号：CN106531758A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610137827.6
申请日：2016-03-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L27/156 , H01L25/0753 , H01L27/153 , H01L33/0079 , H01L33/04 , H01L33/36 , H01L33/62 , H01L27/15 , H01L33/64
Abstract: 实施方式的半导体发光装置包括：导电性的衬底；及2个以上的发光体，并列设置在所述衬底上，且分别包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、及设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的发光层。2个以上的发光体包含电连接于所述衬底的第1发光体、及串联连接于所述第1发光体的第2发光体。此外，本发明包括：第1电极，设置在所述第1发光体与所述衬底之间，且电连接于所述第1发光体的第1半导体层及所述衬底；第2电极，设置在所述第2发光体与所述衬底之间，且电连接于所述第2发光体的第1半导体层；及第1配线，将所述第1发光体的第2半导体层与所述第2电极电连接。
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公开(公告)号：CN106252490A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610132725.5
申请日：2016-03-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/50
Abstract: 本发明的实施方式提供一种将配光扩大的半导体发光装置。实施方式的半导体发光装置包括：发光体，包含：具有第1面及第1侧面的第1导电型的第1半导体层、具有第2面及第2侧面的第2导电型的第2半导体层、及设置在所述第1半导体层与第2半导体层之间的发光层；第1金属层，电连接于所述第1半导体层；及第2金属层，电连接于所述第2半导体层。所述发光体包含凹部，该凹部设置为自所述第2面到所述第1半导体层中的深度，且具有与所述第1及第2侧面对向的内面。
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公开(公告)号：CN105990487A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610140819.7
申请日：2016-03-11
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/38 , H01L33/20
Abstract: 本发明的实施方式提供一种生产性高的半导体发光元件。根据实施方式，提供一种半导体发光元件，包含衬底、第1～第3半导体层、第1、第2电极、金属层。衬底具有第1区域及具备从第1区域突出的凸部的第2区域。第1半导体层为第1导电型。第1半导体层与衬底在第1方向相隔。第2半导体层为第2导电型。第2半导体层设置在第1半导体层与衬底之间。第3半导体层设置在第1半导体层与第2半导体层之间。第1电极设置在第1半导体层与衬底之间且与第1半导体层电连接。第2电极设置在第2半导体层与衬底之间且与第2半导体层电连接。金属层设置在第1电极与第2区域之间以及第2电极与第1区域之间。金属层具有与衬底的凸部嵌合的凹部。
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公开(公告)号：CN105810781A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610022122.X
申请日：2016-01-13
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L2933/0016 , H01L33/00 , H01L33/36 , H01L33/44
Abstract: 本发明的实施方式提供一种提高发光效率的半导体发光元件、发光装置及半导体发光元件的制造方法。实施方式的半导体发光元件具备：积层体，包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、及设置在第1半导体层与第2半导体层之间的发光层；以及第1金属层，设置在积层体的第2半导体层的一侧，且与积层体的第2半导体层电连接。第1金属层具有延伸至积层体的外侧的第1区域、及与第1区域相邻的第2区域，第1区域中的第1金属层的下端与第1金属层的上端之间的距离比第2区域中的第1金属层的下端与第1金属层的上端之间的距离短，第1区域中的第1金属层的下端与第1金属层的上端跟第1金属层的外端连接。
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