公开(公告)号：CN105810790A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610020688.9

申请日：2016-01-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 加贺广持 ,  胜野弘 ,  泽野正和 ,  小池豪 ,  宫部主之

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/44 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L2933/0016 ,  H01L33/36 ,  H01L33/00 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明的实施方式提供一种提高电力效率的半导体发光元件及其制造方法。实施方式的半导体发光元件具备：第1导电型的第1半导体层；发光层；第2导电型的第2半导体层，在与所述第1半导体层之间夹持所述发光层；第1导电层，与未设置所述发光层的所述第1半导体层电连接，且从连接的所述第1半导体层延伸至所述第1半导体层的外侧；第1层，设置在延伸至所述第1半导体层的外侧的所述第1导电层上，且包含金属；及焊垫电极，经由所述第1层而与所述第1导电层电连接。

公开(公告)号：CN105810781A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610022122.X

申请日：2016-01-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 胜野弘 ,  泽野正和 ,  加贺广持 ,  小池豪 ,  宫部主之

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/44 ,  H01L33/36

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/382 ,  H01L33/385 ,  H01L2933/0016 ,  H01L33/00 ,  H01L33/36 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明的实施方式提供一种提高发光效率的半导体发光元件、发光装置及半导体发光元件的制造方法。实施方式的半导体发光元件具备：积层体，包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、及设置在第1半导体层与第2半导体层之间的发光层；以及第1金属层，设置在积层体的第2半导体层的一侧，且与积层体的第2半导体层电连接。第1金属层具有延伸至积层体的外侧的第1区域、及与第1区域相邻的第2区域，第1区域中的第1金属层的下端与第1金属层的上端之间的距离比第2区域中的第1金属层的下端与第1金属层的上端之间的距离短，第1区域中的第1金属层的下端与第1金属层的上端跟第1金属层的外端连接。