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公开(公告)号：CN105575792A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510733793.2
申请日：2015-11-03
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/306 , H01L21/67 , H01L21/02
CPC classification number: H01B19/04 , H01L21/306 , H01L21/02041 , H01L21/02057 , H01L21/02096 , H01L21/30604 , H01L21/67017 , H01L21/67023 , H01L21/67075
Abstract: 实施方式的处理装置具备：收纳氢氟酸缓冲液的收纳部；使用上述氢氟酸缓冲液进行处理物的处理的处理部；将上述收纳部所收纳的上述氢氟酸缓冲液向上述处理部供给的供给部；将在上述处理部中使用过的上述氢氟酸缓冲液回收而向上述收纳部供给的回收部；对上述氢氟酸缓冲液的蒸发量进行运算的运算部；以及将包含氨和水在内、与上述运算出的氢氟酸缓冲液的蒸发量相同量的补充液向上述氢氟酸缓冲液供给的补充液供给部。
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公开(公告)号：CN103092010B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201210347807.3
申请日：2012-09-18
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/42
CPC classification number: B29C33/3842 , B29C33/58
Abstract: 本发明涉及再生模板的方法和再生设备。本发明的一方面，这里提供了一种再生模板的方法。该模板包括转移表面和脱模层。该转移表面具有凹凸图案。该脱模层包含无机官能团和有机官能团，二者都键合到该转移表面上。该再生模板的方法包括下面两个步骤：通过对脱模层中所包含的有机官能团进行氧化和分解来除去有机官能团；和除去无机官能团；并且通过将硅烷偶联剂与转移表面偶联来形成脱模层。
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公开(公告)号：CN103160106A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210536253.1
申请日：2012-12-12
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01B1/12 , B82Y30/00 , H01B1/04 , Y10S977/734 , Y10S977/896
Abstract: 本发明提供透明导电材料、分散液、透明导电膜及它们的制造方法。根据一个实施方式，透明导电性材料是在透明导电膜中使用的透明导电材料，且含有表面具有极性基团的纳米石墨烯。
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公开(公告)号：CN100413033C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200410095653.9
申请日：2004-11-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C08F220/06 , C08F220/26 , C08L33/00 , B24D3/20
Abstract: 本发明涉及用于化学机械研磨的研磨布，该研磨布具有由酸值为10～100mgKOH/g、羟值为50～150mgKOH/g的(甲基)丙烯酸共聚物构成的成形体。
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公开(公告)号：CN113474293B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202080012983.4
申请日：2020-03-26
IPC: C01G41/02
Abstract: 一种氧化钨粉末，其长径的平均粒径是10μm以下，平均纵横比是10以下，在一次粒子的短径方向的表面或断面中，晶体缺陷在每单位面积9nm2中是0个以上且4个以下。另外，优选沿着长径具有六边形隧道结构。另外，优选氧化钨粉末具有氧缺损。由此，能够使嵌入性能提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110999553A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880053736.1
申请日：2018-09-07
Abstract: 关于本发明，在陶瓷基板的至少一个面介由含有Ag、Cu及活性金属的钎料层接合铜板而得到的陶瓷电路基板的制造方法中，其具备以下工序：准备在陶瓷基板上介由钎料层而接合铜板、上述钎料层的一部分在上述铜板的图案形状间变得裸露的陶瓷电路基板，对上述钎料层的上述一部分进行化学研磨的第一化学研磨工序；和用含有选自过氧化氢及过氧二硫酸铵中的1种或2种的pH6以下的蚀刻液，对化学研磨后的上述钎料层的上述一部分进行蚀刻的第一钎料蚀刻工序。
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公开(公告)号：CN110720132A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201880036705.5
申请日：2018-08-02
IPC: H01G11/00 , H01G11/56 , H01M4/13 , H01M4/48 , H01M10/0562 , H01M10/0585
Abstract: 本发明的超级电容器的特征在于，其具有在晶格间能够储藏氧离子的金属氧化物层、进行氧导电的金属氧化物层和成为氧供给源的金属氧化物层的3层结构。另外，在晶格间能够储藏氧离子的金属氧化物层优选为选自氧化镧(La2O3)、氧化铪(HfO2)、氧化锆(ZrO2)中的1种。另外，进行氧导电的金属氧化物层优选为选自氧化铈(CeO2)、钇稳定化氧化锆(YSZ)中的1种。
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公开(公告)号：CN110325478A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201880013555.6
申请日：2018-04-23
IPC: C01G41/02 , B01J23/30 , B01J35/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01G19/00 , C01G23/04 , C01G39/02 , C01G53/04 , C01G55/00 , H01M4/02 , H01M4/04 , H01M4/48 , H01M4/52 , H01M4/58 , H01M4/13 , H01M4/139
Abstract: 根据实施方式，纳米金属化合物粒子在将对平均粒径为50nm以下的金属化合物的粒子通过光谱椭圆偏振法分析而得到的结果拟合成洛伦兹模型时，振子的共振频率的峰ωt为2.8eV以下。另外，优选为0.5≤ωt(eV)≤2。另外，平均粒径优选为15nm以下。
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公开(公告)号：CN107614245A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201580077437.8
申请日：2015-09-14
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B29C64/153 , B22F3/02 , B28B1/32 , B33Y10/00 , B33Y70/00
CPC classification number: B29C64/165 , B22F1/0062 , B22F3/008 , B22F3/02 , B22F2999/00 , B28B1/001 , B28B1/32 , B29C67/04 , B29C67/246 , B33Y10/00 , B33Y70/00 , B22F1/0074 , B22F1/0018 , B22F2201/10
Abstract: 根据实施方案的三维成型方法制造了三维成型体，并且该方法包括重复进行如下步骤：向各自涂覆有粘合剂的材料颗粒上施加其中溶解有粘合剂或导致与粘合剂的粘合反应的反应溶液，以及沉积材料颗粒的步骤。因此，该三维成型方法可以提高三维成型体的密度和强度，并且提供了均匀的三维成型体。
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公开(公告)号：CN102102211A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010591444.9
申请日：2010-12-16
Applicant: 株式会社东芝 , 芝浦机械电子株式会社 , 氯工程株式会社
CPC classification number: C25B1/22 , C25B9/08 , G03F1/80 , G03F7/423 , H01L21/02057 , H01L21/31133 , H01L21/6708
Abstract: 在一个实施方案中，公开了一种蚀刻方法。该方法可以包括通过电解硫酸溶液产生氧化性物质、和通过控制氧化性物质的生成量来产生具有规定的氧化剂浓度的蚀刻溶液。该方法可包括将所生产的蚀刻溶液供应到工件表面。
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