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公开(公告)号：CN119852279A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510001902.5
申请日：2020-04-02
IPC: H01L23/498 , H01L23/495
Abstract: 本发明的陶瓷铜电路基板，其特征在于，其是具备陶瓷基板和设置于上述陶瓷基板上的铜电路部的陶瓷铜电路，其中，在与从上述陶瓷基板朝向上述铜电路部的第1方向平行的上述铜电路部的截面中，与上述第1方向平行的任意的线与多个铜晶粒交叉，与上述第1方向垂直的第2方向上的各个上述铜晶粒的端与上述线之间的上述第2方向上的多个距离的平均为300μm以下。
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公开(公告)号：CN110999553A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880053736.1
申请日：2018-09-07
Abstract: 关于本发明，在陶瓷基板的至少一个面介由含有Ag、Cu及活性金属的钎料层接合铜板而得到的陶瓷电路基板的制造方法中，其具备以下工序：准备在陶瓷基板上介由钎料层而接合铜板、上述钎料层的一部分在上述铜板的图案形状间变得裸露的陶瓷电路基板，对上述钎料层的上述一部分进行化学研磨的第一化学研磨工序；和用含有选自过氧化氢及过氧二硫酸铵中的1种或2种的pH6以下的蚀刻液，对化学研磨后的上述钎料层的上述一部分进行蚀刻的第一钎料蚀刻工序。
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公开(公告)号：CN110313064A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201880012382.6
申请日：2018-03-15
Abstract: 本发明提供一种陶瓷金属电路基板，其特征在于，其是在陶瓷基板的至少一个面上接合有多个金属电路板的陶瓷金属电路基板，其中，面积为100mm2以上的金属电路板中的至少1个在表面的1～70％的范围内具有深度为0.02mm以上的凹部，上述凹部形成于上述金属电路板的距离端部为3mm以上内侧。另外，设置有凹部的面积优选为一个金属电路板表面的3～70％。
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公开(公告)号：CN107408538A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680012836.0
申请日：2016-08-01
Abstract: 本发明提高电路基板的TCT特性。电路基板具备具有第1、2面的陶瓷基板和介由第1、2接合层与第1、2面接合的第1、2金属板。陶瓷基板的3点弯曲强度为500MPa以上。第1接合层的第1伸出部的L1/H1、及第2接合层的第2伸出部的L2/H2中的至少一者为0.5以上且3.0以下。第1伸出部的10处的第1维氏硬度的平均值及第2伸出部的10处的第2维氏硬度的平均值中的至少一者为250以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105452194A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480044159.1
申请日：2014-08-05
CPC classification number: B23K1/19 , B23K1/0016 , B23K20/026 , B23K20/16 , B23K20/233 , B23K2101/42 , B23K2103/12 , B23K2103/18 , B23K2103/52 , C04B37/02 , H01L23/15 , H01L23/3735 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/38 , H05K2203/1105 , H01L2924/00
Abstract: 提供具有高TCT可靠性、且在电路设计中具有高自由度的电路基板。具备：陶瓷基板；设置在陶瓷基板的第一面以及第二面中的至少一方之上，具有0.7mm以上的厚度T(mm)、85°以上95°以下的截面的内角的角度θ、设置在表面上的25mm2以上的半导体元件搭载部的铜电路板；以及将陶瓷基板与铜电路板接合的接合层。接合层具有露出部，该露出部以露出至铜电路板的外侧、且沿着铜电路板的侧面攀上的方式设置，具有0.1mm以上1.0mm以下的露出量W1和0.05T(mm)以上0.6T(mm)以下的攀上量W2。
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公开(公告)号：CN113597674B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202080019221.7
申请日：2020-04-02
IPC: H01L23/495 , H01L23/498
Abstract: 本发明的陶瓷铜电路基板，其特征在于，其是具备陶瓷基板和设置于上述陶瓷基板上的铜电路部的陶瓷铜电路，其中，在与从上述陶瓷基板朝向上述铜电路部的第1方向平行的上述铜电路部的截面中，与上述第1方向平行的任意的线与多个铜晶粒交叉，与上述第1方向垂直的第2方向上的各个上述铜晶粒的端与上述线之间的上述第2方向上的多个距离的平均为300μm以下。
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公开(公告)号：CN110690187B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN201911132791.2
申请日：2016-08-01
IPC: H01L23/373 , H05K1/02 , H05K1/03 , H05K3/38 , H05K3/06
Abstract: 本发明提高电路基板的TCT特性。电路基板具备具有第1、2面的陶瓷基板和介由第1、2接合层与第1、2面接合的第1、2金属板。陶瓷基板的3点弯曲强度为500MPa以上。第1接合层的第1伸出部的L1/H1、及第2接合层的第2伸出部的L2/H2中的至少一者为0.5以上且3.0以下。第1伸出部的10处的第1维氏硬度的平均值及第2伸出部的10处的第2维氏硬度的平均值中的至少一者为250以下。
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公开(公告)号：CN116982416A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202280016626.4
申请日：2022-03-28
IPC: H05K3/38
Abstract: 一种陶瓷电路基板的制造方法，其特征在于，其是在陶瓷基板的至少一个面上介由钎料层而接合有铜板的陶瓷电路基板的制造方法，上述钎料层不含Ag，且含有Cu及Ti和选自Sn或In中的1种或2种，上述制造方法具备以下工序：准备在上述铜板的图案形状间上述钎料层的一部分变得裸露的陶瓷电路基板，将上述钎料层的上述一部分进行化学研磨的化学研磨工序；用含有选自过氧化氢及过氧二硫酸铵中的1种或2种的pH为6以下的蚀刻液，将经化学研磨的上述钎料层的上述一部分进行蚀刻的钎料蚀刻工序。
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