接合体的制造方法及使用了其的陶瓷电路基板的制造方法

    公开(公告)号:CN117321020A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202280035521.3

    申请日:2022-05-17

    Abstract: 实施方式的接合体的制造方法的特征在于,其是使用连续炉将包含金属构件、陶瓷构件和设置于它们之间的钎料层的层叠体一边搬送一边处理的接合体的制造方法,具备以下工序:在不活泼气氛中以从200℃至接合温度为止的上述层叠体的平均升温速度15℃/分钟以上对上述层叠体进行加热的工序;在不活泼气氛中以600℃以上且950℃以下的范围内的上述接合温度将上述层叠体接合的工序;和以上述层叠体的平均降温速度15℃/分钟以上将上述层叠体从上述接合温度冷却至200℃为止的工序。此外,陶瓷基板优选为氮化硅基板。

    处理装置、处理方法及电子设备的制造方法

    公开(公告)号:CN105321854B

    公开(公告)日:2018-06-08

    申请号:CN201510458287.7

    申请日:2015-07-30

    Abstract: 有关实施方式的处理装置具备:第1供给部,向多个被处理物的表面供给第1流动体;第2供给部,向被供给了上述第1流动体的上述多个被处理物的表面供给含有升华性物质的流动体;气体供给部,向被供给了含有上述升华性物质的流动体的上述多个被处理物的表面供给气体;以及升华部,使形成在上述多个被处理物的各自的表面上的含有升华性物质的层升华。上述气体供给部通过控制上述多个被处理物的各自的表面上的上述气体的流速,来控制形成在上述多个被处理物的各自的表面上的含有上述升华性物质的层的厚度。

    再生模板的方法和再生设备

    公开(公告)号:CN103092010A

    公开(公告)日:2013-05-08

    申请号:CN201210347807.3

    申请日:2012-09-18

    CPC classification number: B29C33/3842 B29C33/58

    Abstract: 本发明涉及再生模板的方法和再生设备。本发明的一方面,这里提供了一种再生模板的方法。该模板包括转移表面和脱模层。该转移表面具有凹凸图案。该脱模层包含无机官能团和有机官能团,二者都键合到该转移表面上。该再生模板的方法包括下面两个步骤:通过对脱模层中所包含的有机官能团进行氧化和分解来除去有机官能团;和除去无机官能团;并且通过将硅烷偶联剂与转移表面偶联来形成脱模层。

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