公开(公告)号：CN100530660C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200510135638.7

申请日：2005-12-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 水岛一郎 ,  小泽良夫

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/115 ,  G11C16/0483 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

Abstract: 一种半导体器件，包括具备周围被元件隔离绝缘膜围了起来的有源区的半导体衬底和设置在上述有源区上边的非易失性存储单元，上述非易失性存储单元，包括设置在上述有源区上边的隧道绝缘膜、设置在上述隧道绝缘膜上边的浮置栅极电极、设置在上述浮置栅极电极上边的控制栅极电极以及设置在上述浮置栅极电极与上述控制栅极电极之间的电极间绝缘膜，在上述非易失性存储单元的沟道宽度方向的剖面上，上述有源区的上表面的上述沟道宽度方向的尺寸，比上述隧道绝缘膜的下表面的上述沟道宽度方向的尺寸更短，而且，与上述有源区相对的部分的上述隧道绝缘膜的面积，比与上述浮置栅极电极的上表面相对的部分的上述电极间绝缘膜的面积小。

公开(公告)号：CN1316629C

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN03138135.9

申请日：2003-05-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 田中正幸 ,  小泽良夫 ,  斋田繁彦 ,  合田晃 ,  野口充宏 ,  三谷祐一郎 ,  纲岛祥隆

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/105 ,  H01L21/31 ,  H01L21/283 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/022 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/792

Abstract: 采用改善硅氮化膜的构成或形成方法的办法，提供特性等优良的半导体器件。该半导体器件具备：半导体衬底101；栅极电极104、105、106；在半导体衬底和栅极电极间形成的第1绝缘膜103；包括沿着栅极电极的上表面或侧面形成的包括氮、硅和氢的下层一侧硅氮化膜107，和在下层一侧硅氮化膜上边形成的含有氮、硅和氢的上层一侧硅氮化膜108的第2绝缘膜，其特征在于：上述下层一侧的硅氮化膜中的氮(N)和硅(Si)之间的组成比N/Si，比在上述上层一侧的硅氮化膜中的氮(N)和硅(Si)之间的组成比N/Si更高。

公开(公告)号：CN1905213A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200610101497.1

申请日：2006-07-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 三谷祐一郎 ,  松下大介 ,  大场龙二 ,  上冈功 ,  小泽良夫

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/51 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/314 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储器，能够将隧道绝缘膜作成难以生成缺陷的高品质的绝缘膜，而且可谋求漏电流的减少、元件特性和可靠性的提高。本发明的非易失性半导体存储器具备：在第1导电类型的半导体衬底(11)的主面上有选择地形成的隧道绝缘膜(13)；在该隧道绝缘膜(13)上形成的浮栅电极(14)；在浮栅电极(14)上形成的多晶硅间绝缘膜(15)；在多晶硅间绝缘膜(15)上形成的控制栅电极(16)；以及在衬底(11)的主面上形成的第2导电类型的源/漏区(12)，隧道绝缘膜(13)是用氧化硅膜(13b、13c)夹着氮化硅膜(13a)的3层结构，氮化硅膜(13a)是在面内方向上连续的膜，具有三配位的氮结合，而且，氮的第二接近原子的至少1个是氮。

公开(公告)号：CN1855548A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200510132970.8

申请日：2005-12-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小泽良夫 ,  上冈功 ,  盐泽顺一

IPC: H01L29/788 ,  H01L27/105 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L27/115 ,  H01L27/11521

Abstract: 一种半导体存储器件的制造方法，包括：在半导体衬底的上方形成浮置栅极电极的工序；在上述浮置栅极电极的上方形成电极间绝缘膜的工序；利用第1自由基氮化在上述电极间绝缘膜的表面形成第1自由基氮化膜的工序；以及在上述第1自由基氮化膜上形成控制栅极电极的工序。

公开(公告)号：CN1855394A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610067451.2

申请日：2004-05-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小泽良夫 ,  斋田繁彦 ,  竹内祐司 ,  斋藤雅伸

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66825

Abstract: 本发明实现可减少隧道绝缘膜中的电荷陷阱发生量或漏电流发生量的非易失性存储单元。非易失性存储单元具备有：包括越靠近元件隔离绝缘膜3膜厚越变厚部分的隧道绝缘膜4，设于隧道绝缘膜4之上的浮栅电极5、6，设于浮栅电极5、6上方的控制栅电极7，以及设于控制栅电极7与浮栅电极5、6之间的电极间绝缘膜8。

公开(公告)号：CN1812107A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510135638.7

申请日：2005-12-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 水岛一郎 ,  小泽良夫

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/115 ,  G11C16/0483 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

Abstract: 一种半导体器件，包括具备周围被元件隔离绝缘膜围了起来的有源区的半导体衬底和设置在上述有源区上边的非易失性存储单元，上述非易失性存储单元，包括设置在上述有源区上边的隧道绝缘膜、设置在上述隧道绝缘膜上边的浮置栅极电极、设置在上述浮置栅极电极上边的控制栅极电极以及设置在上述浮置栅极电极与上述控制栅极电极之间的电极间绝缘膜，在上述非易失性存储单元的沟道宽度方向的剖面上，上述有源区的上表面的上述沟道宽度方向的尺寸，比上述隧道绝缘膜的下表面的上述沟道宽度方向的尺寸更短，而且，与上述有源区相对的部分的上述隧道绝缘膜的面积，比与上述浮置栅极电极的上表面相对的部分的上述电极间绝缘膜的面积小。

公开(公告)号：CN1713384A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN200410090965.0

申请日：2004-11-11

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 水岛一郎 ,  甲斐彻哉 ,  小泽良夫 ,  村冈浩一 ,  中村新一

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8229

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L27/115 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/512

Abstract: 将改善了漏泄电流的高介电常数绝缘膜作为电极间绝缘膜使用的半导体器件，具备：在半导体衬底上形成的第1绝缘膜；在上述第1绝缘膜上形成的第1栅电极；在上述第1栅电极的上方形成的第2栅电极；以及在上述第1栅电极与第2栅电极之间形成的结晶化了的第2绝缘膜。

公开(公告)号：CN1574362A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410042441.4

申请日：2004-05-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小泽良夫 ,  斋田繁彦 ,  竹内祐司 ,  斋藤雅伸

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/76 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66825

Abstract: 本发明实现可减少隧道绝缘膜中的电荷陷阱发生量或漏电流发生量的非易失性存储单元。非易失性存储单元具备有：包括越靠近元件隔离绝缘膜3膜厚越变厚部分的隧道绝缘膜4，设于隧道绝缘膜4之上的浮栅电极5、6，设于浮栅电极5、6上方的控制栅电极7，以及设于控制栅电极7与浮栅电极5、6之间的电极间绝缘膜8。