公开(公告)号：CN1713384A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN200410090965.0

申请日：2004-11-11

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 水岛一郎 ,  甲斐彻哉 ,  小泽良夫 ,  村冈浩一 ,  中村新一

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8229

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L27/115 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/512

Abstract: 将改善了漏泄电流的高介电常数绝缘膜作为电极间绝缘膜使用的半导体器件，具备：在半导体衬底上形成的第1绝缘膜；在上述第1绝缘膜上形成的第1栅电极；在上述第1栅电极的上方形成的第2栅电极；以及在上述第1栅电极与第2栅电极之间形成的结晶化了的第2绝缘膜。