公开(公告)号：CN110709963A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201880037625.1

申请日：2018-05-14

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 龟井宏二

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明的SiC外延晶片具备4H-SiC单晶基板和形成于所述4H-SiC单晶基板上的SiC外延层，所述4H-SiC单晶基板以相对于c面具有偏离角的面为主面，且在周缘部具有斜角部，所述SiC外延层的膜厚为20μm以上，所述SiC外延层的从外周端延伸存在的界面位错的密度为10根/cm以下。

公开(公告)号：CN109642343A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780052334.5

申请日：2017-08-21

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 郭玲 ,  龟井宏二

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  G01N21/956 ,  H01L21/205

Abstract: 一种SiC外延晶片，是在具有偏角且基板碳夹杂物密度为0.1～6.0个/cm2的4H-SiC单晶基板上形成有SiC外延层的SiC外延晶片，在所述SiC外延层中包含的由基板碳夹杂物引起的大凹坑缺陷的密度为0.5个/cm2以下。

公开(公告)号：CN101699637B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN200910178209.6

申请日：2006-11-14

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 龟井宏二

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种具有低驱动电压和高发光输出的氮化镓基化合物半导体发光器件，其具有正电极，所述正电极包括与p型半导体层形成直接接触的透明导电层。本发明的氮化镓基化合物半导体发光器件包括依次形成在衬底上的n型半导体层、发光层和p型半导体层，其中每一层包括氮化镓基化合物半导体，所述发光器件具有分别设置在所述n型半导体层上和所述p型半导体层上的负电极和正电极，所述正电极至少部分地由透明导电膜形成，所述透明导电膜至少部分地与所述p型半导体层接触，在所述透明导电膜的半导体侧表面上存在包含III族金属成分的半导体金属混合层，并且所述半导体金属混合层的厚度为0.1至10nm。

公开(公告)号：CN101268562B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200680034699.7

申请日：2006-09-20

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 织地学 ,  龟井宏二 ,  三木久幸 ,  松濑朗浩

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L27/153 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/025 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明旨在提高III族氮化物半导体发光器件的光提取效率。本发明的III族氮化物半导体发光器件包括：衬底；以及层叠在所述衬底上的包括发光层的III族氮化物半导体层，其中所述III族氮化物半导体层的侧面相对于所述衬底的主表面的法线倾斜。

公开(公告)号：CN100438101C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200580004938.X

申请日：2005-02-22

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 龟井宏二

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种具有正电极的氮化镓化合物半导体发光器件，其呈现与p型氮化镓化合物半导体层的低接触电阻并且可以高生产率制造。所述发明的氮化镓化合物半导体发光器件包括衬底、n型半导体层、发光层、p型半导体层、被设置为与所述n型半导体层接触的负电极，以及被设置为与所述p型半导体层接触的正电极，这些层以此顺序依次设置在所述衬底的上方并由氮化镓化合物半导体形成，其中所述正电极包括至少接触金属层，所述接触金属层与所述p型半导体层接触，所述接触金属层包括至少一种选自Pt、Ir、Rh、Pd、Ru、Re和Os的金属或者包含所述至少一种金属的合金；以及在所述正电极侧上的所述p型半导体层的表面部分包括包含正电极金属的层，所述包含正电极金属的层包含至少一种选自Pt、Ir、Rh、Pd、Ru、Re和Os的金属。

公开(公告)号：CN101268562A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200680034699.7

申请日：2006-09-20

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 织地学 ,  龟井宏二 ,  三木久幸 ,  松濑朗浩

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L27/153 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/025 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明旨在提高Ⅲ族氮化物半导体发光器件的光提取效率。本发明的Ⅲ族氮化物半导体发光器件包括：衬底；以及层叠在所述衬底上的包括发光层的Ⅲ族氮化物半导体层，其中所述Ⅲ族氮化物半导体层的侧面相对于所述衬底的主表面的法线倾斜。

公开(公告)号：CN101213678A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200680024176.4

申请日：2006-06-30

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  篠原裕直 ,  龟井宏二

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种氮化镓基化合物半导体发光器件，其具有为获得优良的光提取效率而配置的反射性正电极。本发明的氮化镓基化合物半导体发光器件在衬底上具有氮化镓基化合物半导体层结构，所述氮化镓基化合物半导体层结构包括n型半导体层、发光层和p型半导体层，其中设置在所述p型半导体层上的正电极是反射性正电极，所述反射性正电极包括透明材料层和形成在所述透明材料层上的反射性金属层。

公开(公告)号：CN107407007B

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN201680011723.9

申请日：2016-02-16

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 乘松润 ,  宫坂晶 ,  影岛庆明 ,  龟井宏二 ,  武藤大祐

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明的一个方案涉及的SiC外延晶片，是在从(0001)面向＜11‑20＞方向的偏移角为4度以下的SiC单晶基板上形成有SiC外延层的SiC外延晶片，所述SiC外延晶片中含有的梯形缺陷，包含台阶流下游侧的下底的长度为台阶流上游侧的上底的长度以下的倒梯形缺陷。

公开(公告)号：CN109642343B

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN201780052334.5

申请日：2017-08-21

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 郭玲 ,  龟井宏二

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  G01N21/956

Abstract: 一种SiC外延晶片，是在具有偏角且基板碳夹杂物密度为0.1～6.0个/cm2的4H‑SiC单晶基板上形成有SiC外延层的SiC外延晶片，在所述SiC外延层中包含的由基板碳夹杂物引起的大凹坑缺陷的密度为0.5个/cm2以下。

公开(公告)号：CN112018166A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010971410.6

申请日：2019-10-11

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 西原祯孝 ,  龟井宏二

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明的SiC外延晶片，具备SiC基板和在所述SiC基板的第1面上层叠的外延层，所述SiC外延晶片中，所述SiC基板的第1面的带状堆垛层错所占的面积被确定，所述SiC基板的第1面的所述带状堆垛层错所占的面积为1/4以下。