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公开(公告)号：CN103765559A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280042735.X
申请日：2012-09-04
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/42 , C30B25/20 , C30B29/36
CPC classification number: H01L21/02617 , C30B25/186 , C30B25/20 , C30B29/36 , H01L21/02024 , H01L21/02046 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L21/02634 , H01L21/02658 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/32
Abstract: 本发明提供层积缺陷的面密度被减小的SiC外延晶片及其制造方法。那样的SiC外延晶片的制造方法，其特征在于，具有：确定具有偏离角的SiC单晶基板的存在于生长面的基底面位错（BPD）之中，在SiC单晶基板上形成的规定膜厚的SiC外延膜中成为层积缺陷的比率的工序；基于比率，确定使用的SiC单晶基板的生长面中BPD的面密度的上限的工序；以及使用上限以下的SiC单晶基板，以与在确定比率的工序中使用的外延膜的生长条件相同的条件，在SiC单晶基板上形成SiC外延膜的工序。
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公开(公告)号：CN103649385B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201280035315.9
申请日：2012-07-12
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C30B29/36 , C23C16/42 , C30B25/20 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/681 , C23C16/325 , C23C16/4401 , C23C16/52 , C30B25/02 , C30B25/12 , C30B25/16 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L29/1608 , H01L29/34
Abstract: 本发明的SiC外延晶片的制造方法，包括：使用SiC外延晶片的制造装置，一边向腔室内供给原料气体，一边制造在SiC单晶晶片的面上具有SiC外延层的SiC外延晶片的工序；和对于之前制造出的SiC外延晶片的SiC外延层，测定了以腔室内的构件的材料片为起点的三角缺陷的面密度后，制造下一个SiC外延晶片的工序。
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公开(公告)号：CN105830199A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201480070027.6
申请日：2014-10-30
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/42 , C23C16/458 , C30B25/20 , H01L21/20 , H01L21/683
CPC classification number: C30B25/12 , C23C16/325 , C23C16/45508 , C23C16/4584 , C30B25/14 , C30B25/165 , C30B25/20 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L21/68735 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 本发明的目的是提供制造品质和生产率优异的SiC外延晶片的制造装置以及SiC外延晶片，本发明的SiC外延晶片的制造装置能够以简单的构成使晶片面内的载流子浓度均匀化。本发明的SiC外延晶片的制造装置，其特征在于，具备：具有凹状收纳部的装载板(2)；配置在所述凹状收纳部(23)内，上面能载置SiC基板的卫星盘(3)；和在所述凹状收纳部(23)内配置在比SiC基板靠下方、且不与SiC基板接触的位置的碳构件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103649385A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280035315.9
申请日：2012-07-12
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C30B29/36 , C23C16/42 , C30B25/20 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/681 , C23C16/325 , C23C16/4401 , C23C16/52 , C30B25/02 , C30B25/12 , C30B25/16 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L29/1608 , H01L29/34
Abstract: 本发明的SiC外延晶片的制造方法，包括：使用SiC外延晶片的制造装置，一边向腔室内供给原料气体，一边制造在SiC单晶晶片的面上具有SiC外延层的SiC外延晶片的工序；和对于之前制造出的SiC外延晶片的SiC外延层，测定了以腔室内的构件的材料片为起点的三角缺陷的面密度后，制造下一个SiC外延晶片的工序。
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公开(公告)号：CN107407007B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201680011723.9
申请日：2016-02-16
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C30B29/36 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明的一个方案涉及的SiC外延晶片，是在从(0001)面向＜11‑20＞方向的偏移角为4度以下的SiC单晶基板上形成有SiC外延层的SiC外延晶片，所述SiC外延晶片中含有的梯形缺陷，包含台阶流下游侧的下底的长度为台阶流上游侧的上底的长度以下的倒梯形缺陷。
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公开(公告)号：CN105830199B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201480070027.6
申请日：2014-10-30
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/42 , C23C16/458 , C30B25/20 , H01L21/20 , H01L21/683
Abstract: 本发明的目的是提供制造品质和生产率优异的SiC外延晶片的制造装置以及SiC外延晶片，本发明的SiC外延晶片的制造装置能够以简单的构成使晶片面内的载流子浓度均匀化。本发明的SiC外延晶片的制造装置，其特征在于，具备：具有凹状收纳部的装载板(2)；配置在所述凹状收纳部(23)内，上面能载置SiC基板的卫星盘(3)；和在所述凹状收纳部(23)内配置在比SiC基板靠下方、且不与SiC基板接触的位置的碳构件。
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公开(公告)号：CN107407007A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680011723.9
申请日：2016-02-16
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C30B29/36 , H01L21/20 , H01L21/205
CPC classification number: C30B29/36 , H01L21/20 , H01L21/2003 , H01L21/205 , H01L21/2053
Abstract: 本发明的一个方案涉及的SiC外延晶片，是在从(0001)面向＜11-20＞方向的偏移角为4度以下的SiC单晶基板上形成有SiC外延层的SiC外延晶片，所述SiC外延晶片中含有的梯形缺陷，包含台阶流下游侧的下底的长度为台阶流上游侧的上底的长度以下的倒梯形缺陷。
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公开(公告)号：CN103765559B
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201280042735.X
申请日：2012-09-04
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/42 , C30B25/20 , C30B29/36
CPC classification number: H01L21/02617 , C30B25/186 , C30B25/20 , C30B29/36 , H01L21/02024 , H01L21/02046 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L21/02634 , H01L21/02658 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/32
Abstract: 本发明提供层积缺陷的面密度被减小的SiC外延晶片及其制造方法。那样的SiC外延晶片的制造方法，其特征在于，具有：确定具有偏离角的SiC单晶基板的存在于生长面的基底面位错（BPD）之中，在SiC单晶基板上形成的规定膜厚的SiC外延膜中成为层积缺陷的比率的工序；基于比率，确定使用的SiC单晶基板的生长面中BPD的面密度的上限的工序；以及使用上限以下的SiC单晶基板，以与在确定比率的工序中使用的外延膜的生长条件相同的条件，在SiC单晶基板上形成SiC外延膜的工序。
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