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公开(公告)号：CN107004583B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201580065143.3
申请日：2015-11-27
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/42 , C23C16/458 , C23C16/52 , C30B25/12 , C30B29/36 , H01L21/683
Abstract: 提供能够高效且充分地减少外延冠的制造装置。本发明的晶片支承台是被用于采用化学气相生长法在晶片的主面上使外延膜生长的化学气相生长装置中的晶片支承台，所述晶片支承台具有在其上面能载置基板的晶片载置面、和以包围所载置的晶片的周围的方式立起的晶片支承部，从所述晶片支承部的顶部到被载置于所述晶片载置面上的晶片的主面的高度为1mm以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105830199A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201480070027.6
申请日：2014-10-30
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/42 , C23C16/458 , C30B25/20 , H01L21/20 , H01L21/683
CPC classification number: C30B25/12 , C23C16/325 , C23C16/45508 , C23C16/4584 , C30B25/14 , C30B25/165 , C30B25/20 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L21/68735 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 本发明的目的是提供制造品质和生产率优异的SiC外延晶片的制造装置以及SiC外延晶片，本发明的SiC外延晶片的制造装置能够以简单的构成使晶片面内的载流子浓度均匀化。本发明的SiC外延晶片的制造装置，其特征在于，具备：具有凹状收纳部的装载板(2)；配置在所述凹状收纳部(23)内，上面能载置SiC基板的卫星盘(3)；和在所述凹状收纳部(23)内配置在比SiC基板靠下方、且不与SiC基板接触的位置的碳构件。
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公开(公告)号：CN107407007B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201680011723.9
申请日：2016-02-16
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C30B29/36 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明的一个方案涉及的SiC外延晶片，是在从(0001)面向＜11‑20＞方向的偏移角为4度以下的SiC单晶基板上形成有SiC外延层的SiC外延晶片，所述SiC外延晶片中含有的梯形缺陷，包含台阶流下游侧的下底的长度为台阶流上游侧的上底的长度以下的倒梯形缺陷。
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公开(公告)号：CN105830199B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201480070027.6
申请日：2014-10-30
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/42 , C23C16/458 , C30B25/20 , H01L21/20 , H01L21/683
Abstract: 本发明的目的是提供制造品质和生产率优异的SiC外延晶片的制造装置以及SiC外延晶片，本发明的SiC外延晶片的制造装置能够以简单的构成使晶片面内的载流子浓度均匀化。本发明的SiC外延晶片的制造装置，其特征在于，具备：具有凹状收纳部的装载板(2)；配置在所述凹状收纳部(23)内，上面能载置SiC基板的卫星盘(3)；和在所述凹状收纳部(23)内配置在比SiC基板靠下方、且不与SiC基板接触的位置的碳构件。
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公开(公告)号：CN107407007A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680011723.9
申请日：2016-02-16
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C30B29/36 , H01L21/20 , H01L21/205
CPC classification number: C30B29/36 , H01L21/20 , H01L21/2003 , H01L21/205 , H01L21/2053
Abstract: 本发明的一个方案涉及的SiC外延晶片，是在从(0001)面向＜11-20＞方向的偏移角为4度以下的SiC单晶基板上形成有SiC外延层的SiC外延晶片，所述SiC外延晶片中含有的梯形缺陷，包含台阶流下游侧的下底的长度为台阶流上游侧的上底的长度以下的倒梯形缺陷。
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公开(公告)号：CN107004583A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580065143.3
申请日：2015-11-27
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/42 , C23C16/458 , C23C16/52 , C30B25/12 , C30B29/36 , H01L21/683
Abstract: 提供能够高效且充分地减少外延冠的制造装置。本发明的晶片支承台是被用于采用化学气相生长法在晶片的主面上使外延膜生长的化学气相生长装置中的晶片支承台，所述晶片支承台具有在其上面能载置基板的晶片载置面、和以包围所载置的晶片的周围的方式立起的晶片支承部，从所述晶片支承部的顶部到被载置于所述晶片载置面上的晶片的主面的高度为1mm以上。
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