公开(公告)号：CN108369901A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680074244.1

申请日：2016-12-12

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 武藤大祐 ,  宫坂晶

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20

CPC classification number: C23C16/42 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 一种SiC外延晶片的制造方法，是在SiC单晶基板上具有外延层的SiC外延晶片的制造方法，具有：在使所述外延层结晶生长时，在开始结晶生长的初期在第1条件下形成外延层的一部分的工序；和在与所述第1条件相比使Cl/Si比减少、并且使C/Si比增加了的第2条件下形成SiC外延层的一部分的工序，所述第1条件下的C/Si比为0.6以下、Cl/Si比为5.0以上。

公开(公告)号：CN108369901B

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN201680074244.1

申请日：2016-12-12

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 武藤大祐 ,  宫坂晶

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20

Abstract: 一种SiC外延晶片的制造方法，是在SiC单晶基板上具有外延层的SiC外延晶片的制造方法，具有：在使所述外延层结晶生长时，在开始结晶生长的初期在第1条件下形成外延层的一部分的工序；和在与所述第1条件相比使Cl/Si比减少、并且使C/Si比增加了的第2条件下形成SiC外延层的一部分的工序，所述第1条件下的C/Si比为0.6以下、Cl/Si比为5.0以上。

公开(公告)号：CN105830199A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201480070027.6

申请日：2014-10-30

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 乘松润 ,  宫坂晶 ,  影岛庆明

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C23C16/458 ,  C30B25/20 ,  H01L21/20 ,  H01L21/683

CPC classification number: C30B25/12 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/4584 ,  C30B25/14 ,  C30B25/165 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明的目的是提供制造品质和生产率优异的SiC外延晶片的制造装置以及SiC外延晶片，本发明的SiC外延晶片的制造装置能够以简单的构成使晶片面内的载流子浓度均匀化。本发明的SiC外延晶片的制造装置，其特征在于，具备：具有凹状收纳部的装载板(2)；配置在所述凹状收纳部(23)内，上面能载置SiC基板的卫星盘(3)；和在所述凹状收纳部(23)内配置在比SiC基板靠下方、且不与SiC基板接触的位置的碳构件。

公开(公告)号：CN107407007B

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN201680011723.9

申请日：2016-02-16

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 乘松润 ,  宫坂晶 ,  影岛庆明 ,  龟井宏二 ,  武藤大祐

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明的一个方案涉及的SiC外延晶片，是在从(0001)面向＜11‑20＞方向的偏移角为4度以下的SiC单晶基板上形成有SiC外延层的SiC外延晶片，所述SiC外延晶片中含有的梯形缺陷，包含台阶流下游侧的下底的长度为台阶流上游侧的上底的长度以下的倒梯形缺陷。

公开(公告)号：CN105830199B

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201480070027.6

申请日：2014-10-30

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 乘松润 ,  宫坂晶 ,  影岛庆明

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C23C16/458 ,  C30B25/20 ,  H01L21/20 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明的目的是提供制造品质和生产率优异的SiC外延晶片的制造装置以及SiC外延晶片，本发明的SiC外延晶片的制造装置能够以简单的构成使晶片面内的载流子浓度均匀化。本发明的SiC外延晶片的制造装置，其特征在于，具备：具有凹状收纳部的装载板(2)；配置在所述凹状收纳部(23)内，上面能载置SiC基板的卫星盘(3)；和在所述凹状收纳部(23)内配置在比SiC基板靠下方、且不与SiC基板接触的位置的碳构件。

公开(公告)号：CN107407007A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680011723.9

申请日：2016-02-16

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 乘松润 ,  宫坂晶 ,  影岛庆明 ,  龟井宏二 ,  武藤大祐

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/2003 ,  H01L21/205 ,  H01L21/2053

Abstract: 本发明的一个方案涉及的SiC外延晶片，是在从(0001)面向＜11-20＞方向的偏移角为4度以下的SiC单晶基板上形成有SiC外延层的SiC外延晶片，所述SiC外延晶片中含有的梯形缺陷，包含台阶流下游侧的下底的长度为台阶流上游侧的上底的长度以下的倒梯形缺陷。