公开(公告)号：CN102656297B

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201080056408.0

申请日：2010-12-08

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 武藤大祐 ,  百瀬賢治 ,  小田原道哉

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/02 ,  C23C16/42 ,  C30B25/16 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B25/02 ,  C30B25/16 ,  C30B25/165 ,  C30B25/186 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供一种降低三角缺陷和层积缺陷、载流子浓度和膜厚的均一性高、无台阶束的SiC外延晶片及其制造方法。本发明的SiC外延晶片，是在以0.4°～5°的偏离角倾斜的4H-SiC单晶基板上形成了SiC外延层的SiC外延晶片，其特征在于，所述SiC外延层的表面的三角形的缺陷密度为1个/cm2以下。

公开(公告)号：CN105408985A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201480042773.4

申请日：2014-08-13

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 小田原道哉 ,  田岛裕 ,  武藤大祐 ,  百濑贤治

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C23C16/44 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36

CPC classification number: C30B25/186 ,  C23C16/325 ,  C23C16/4404 ,  C30B25/08 ,  C30B25/12 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及SiC外延晶片的制造方法，具有以下工序：在专用的真空烘焙炉中，以2.0×10-3Pa以下的真空度对被涂覆了的碳系材料构件进行真空烘焙的工序；将所述被涂覆了的碳系材料构件设置在外延晶片制造装置中的工序；和，在所述外延晶片制造装置内配置SiC基板，使该SiC基板上外延生长出SiC外延膜的工序。

公开(公告)号：CN102576666A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080037687.6

申请日：2010-08-25

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 百瀬賢治 ,  田岛裕 ,  坂口泰之 ,  小田原道哉 ,  宫坂佳彦

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36

CPC classification number: H01L29/0684 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供一种在晶片的整个面没有台阶束的无台阶束的SiC外延晶片及其制造方法。本发明的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：将以5°以下的偏轴角倾斜的4H-SiC单晶基板研磨到其表面的晶格无序层变为3nm以下的工序；在氢气氛下，使研磨后的基板为1400～1600℃，将其表面清洁化的工序；向清洁化后的基板的表面，以浓度比C/Si为0.7～1.2同时地供给碳化硅的外延生长所需要的量的SiH4气体和C3H8气体，使碳化硅外延生长的工序；和同时地停止SiH4气体和C3H8气体的供给，保持基板温度直到排出SiH4气体和C3H8气体，其后进行降温的工序。

公开(公告)号：CN103765559B

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201280042735.X

申请日：2012-09-04

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 百濑贤治 ,  小田原道哉 ,  武藤大祐 ,  影岛庆明

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/32

Abstract: 本发明提供层积缺陷的面密度被减小的SiC外延晶片及其制造方法。那样的SiC外延晶片的制造方法，其特征在于，具有：确定具有偏离角的SiC单晶基板的存在于生长面的基底面位错（BPD）之中，在SiC单晶基板上形成的规定膜厚的SiC外延膜中成为层积缺陷的比率的工序；基于比率，确定使用的SiC单晶基板的生长面中BPD的面密度的上限的工序；以及使用上限以下的SiC单晶基板，以与在确定比率的工序中使用的外延膜的生长条件相同的条件，在SiC单晶基板上形成SiC外延膜的工序。

公开(公告)号：CN101802273A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880106397.5

申请日：2008-09-12

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所 ,  财团法人电力中央研究所

Inventor： 百瀬賢治 ,  小田原道哉 ,  松沢圭一 ,  奥村元 ,  児島一聡 ,  石田夕起 ,  土田秀一 ,  鎌田功穗

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/325 ,  C30B25/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262

Abstract: 一种外延SiC单晶衬底，其特征在于，包括将c面或以大于0度小于10度的倾斜角度使c面倾斜得到的面作为主面的SiC单晶晶片、和在所述SiC单晶晶片的所述主面上形成的SiC外延膜，形成于所述SiC外延膜的贯通刃状位错列的位错列密度为10列/cm2以下。

公开(公告)号：CN105408985B

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201480042773.4

申请日：2014-08-13

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 小田原道哉 ,  田岛裕 ,  武藤大祐 ,  百濑贤治

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C23C16/44 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36

CPC classification number: C30B25/186 ,  C23C16/325 ,  C23C16/4404 ,  C30B25/08 ,  C30B25/12 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及SiC外延晶片的制造方法，具有以下工序：在专用的真空烘焙炉中，以2.0×10‑3Pa以下的真空度对被涂覆了的碳系材料构件进行真空烘焙的工序；将所述被涂覆了的碳系材料构件设置在外延晶片制造装置中的工序；和，在所述外延晶片制造装置内配置SiC基板，使该SiC基板上外延生长出SiC外延膜的工序。

公开(公告)号：CN102576666B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201080037687.6

申请日：2010-08-25

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 百瀬賢治 ,  田岛裕 ,  坂口泰之 ,  小田原道哉 ,  宫坂佳彦

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36

CPC classification number: H01L29/0684 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供一种在晶片的整个面没有台阶束的无台阶束的SiC外延晶片及其制造方法。本发明的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：将以5°以下的偏轴角倾斜的4H-SiC单晶基板研磨到其表面的晶格无序层变为3nm以下的工序；在氢气氛下，使研磨后的基板为1400～1600℃，将其表面清洁化的工序；向清洁化后的基板的表面，以浓度比C/Si为0.7～1.2同时地供给碳化硅的外延生长所需要的量的SiH4气体和C3H8气体，使碳化硅外延生长的工序；和同时地停止SiH4气体和C3H8气体的供给，保持基板温度直到排出SiH4气体和C3H8气体，其后进行降温的工序。

公开(公告)号：CN103765559A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201280042735.X

申请日：2012-09-04

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 百濑贤治 ,  小田原道哉 ,  武藤大祐 ,  影岛庆明

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/32

Abstract: 本发明提供层积缺陷的面密度被减小的SiC外延晶片及其制造方法。那样的SiC外延晶片的制造方法，其特征在于，具有：确定具有偏离角的SiC单晶基板的存在于生长面的基底面位错（BPD）之中，在SiC单晶基板上形成的规定膜厚的SiC外延膜中成为层积缺陷的比率的工序；基于比率，确定使用的SiC单晶基板的生长面中BPD的面密度的上限的工序；以及使用上限以下的SiC单晶基板，以与在确定比率的工序中使用的外延膜的生长条件相同的条件，在SiC单晶基板上形成SiC外延膜的工序。

公开(公告)号：CN101802273B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN200880106397.5

申请日：2008-09-12

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所 ,  财团法人电力中央研究所

Inventor： 百瀬賢治 ,  小田原道哉 ,  松沢圭一 ,  奥村元 ,  児島一聡 ,  石田夕起 ,  土田秀一 ,  鎌田功穗

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/325 ,  C30B25/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262

Abstract: 一种外延SiC单晶衬底，其特征在于，包括将c面或以大于0度小于10度的倾斜角度使c面倾斜得到的面作为主面的SiC单晶晶片、和在所述SiC单晶晶片的所述主面上形成的SiC外延膜，形成于所述SiC外延膜的贯通刃状位错列的位错列密度为10列/cm2以下。

公开(公告)号：CN102656297A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201080056408.0

申请日：2010-12-08

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 武藤大祐 ,  百瀬賢治 ,  小田原道哉

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/02 ,  C23C16/42 ,  C30B25/16 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B25/02 ,  C30B25/16 ,  C30B25/165 ,  C30B25/186 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供一种降低三角缺陷和层积缺陷、载流子浓度和膜厚的均一性高、无台阶束的SiC外延晶片及其制造方法。本发明的SiC外延晶片，是在以0.4°～5°的偏离角倾斜的4H-SiC单晶基板上形成了SiC外延层的SiC外延晶片，其特征在于，所述SiC外延层的表面的三角形的缺陷密度为1个/cm2以下。