公开(公告)号：CN101802273A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880106397.5

申请日：2008-09-12

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所 ,  财团法人电力中央研究所

Inventor： 百瀬賢治 ,  小田原道哉 ,  松沢圭一 ,  奥村元 ,  児島一聡 ,  石田夕起 ,  土田秀一 ,  鎌田功穗

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/325 ,  C30B25/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262

Abstract: 一种外延SiC单晶衬底，其特征在于，包括将c面或以大于0度小于10度的倾斜角度使c面倾斜得到的面作为主面的SiC单晶晶片、和在所述SiC单晶晶片的所述主面上形成的SiC外延膜，形成于所述SiC外延膜的贯通刃状位错列的位错列密度为10列/cm2以下。

公开(公告)号：CN101802273B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN200880106397.5

申请日：2008-09-12

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  独立行政法人产业技术综合研究所 ,  财团法人电力中央研究所

Inventor： 百瀬賢治 ,  小田原道哉 ,  松沢圭一 ,  奥村元 ,  児島一聡 ,  石田夕起 ,  土田秀一 ,  鎌田功穗

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/325 ,  C30B25/02 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262

Abstract: 一种外延SiC单晶衬底，其特征在于，包括将c面或以大于0度小于10度的倾斜角度使c面倾斜得到的面作为主面的SiC单晶晶片、和在所述SiC单晶晶片的所述主面上形成的SiC外延膜，形成于所述SiC外延膜的贯通刃状位错列的位错列密度为10列/cm2以下。

公开(公告)号：CN1902760A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200480040292.6

申请日：2004-12-01

Applicant: 关西电力株式会社 ,  财团法人电力中央研究所

Inventor： 中山浩二 ,  菅原良孝 ,  浅野胜则 ,  土田秀一 ,  鎌田功穗 ,  三柳俊之 ,  中村智宣

IPC: H01L29/73

CPC classification number: H01L29/868 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/73 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明涉及一种双极半导体元件及其制作方法。为了防止使用有碳化硅半导体的双极半导体元件的时效变化造成的顺向电压的增大，以相对碳化硅半导体的结晶的(000－1)碳面的偏斜角θ为8度的面为结晶成长面，在该成长面上将缓冲层、漂移层及其它p型及n型半导体层以膜厚每小时h的增加速度大于或等于现有的3倍、即10μm/h的成膜速度成膜。为提高成膜速度，大幅度增加原料气体的硅烷、丙烷及掺杂剂气体的流量。