-
公开(公告)号:CN109075340A
公开(公告)日:2018-12-21
申请号:CN201780026117.9
申请日:2017-04-27
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01M4/587 , H01G11/06 , H01G11/50 , H01G11/86 , H01G13/00 , H01M4/38 , H01M4/48 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/58
Abstract: 一种电极材料的制造方法,在碱金属供给源和溶剂的存在下,将至少含有活性物质的不定形的聚集体在动态加压单元中进行动态加压的同时向送出方向送出,将上述聚集体从上述动态加压单元朝向上述送出方向连续地排出。
-
公开(公告)号:CN108701553A
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:CN201780012705.7
申请日:2017-02-24
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01G11/50 , H01G11/06 , H01G11/86 , H01G13/00 , H01M10/0585 , H01M10/0587
Abstract: 掺杂系统向具有含有活性物质的层的带状的电极前体中的上述活性物质中掺杂碱金属。掺杂系统具备掺杂槽、传送单元、对电极单元、连接单元和多孔绝缘部件。掺杂槽收容含有碱金属离子的溶液。传送单元将上述电极前体沿着通过上述掺杂槽内的路径进行传送。对电极单元收容于上述掺杂槽。连接单元对上述电极前体和上述对电极单元进行电连接。多孔绝缘部件配置在上述电极前体和上述对电极单元之间,且不与上述电极前体接触。
-
公开(公告)号:CN102034908A
公开(公告)日:2011-04-27
申请号:CN201010502435.8
申请日:2010-09-29
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L33/00 , C09D183/04
Abstract: 本发明提供光半导体元件的制造方法、及该元件保护层形成用组合物。提供即使为了除去在形成用于分离元件单元的分离沟槽时产生的附着物而使用酸时,也不会对半导体层造成不良影响,并且耐酸性以及耐断裂性优异的保护层形成用组合物,以及使用该组合物的光半导体元件的制造方法。保护层形成用组合物包含硅氧烷系聚合物和有机溶剂。光半导体元件的制造方法包含以下工序:向在基板(1)上形成的半导体层(2)、(3)的表面涂布保护层形成用组合物,从而形成保护层(4)的工序;从保护层(4)的上方照射激光,形成分离沟槽(6)的工序;以及除去在形成分离沟槽(6)时生成的附着物的工序。
-
公开(公告)号:CN101528874A
公开(公告)日:2009-09-09
申请号:CN200780030018.4
申请日:2007-08-14
Applicant: JSR株式会社
IPC: C09D183/00 , C23C16/06 , H01L21/312
Abstract: 本发明提供一种含硅膜形成用材料,含有右述通式(1)所示的有机硅烷化合物。(式中,R1~R4相同或不同,表示氢原子、碳原子数1~4的烷基、乙烯基、苯基,R5表示碳原子数1~4的烷基、乙酰基、苯基,n表示1~3的整数,m表示1~2的整数。)
-
公开(公告)号:CN1229674C
公开(公告)日:2005-11-30
申请号:CN01137577.9
申请日:2001-10-30
Applicant: JSR株式会社
IPC: G02F1/1335
Abstract: 一种反射镜面上的倾斜凸块结构的制造方法,至少包括以下步骤:提供一衬底;在衬底上形成一感光性材料层;分区规划感光性材料层以形成多个具有不同底面积的梯形体,且这些梯形体的底部是相互连接;以及平滑这些梯形体,以形成具有一倾斜角的多组凸块结构。本发明是以光学绕射法和一特殊光掩模,通过单次曝光的简单工艺,可使应用的反射式液晶显示屏达到兼具反射亮度与广视角的目的。
-
-
公开(公告)号:CN101939465A
公开(公告)日:2011-01-05
申请号:CN200980104520.4
申请日:2009-03-24
Applicant: JSR株式会社
IPC: C23C16/42 , C08G77/50 , H01L21/312 , H01L21/316 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: C23C16/401 , C07F7/1804 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/31633 , H01L21/31695 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种化学气相沉积法用材料,其含有下述通式(1)表示的有机硅烷化合物。(式中,R1和R2相同或不同,表示氢原子、碳原子数1~4的烷基、乙烯基或苯基;R3和R4相同或不同,表示碳原子数1~4的烷基、乙酰基或苯基;m表示0~2的整数;n表示1~3的整数)。
-
公开(公告)号:CN100369226C
公开(公告)日:2008-02-13
申请号:CN03818911.9
申请日:2003-08-07
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01R1/07314 , G01R1/06755 , G01R31/2889 , H01L23/49827 , H01L23/49866 , H01L2924/0002 , H01R12/714 , H01R13/2414 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种各向异性导电连接器及其应用,通过它,定位,和保持及固定至晶片可容易地执行,即使晶片具有8英寸或更大直径的面积,且待检测电极的间距小,而且良好的导电性被维持,即使被重复使用和应用。该各向异性导电连接器具有结构板和弹性各向异性导电膜,其中多个各向异性导电膜安置孔相应于晶片上所有或部分集成电路中的电极区域形成,而该多个弹性各向异性导电膜被安置在各个各向异性导电膜安置孔中。该弹性各向异性导电膜安置孔每个都有多个用于连接的导电部件,该用于连接的导电部件在各向异性导电膜中的厚度方向上延伸并含有导电颗粒,且绝缘部件将它们彼此绝缘。导电颗粒是通过用高导电金属涂覆芯颗粒而获得的,该芯颗粒具有磁性,高导电金属对芯颗粒的质量比例至少为15%,且下面的t至少为50nm:t=[1/(Sw·ρ)]×[N/(1-N)],其中Sw是芯颗粒的BET比表面积(m2/kg),ρ是高导电金属的比重(kg/m3),N是(高导电金属的质量/导电颗粒的总质量)。
-
公开(公告)号:CN1496597A
公开(公告)日:2004-05-12
申请号:CN02806241.8
申请日:2002-02-06
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: H01R13/2414 , H01R43/007
Abstract: 提供一种各向异性导电性连接器、其制造方法以及探针构件,通过这种各向异性导电性连接器,即使晶片的面积较大,并且即使以较小的间距排列被检查电路,也可以很容易地在被检查晶片上定位、固定和安装该各向异性导电性连接器,并且,在该各向异性导电性连接器中,对于所有连接用导电部分可以保证实现良好的导电性,并且可以保证在相邻的导电部分之间实现绝缘性。该各向异性导电性连接器包含框板和多个弹性各向异性导电膜,该框板具有与晶片的被检查电极的区域对应而形成的多个各向异性导电膜配置用孔,该弹性各向异性导电膜配置于各个各向异性导电膜配置用孔中并由其周缘部分支撑。每个弹性各向异性导电膜包含功能部分和被支撑部分,该功能部分包含多个导电部分和绝缘部分,该导电部分与被检查电极相对应而配置,它包含高密度的表现出磁性的粒子并沿膜的厚度方向延伸,该绝缘部分使这些导电部分相互绝缘,该被支撑部分整体形成于功能部分的周缘部分上并固定于该框板中的用于配置各向异性导电膜的内周缘上,并且该被支撑部分包含表现为磁性的导电性粒子。
-
公开(公告)号:CN1229817C
公开(公告)日:2005-11-30
申请号:CN01138190.6
申请日:2001-09-29
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: H01L24/31 , H01B1/02 , H01B1/22 , H01L23/32 , H01L24/28 , H01L24/83 , H01L2224/2919 , H01L2224/8319 , H01L2224/838 , H01L2224/83851 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01043 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0134 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/07811 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01R12/52 , H05K1/095 , H05K3/321 , H05K3/4069 , H05K7/1061 , Y10T428/12181 , Y10T428/2991 , H01L2924/00 , H01L2924/01026 , H01L2924/01028
Abstract: 本发明提供导电金属颗粒和导电复合金属颗粒,通过其可提供具有稳定导电率的导电材料,以及其应用产品。该导电金属颗粒具有5-100μm的数均颗粒直径,0.01×103-0.7×103m2/kg的BET比表面积,最多0.1%重量的硫元素含量,最多0.5%重量的氧元素含量,最多0.1%重量的碳元素含量。导电复合金属颗粒可通过用高导电金属涂覆导电金属颗粒表面而获得。
-
-
-
-
-
-
-
-
-