公开(公告)号：CN118738081A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202310316163.X

申请日：2023-03-28

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 李永顺 ,  金华俊 ,  宋亮 ,  王亚南 ,  张清清 ,  邵红 ,  张森

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明涉及一种具有隔离结构的半导体器件，及隔离结构的制造方法，所述半导体器件包括：衬底，具有第二导电类型；结隔离结构，包括第一埋藏区和与所述第一埋藏区直接接触的第二埋藏区，所述第一埋藏区位于所述衬底上且具有第一导电类型，所述第二埋藏区位于所述第一埋藏区上且具有第一导电类型，所述第二埋藏区的掺杂浓度小于所述第一埋藏区的掺杂浓度；第二导电类型区，位于所述第二埋藏区上；器件主体区，位于所述第二导电类型区中；其中，所述结隔离结构用于实现所述衬底与所述第二导电类型区之间的绝缘隔离。本发明在第一埋藏区和第二埋藏区的界面形成空穴阻挡层，能够阻止空穴穿过空穴阻挡层渡越到衬底形成衬底漏电，改善器件的闩锁效应。

公开(公告)号：CN119947203A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202311428324.0

申请日：2023-10-30

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 李永顺 ,  金华俊 ,  宋亮 ,  张森

IPC: H10D62/10 ,  H10D30/65 ,  H10D30/01

Abstract: 本发明涉及一种具有隔离结构的半导体器件及隔离结构的制造方法，所述半导体器件包括：衬底；第一掺杂区，位于衬底上，掺杂浓度小于衬底的掺杂浓度；结隔离结构，包括第一埋藏区和与第一埋藏区直接接触的第二埋藏区，第一埋藏区位于第一掺杂区上，第二埋藏区位于第一埋藏区上，第二埋藏区的掺杂浓度小于第一埋藏区的掺杂浓度；第二掺杂区，位于第二埋藏区上；器件主体区，位于第二掺杂区中。本发明在第一埋藏区和第二埋藏区的界面形成空穴阻挡层，能够阻止空穴穿过空穴阻挡层渡越到衬底形成衬底漏电，改善器件的闩锁效应。且由于设置了第一掺杂区，利用基区扩展效应，可以使得有效基区的宽度更宽，从而有效降低流入衬底的寄生漏电。

公开(公告)号：CN119153490A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202310715648.6

申请日：2023-06-15

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 宋亮 ,  安丽琪 ,  李永顺 ,  陈新倩 ,  刘新新 ,  罗琳

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种肖特基二极管，包括：阱区，具有第一导电类型；体区，设于所述阱区的上部，具有第二导电类型；所述体区被沟槽贯穿，所述沟槽的底部延伸至所述阱区中；第一钴硅化物层，形成于所述沟槽的底面和内壁，所述第一钴硅化物层与所述阱区形成肖特基接触；其中，所述阱区作为所述肖特基二极管的阴极，与所述阱区直接接触的所述第一钴硅化物层作为所述肖特基二极管的阳极，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型。本发明利用沟槽的底面和内壁，使第一钴硅化物层与阱区形成U型的结构的肖特基接触，可以凭借较小的平面面积获得较大的肖特基接触面积，并且由于肖特基接触为钴硅化物所形成，因此有较强的过电流能力。

公开(公告)号：CN118472028A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202310079802.5

申请日：2023-02-07

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 安丽琪 ,  宋亮 ,  李永顺 ,  王亚南 ,  罗琳 ,  叶帆

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种具有隔离结构的半导体器件，包括：衬底，具有第二导电类型；第一导电埋层，具有第一导电类型，位于所述衬底中；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；第一极掺杂区，具有第一导电类型，位于所述第一导电埋层的上方；第二极掺杂区，具有第一导电类型，位于所述第一导电埋层的上方、所述第一极掺杂区的两侧；隔离结构，包括位于隔离槽侧壁的绝缘层，所述隔离槽从所述第二极掺杂区向下延伸至所述第一导电埋层，所述隔离槽中还设有与所述第一导电埋层电性连接的导电结构。本发明在第二极掺杂区的位置设置向下延伸至第一导电埋层的隔离槽，复用了第二极掺杂区的芯片区域，因此芯片的面积利用率较高。

公开(公告)号：CN118039553A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202211424689.1

申请日：2022-11-14

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 王亚南 ,  宋亮 ,  安丽琪 ,  罗琳 ,  李永顺

IPC: H01L21/762 ,  H01L23/60

Abstract: 本发明涉及一种沟槽隔离结构及其制造方法、半导体结构，所述沟槽隔离结构的底部位于衬底中，所述沟槽隔离结构包括：设于沟槽内的绝缘材质，以及从所述沟槽的顶部延伸至底部的导电结构；其中，所述导电结构的底部与所述衬底电性连接，所述导电结构用于在工作时接地或连接低于阴极的电位。本发明设有从沟槽的顶部延伸至底部的导电结构，导电结构的底部电连接衬底、顶部引出接地，因此通过该导电结构可以收集空穴电流，阻止电流流向衬底，从而进一步加强沟槽隔离结构的电学隔离效果。