公开(公告)号：CN119153490A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202310715648.6

申请日：2023-06-15

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 宋亮 ,  安丽琪 ,  李永顺 ,  陈新倩 ,  刘新新 ,  罗琳

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种肖特基二极管，包括：阱区，具有第一导电类型；体区，设于所述阱区的上部，具有第二导电类型；所述体区被沟槽贯穿，所述沟槽的底部延伸至所述阱区中；第一钴硅化物层，形成于所述沟槽的底面和内壁，所述第一钴硅化物层与所述阱区形成肖特基接触；其中，所述阱区作为所述肖特基二极管的阴极，与所述阱区直接接触的所述第一钴硅化物层作为所述肖特基二极管的阳极，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型。本发明利用沟槽的底面和内壁，使第一钴硅化物层与阱区形成U型的结构的肖特基接触，可以凭借较小的平面面积获得较大的肖特基接触面积，并且由于肖特基接触为钴硅化物所形成，因此有较强的过电流能力。