公开(公告)号：CN106158957A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510169433.4

申请日：2015-04-10

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 黄枫 ,  韩广涛 ,  孙贵鹏 ,  林峰 ,  赵龙杰 ,  林华堂 ,  赵兵

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0649 ,  H01L21/76229 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816

Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法，所述方法包括：提供形成有第一N阱、第一P阱以及浅槽隔离结构的晶圆；在晶圆表面淀积形成高温氧化膜；对高温氧化膜进行光刻和干法刻蚀，并留下一薄层作为刻蚀缓冲层；进行湿法腐蚀，将未被光刻胶覆盖区域的刻蚀缓冲层去除，形成迷你氧化层；进行光刻和离子注入在第一N阱内形成第二N阱，以及在第一P阱内形成第二P阱；在所述晶圆表面形成多晶硅栅和栅氧层；光刻并注入N型离子，形成漏极和源极。本发明通过在STI结构LDMOS的沟道区靠近漂移区一侧增加一块迷你氧化层，可以在不增加LDMOS面积的情况下，大幅度地提高LDMOS的off-BV。

公开(公告)号：CN105810583A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201410849111.X

申请日：2014-12-30

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 黄枫 ,  韩广涛 ,  孙贵鹏 ,  林峰 ,  赵龙杰 ,  林华堂 ,  赵兵 ,  刘理想 ,  平梁良 ,  陈凤英

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L29/66325 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/31116 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/408 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种横向绝缘栅双极型晶体管的制造方法，包括：提供形成有N型埋层、STI、第一N阱以及第一P阱的晶圆；在晶圆表面淀积形成高温氧化膜；进行热推阱并对高温氧化膜进行光刻和刻蚀，形成迷你氧化层；在第一N阱内形成第二N阱，以及在所述第一N阱和第一P阱内形成第二P阱；在晶圆表面形成栅氧化层和多晶硅栅；光刻并注入N型离子，在第二N阱内、迷你氧化层和与迷你氧化层相邻的STI间形成漏极，同时在第二P阱内形成源极。本发明利用应力较小的HTO来做降低LDMOS表面电场的mini-oxide，有源区边缘不会产生dislocation。通过推阱步骤使得HTO变致密，极大地降低了HTO的湿法腐蚀速率，保证了mini-oxide在后续清洗过程中腐蚀量可得到稳定控制，可用于批量生产。

公开(公告)号：CN102088037B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN200910188618.4

申请日：2009-12-04

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 吴孝嘉 ,  罗泽煌 ,  孙贵鹏

IPC: H01L29/866 ,  H01L21/329

Abstract: 一种齐纳二极管，包括N型衬底，在N型衬底之上的表面氧化膜，在N型衬底内的阳极区，阴极区在阳极区之内，还包括阳极区之内的N型注入区，该N型较低漂移区围住阴极结弧面处。采用本发明的结构可以避免齐纳二极管在阴极结的弧面处击穿，可以较精确地决定齐纳击穿，提高击穿电压的稳定性。

公开(公告)号：CN102569075A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201010589182.2

申请日：2010-12-15

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 韩广涛 ,  孙贵鹏 ,  林峰 ,  马春霞 ,  黄枫

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/76224 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明实施例公开了一种LDMOS器件及其制造方法。所述方法包括：提供基底，所述基底包括本体层、外延层及位于外延层中的深阱区；在所述外延层上依次形成隔离介质层及硬掩膜层；采用具有漂移区图案的掩膜版在所述外延层中的深阱区内形成浅沟槽；在所述浅沟槽内形成浅沟槽介质层。本发明所提供的LDMOS器件制造方法，能够生产出关键尺寸为0.18μm或0.18μm以下的器件；且在后续进行CMP工艺时，可以实现基底表面的全局平坦化，减小了工艺缺陷的发生。

公开(公告)号：CN102386211A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201010269279.5

申请日：2010-08-31

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 吴孝嘉 ,  罗泽煌 ,  孙贵鹏

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42368 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/7835

Abstract: 一种LDMOS器件，包括源区，栅极区，漏区，体区以及掺杂类型与体区相反的漂移区，体区在衬底区之上，漂移区在漏区和体区之间。LDMOS器件还包括绝缘介质层，所述绝缘介质层位于漂移区之上，栅极区之下。采用本发明的结构，可以提高器件的击穿电压，有利于降低导通电阻，使器件的功耗降低。并且在调整制造过程中，调整绝缘介质层和漂移区的结深对其他器件的较小。

公开(公告)号：CN102088037A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200910188618.4

申请日：2009-12-04

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 吴孝嘉 ,  罗泽煌 ,  孙贵鹏

IPC: H01L29/866 ,  H01L21/329

Abstract: 一种齐纳二极管，包括N型衬底，在N型衬底之上的表面氧化膜，在N型衬底内的阳极区，阴极区在阳极区之内，还包括阳极区之内的N型注入区，该N型较低漂移区围住阴极结弧面处。采用本发明的结构可以避免齐纳二极管在阴极结的弧面处击穿，可以较精确地决定齐纳击穿，提高击穿电压的稳定性。

公开(公告)号：CN106158921A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510170810.6

申请日：2015-04-10

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 祁树坤 ,  张广胜 ,  孙贵鹏 ,  张森

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66681 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7823 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/0634

Abstract: 本发明涉及一种具RESURF结构的横向扩散金属氧化物半导体场效应管，包括衬底、源极、漏极、体区、P型场限环及衬底上的阱区，阱区包括：插入式阱，掺杂类型为P型，设于漏极的下方并与漏极相接；N阱，设于插入式阱的两侧；P阱，设于N阱的旁边并与N阱连接；P型场限环设于N阱内，为封闭的环状结构，且位于漏极的下方外围，将漏极包围；插入式阱在其长度方向上延伸至与所述P型场限环相接触的位置，源极和体区设于所述P阱内。本发明能够确保交流高频开关状态下P型场限环与N阱之间保持稳定的结电容，有助于改善器件的动态特性，避免出现尖峰电流。

公开(公告)号：CN102931089B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201110228658.4

申请日：2011-08-10

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 韩广涛 ,  孙贵鹏 ,  林峰 ,  马春霞 ,  黄枫 ,  任刚

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明实施例公开了一种LDMOS器件及其制造方法。所述LDMOS器件制造方法包括：提供基底；在所述基底上依次形成第一氧化硅层和第一氮化硅层；在所述基底上形成漂移区场氧化层；去除所述第一氮化硅层和第一氧化硅层；在所述基底上依次形成第二氧化硅层和第二氮化硅层；采用沟槽隔离工艺在所述基底上形成隔离区氧化层。本发明所提供的LDMOS器件制造方法，不仅可实现与0.18μm的工艺兼容，而且还能提高LDMOS器件耐压的均匀性。

公开(公告)号：CN105226101A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201410307930.1

申请日：2014-06-30

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 韩广涛 ,  孙贵鹏

IPC: H01L29/808 ,  H01L21/337

CPC classification number: H01L29/7831 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/408 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/47 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/66901 ,  H01L29/782 ,  H01L29/808

Abstract: 本发明涉及一种结型场效应晶体管，包括衬底，衬底内的埋层，埋层上的第一阱区和第二阱区，第一阱区内的源极引出区、漏极引出区、第一栅极引出区，以及第二阱区内的第二栅极引出区；所述第一阱区的表面设有肖特基结面，所述肖特基结面位于所述第一栅极引出区和所述漏极引出区之间，并通过隔离结构与所述第一栅极引出区和漏极引出区进行隔离。本发明还涉及一种结型场效应晶体管的制造方法。本发明利用设于N阱上方的肖特基结面，在N阱的N型漂移区内形成空乏区，使得漂移区被耗尽，从而达到提高崩溃电压的目的。

公开(公告)号：CN104167360A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201310186628.0

申请日：2013-05-16

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 章舒 ,  韩广涛 ,  孙贵鹏

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/426 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7835 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明公开了一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，包括下列步骤：在晶圆的衬底上生长氧化层；在晶圆表面涂覆光刻胶；使用第一光刻掩模版进行光刻，显影后露出第一注入窗口；通过第一注入窗口进行离子注入，在衬底内形成漂移区；去胶后再次于晶圆表面涂覆一层光刻胶；使用漂移区氧化层光刻掩模版进行光刻；对氧化层进行刻蚀，形成漂移区氧化层。本发明还涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件。本发明先生长漂移区氧化层，再进行漂移区注入。避免了热生长漂移区氧化层引起的漂移区注入离子的横扩区域浓度淡、导通电阻较高的问题，直接将较高浓度的离子注入到该区域，有效地降低了导通电阻。