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公开(公告)号:CN113406355A
公开(公告)日:2021-09-17
申请号:CN202110276918.9
申请日:2021-03-15
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01P15/125
Abstract: 公开了一种高抗静摩擦现象的MEMS惯性传感器。MEMS惯性传感器包括支撑结构和惯性结构。惯性结构包括至少一个惯性质量块、弹性结构和止动结构。弹性结构机械地耦合到惯性质量块和支撑结构以使得当支撑结构受到平行于第一方向的加速度时,惯性质量块能够在平行于第一方向的方向上运动。止动结构相对于支撑结构固定,并且至少包括一个主止动元件和一个次止动元件。如果加速度超过第一阈值,则惯性质量块紧靠主止动元件,并且随后围绕由主止动元件限定的旋转轴旋转。如果加速度超过第二阈值,则当惯性质量块紧靠次止动元件时,惯性质量块的旋转终止。
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公开(公告)号:CN107404697B
公开(公告)日:2020-02-21
申请号:CN201611227014.2
申请日:2016-12-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 一种MEMS声换能器,其设置有:半导体材料的衬底,具有背表面和相对于垂直方向相反的前表面;形成在衬底内的第一腔,其从背表面延伸到前表面;膜,其布置在上表面处,悬置在第一腔的上方并沿着其周界锚定到衬底;以及梳齿状电极布置,其包括耦接到膜的多个可移动电极以及耦接到衬底并面向相应的可移动电极以形成感测电容器的多个固定电极,其中作为入射声波压力波的结果的膜的变形引起感测电容器的电容变化。特别地,梳齿状电极布置相对于膜垂直地放置并且平行于膜延伸。
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公开(公告)号:CN108254706A
公开(公告)日:2018-07-06
申请号:CN201710515501.7
申请日:2017-06-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及一种具有改进配置的MEMS三轴磁传感器。例如,一种MEMS三轴磁传感器设备(51)设置有感应结构(2),该感应结构具有:衬底(6);外部框架(4),该外部框架内部地限定窗口(5)并且弹性地耦合至第一锚定件(7),该第一锚定件借助于第一弹性元件(8)相对于该衬底固定;可移动结构(10),该可移动结构被安排在悬置在该衬底上方的该窗口中、借助于第二弹性元件(12)弹性地耦合至该外部框架并且承载用于流过电流(I)的导电路径(P);以及弹性安排(22,24),该弹性安排操作性地耦合至该可移动结构。该可移动结构由于该第一弹性元件和该第二弹性元件以及弹性元件的该安排而执行:响应于源自第一磁场分量(Bx)的洛伦兹力的第一感应移动、响应于源自第二磁场分量(By)的洛伦兹力的第二感应移动、以及响应于源自第三磁场分量(Bz)的洛伦兹力的第三感应移动;该第一、第二和第三感应移动是不同的并且与彼此去耦。
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公开(公告)号:CN107270883A
公开(公告)日:2017-10-20
申请号:CN201610875869.X
申请日:2016-09-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01C19/58
CPC classification number: G01C19/5747 , G01C19/5712 , G01C19/58
Abstract: 多轴MEMS陀螺仪(42)设置有微机械检测结构(10),其具有:基板(12);驱动块布置(14a-14b);具有中心窗口(22)的从动块布置(20);感测块布置(20;35a-35b、37a-37b),其在存在关于第一水平轴(x)和第二水平轴(x)的角速度的情况下经历感测运动;感测电极布置(29a-29b、30a-30b),其相对于基板固定并且被设置在感测块布置下面;和锚定组件(24),其被设置在中心窗口(22)内以用于在锚定元件(27)处将从动块布置约束到基板。锚定组件包括刚性结构(25a-25b),其悬挂在基板上方、在中心部分处通过弹性连接元件(26a-26b)弹性地连接到从动块,并且在其端部处通过弹性解耦元件(28)弹性地连接到锚定元件。
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公开(公告)号:CN118329000A
公开(公告)日:2024-07-12
申请号:CN202410037549.1
申请日:2024-01-10
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01C19/5712 , H03H9/02 , H03H9/24 , G01C19/567 , G01C19/5776
Abstract: 本公开涉及减少杂散谐波激励驱动陀螺仪微机电谐振器的电路和方法,实现了一种用于MEMS陀螺仪的驱动谐振器级的驱动电路,驱动谐振器级包括至少第一电极和第二电极以及可移动质量。驱动电路包括:同步级,接收指示可移动质量的位置的电位置信号并且生成与电位置信号锁相和锁频的参考信号;以及驱动级,基于参考信号来生成第一驱动信号和第二驱动信号,第一驱动信号和第二驱动信号被分别施加到第一电极和第二电极,使得可移动质量承受使可移动质量振荡的第一静电力和第二静电力。
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公开(公告)号:CN113375635A
公开(公告)日:2021-09-10
申请号:CN202110208300.9
申请日:2021-02-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 一种具有减小的振动校正误差的MEMS测斜仪。该MEMS测斜仪包括基底、第一移动质量块和传感单元。传感单元包括第二移动质量块、多个弹性元件,弹性元件被插入在第二移动质量块与基底之间并且在与第一轴线平行的方向是柔顺的,以及多个弹性结构,多个弹性结构中的每个弹性结构被插入在第一移动质量块与第二移动质量块之间并且在与第一轴线和第二轴线平行的方向是柔顺的。传感单元进一步包括相对于基底固定的固定电极以及相对于第二移动质量块固定的移动电极,这形成了可变电容器。
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公开(公告)号:CN107271719B
公开(公告)日:2021-04-16
申请号:CN201610875657.1
申请日:2016-09-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01P15/08 , G01P15/125
Abstract: MEMS加速度度量传感器包括承载结构以及由半导体材料制成的悬置区域。至少一个调制电极固定至承载结构并且采用指示了具有第一频率的至少一个周期性分量而偏置。由悬置区域以及由调制电极以该方式形成至少一个可变电容器以使得悬置区域经受取决于电调制信号的静电力。当加速度度量传感器经受加速度时,感测组件产生电感测信号,指示了悬垂区域相对于承载结构的位置,并且包括作为加速度以及第一频率的函数的频率调制分量。
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公开(公告)号:CN107270883B
公开(公告)日:2021-03-30
申请号:CN201610875869.X
申请日:2016-09-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01C19/58
Abstract: 多轴MEMS陀螺仪(42)设置有微机械检测结构(10),其具有:基板(12);驱动块布置(14a‑14b);具有中心窗口(22)的从动块布置(20);感测块布置(20;35a‑35b、37a‑37b),其在存在关于第一水平轴(x)和第二水平轴(x)的角速度的情况下经历感测运动;感测电极布置(29a‑29b、30a‑30b),其相对于基板固定并且被设置在感测块布置下面;和锚定组件(24),其被设置在中心窗口(22)内以用于在锚定元件(27)处将从动块布置约束到基板。锚定组件包括刚性结构(25a‑25b),其悬挂在基板上方、在中心部分处通过弹性连接元件(26a‑26b)弹性地连接到从动块,并且在其端部处通过弹性解耦元件(28)弹性地连接到锚定元件。
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公开(公告)号:CN107404697A
公开(公告)日:2017-11-28
申请号:CN201611227014.2
申请日:2016-12-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 一种MEMS声换能器,其设置有:半导体材料的衬底,具有背表面和相对于垂直方向相反的前表面;形成在衬底内的第一腔,其从背表面延伸到前表面;膜,其布置在上表面处,悬置在第一腔的上方并沿着其周界锚定到衬底;以及梳齿状电极布置,其包括耦接到膜的多个可移动电极以及耦接到衬底并面向相应的可移动电极以形成感测电容器的多个固定电极,其中作为入射声波压力波的结果的膜的变形引起感测电容器的电容变化。特别地,梳齿状电极布置相对于膜垂直地放置并且平行于膜延伸。
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公开(公告)号:CN107271719A
公开(公告)日:2017-10-20
申请号:CN201610875657.1
申请日:2016-09-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01P15/08 , G01P15/125
CPC classification number: G01P15/125 , B81B3/0021 , B81B2201/0235 , B81B2203/0181 , B81B2203/04 , G01P2015/0814 , G01P2015/0831 , G01P15/08 , G01P15/0802 , G01P2015/0862
Abstract: MEMS加速度度量传感器包括承载结构以及由半导体材料制成的悬置区域。至少一个调制电极固定至承载结构并且采用指示了具有第一频率的至少一个周期性分量而偏置。由悬置区域以及由调制电极以该方式形成至少一个可变电容器以使得悬置区域经受取决于电调制信号的静电力。当加速度度量传感器经受加速度时,感测组件产生电感测信号,指示了悬垂区域相对于承载结构的位置,并且包括作为加速度以及第一频率的函数的频率调制分量。
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