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公开(公告)号：CN107976645B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201711395148.X
申请日：2013-07-11
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁场传感器，包括：芯片，包括具有第一表面和第二表面的衬底以及覆盖第一表面的绝缘层；第一磁阻器，延伸到绝缘层中并且具有主磁化轴线和副磁化轴线；第二磁阻器，延伸到绝缘层中并且具有主磁化轴线和副磁化轴线，第二磁阻器的主磁化轴线在横切于第一磁阻器的主磁化轴线的方向上延伸，并且第二磁阻器的副磁化轴线在横切于第一磁阻器的副磁化轴线的方向上延伸；第一磁场发生器，被配置为用于产生具有沿着第一磁阻器的主磁化轴线的场线的第一磁场；第二磁场发生器，被配置为用于产生具有沿着第二磁阻器的主磁化轴线的场线的第二磁场。第一磁阻器和第二磁阻器以距第一表面彼此不同的第一距离和第二距离分别延伸到绝缘层中。
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公开(公告)号：CN103543417A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310297959.1
申请日：2013-07-11
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G01R33/096 , G01R33/0017 , G01R33/0052 , G01R33/0206
Abstract: 本发明公开了一种磁场传感器，包括：芯片，包括具有第一表面和第二表面的衬底以及覆盖第一表面的绝缘层；第一磁阻器，延伸到绝缘层中并且具有主磁化轴线和副磁化轴线；第二磁阻器，延伸到绝缘层中并且具有主磁化轴线和副磁化轴线，第二磁阻器的主磁化轴线在横切于第一磁阻器的主磁化轴线的方向上延伸，并且第二磁阻器的副磁化轴线在横切于第一磁阻器的副磁化轴线的方向上延伸；第一磁场发生器，被配置为用于产生具有沿着第一磁阻器的主磁化轴线的场线的第一磁场；第二磁场发生器，被配置为用于产生具有沿着第二磁阻器的主磁化轴线的场线的第二磁场。第一磁阻器和第二磁阻器以距第一表面彼此不同的第一距离和第二距离分别延伸到绝缘层中。
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公开(公告)号：CN113406355A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110276918.9
申请日：2021-03-15
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01P15/125
Abstract: 公开了一种高抗静摩擦现象的MEMS惯性传感器。MEMS惯性传感器包括支撑结构和惯性结构。惯性结构包括至少一个惯性质量块、弹性结构和止动结构。弹性结构机械地耦合到惯性质量块和支撑结构以使得当支撑结构受到平行于第一方向的加速度时，惯性质量块能够在平行于第一方向的方向上运动。止动结构相对于支撑结构固定，并且至少包括一个主止动元件和一个次止动元件。如果加速度超过第一阈值，则惯性质量块紧靠主止动元件，并且随后围绕由主止动元件限定的旋转轴旋转。如果加速度超过第二阈值，则当惯性质量块紧靠次止动元件时，惯性质量块的旋转终止。
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公开(公告)号：CN103543417B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201310297959.1
申请日：2013-07-11
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G01R33/096 , G01R33/0017 , G01R33/0052 , G01R33/0206
Abstract: 本发明公开了一种磁场传感器，包括：芯片，包括具有第一表面和第二表面的衬底以及覆盖第一表面的绝缘层；第一磁阻器，延伸到绝缘层中并且具有主磁化轴线和副磁化轴线；第二磁阻器，延伸到绝缘层中并且具有主磁化轴线和副磁化轴线，第二磁阻器的主磁化轴线在横切于第一磁阻器的主磁化轴线的方向上延伸，并且第二磁阻器的副磁化轴线在横切于第一磁阻器的副磁化轴线的方向上延伸；第一磁场发生器，被配置为用于产生具有沿着第一磁阻器的主磁化轴线的场线的第一磁场；第二磁场发生器，被配置为用于产生具有沿着第二磁阻器的主磁化轴线的场线的第二磁场。第一磁阻器和第二磁阻器以距第一表面彼此不同的第一距离和第二距离分别延伸到绝缘层中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107976645A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711395148.X
申请日：2013-07-11
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁场传感器，包括：芯片，包括具有第一表面和第二表面的衬底以及覆盖第一表面的绝缘层；第一磁阻器，延伸到绝缘层中并且具有主磁化轴线和副磁化轴线；第二磁阻器，延伸到绝缘层中并且具有主磁化轴线和副磁化轴线，第二磁阻器的主磁化轴线在横切于第一磁阻器的主磁化轴线的方向上延伸，并且第二磁阻器的副磁化轴线在横切于第一磁阻器的副磁化轴线的方向上延伸；第一磁场发生器，被配置为用于产生具有沿着第一磁阻器的主磁化轴线的场线的第一磁场；第二磁场发生器，被配置为用于产生具有沿着第二磁阻器的主磁化轴线的场线的第二磁场。第一磁阻器和第二磁阻器以距第一表面彼此不同的第一距离和第二距离分别延伸到绝缘层中。
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公开(公告)号：CN101920927B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN200910258473.0
申请日：2009-11-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G01C19/56 , G01C19/5712 , Y10T29/49002
Abstract: 本发明涉及具有旋转传动和改善的电性质的微电子机械陀螺仪，其具有：芯片(2)，具有衬底(2)和框架(2b)，其内限定检测区域(2c)并具有沿第一水平轴(x)延伸的第一侧边；驱动块(3)，锚定到衬底(2)，设置在检测区域(2c)中，并设计成在平面(xy)内旋转，进行围绕垂直轴(z)的激励运动；第一对(16a’、16b’)和第二对(16c’、16d’)第一传感块，通过弹性支撑元件(20)悬在驱动块(3)内，以在激励运动中相对于驱动块(3)固定并响应第一角速度()执行离开平面(xy)的旋转检测运动；第一对(16a’、16b’)和第二对(16c’、16d’)第一传感块在方向(x1，x2)上对齐，相对于第一水平轴(x)具有相反符号的非零倾斜。
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公开(公告)号：CN101920927A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200910258473.0
申请日：2009-11-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G01C19/56 , G01C19/5712 , Y10T29/49002
Abstract: 本发明涉及具有旋转传动和改善的电性质的微电子机械陀螺仪，其具有：芯片(2)，具有衬底(2)和框架(2b)，其内限定检测区域(2c)并具有沿第一水平轴(x)延伸的第一侧边；驱动块(3)，锚定到衬底(2)，设置在检测区域(2c)中，并设计成在平面(xy)内旋转，进行围绕垂直轴(z)的激励运动；第一对(16a’、16b’)和第二对(16c’、16d’)第一传感块，通过弹性支撑元件(20)悬在驱动块(3)内，以在激励运动中相对于驱动块(3)固定并响应第一角速度()执行离开平面(xy)的旋转检测运动；第一对(16a’、16b’)和第二对(16c’、16d’)第一传感块在方向(x1，x2)上对齐，相对于第一水平轴(x)具有相反符号的非零倾斜。
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公开(公告)号：CN203519808U
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201320420963.8
申请日：2013-07-11
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/096 , G01R33/0017 , G01R33/0052 , G01R33/0206
Abstract: 本实用新型公开了一种磁场传感器，包括：芯片，包括具有第一表面和第二表面的衬底以及覆盖第一表面的绝缘层；第一磁阻器，延伸到绝缘层中并且具有主磁化轴线和副磁化轴线；第二磁阻器，延伸到绝缘层中并且具有主磁化轴线和副磁化轴线，第二磁阻器的主磁化轴线在横切于第一磁阻器的主磁化轴线的方向上延伸，并且第二磁阻器的副磁化轴线在横切于第一磁阻器的副磁化轴线的方向上延伸；第一磁场发生器，被配置为用于产生具有沿着第一磁阻器的主磁化轴线的场线的第一磁场；第二磁场发生器，被配置为用于产生具有沿着第二磁阻器的主磁化轴线的场线的第二磁场。第一磁阻器和第二磁阻器以距第一表面彼此不同的第一距离和第二距离分别延伸到绝缘层中。
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公开(公告)号：CN215953660U
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202120533057.3
申请日：2021-03-15
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01P15/125
Abstract: 公开了一种MEMS惯性传感器及电子设备。MEMS惯性传感器包括支撑结构和惯性结构。惯性结构包括至少一个惯性质量块、弹性结构和止动结构。弹性结构机械地耦合到惯性质量块和支撑结构以使得当支撑结构受到平行于第一方向的加速度时，惯性质量块能够在平行于第一方向的方向上运动。止动结构相对于支撑结构固定，并且至少包括一个主止动元件和一个次止动元件。如果加速度超过第一阈值，则惯性质量块紧靠主止动元件，并且随后围绕由主止动元件限定的旋转轴旋转。如果加速度超过第二阈值，则当惯性质量块紧靠次止动元件时，惯性质量块的旋转终止。该MEMS惯性传感器能够降低发生静摩擦现象的可能性，而不导致设备的总体尺寸的增加或减小设备的全量程。
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