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公开(公告)号：CN103543417B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201310297959.1
申请日：2013-07-11
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G01R33/096 , G01R33/0017 , G01R33/0052 , G01R33/0206
Abstract: 本发明公开了一种磁场传感器，包括：芯片，包括具有第一表面和第二表面的衬底以及覆盖第一表面的绝缘层；第一磁阻器，延伸到绝缘层中并且具有主磁化轴线和副磁化轴线；第二磁阻器，延伸到绝缘层中并且具有主磁化轴线和副磁化轴线，第二磁阻器的主磁化轴线在横切于第一磁阻器的主磁化轴线的方向上延伸，并且第二磁阻器的副磁化轴线在横切于第一磁阻器的副磁化轴线的方向上延伸；第一磁场发生器，被配置为用于产生具有沿着第一磁阻器的主磁化轴线的场线的第一磁场；第二磁场发生器，被配置为用于产生具有沿着第二磁阻器的主磁化轴线的场线的第二磁场。第一磁阻器和第二磁阻器以距第一表面彼此不同的第一距离和第二距离分别延伸到绝缘层中。
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公开(公告)号：CN101331080A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200680046903.7
申请日：2006-07-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0061 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81C1/0023 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/1461 , H01L2924/3025 , H04R1/04 , H04R19/005 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 在衬底级组件(22)中，半导体材料的器件衬底(20)具有顶面(20a)并包封第一集成器件(1；16)，特别地第一集成器件具有形成于器件衬底(20)之内的埋藏腔(3)以及在顶面(20a)附近悬置于埋藏腔(3)上方的膜(4)。在顶面(20a)上方将帽盖衬底(21)耦合到器件衬底(20)以便覆盖第一集成器件(1；16)，从而在膜(4)上提供第一空白空间(25)。电接触元件(28a，28b)将集成器件(1；16)与衬底级组件(22)的外部电连接。在一个实施例中，该器件衬底(20)集成至少一个具有相应膜(4′)的其他集成器件(1′，10)；并且在所述其他集成器件(1′，10)的相应膜(4′)上方提供与第一空白空间(25)流体隔离的其他空白空间(25′)。
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公开(公告)号：CN104249990B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201410314175.X
申请日：2014-06-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体国际有限公司
CPC classification number: B81B7/0061 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2207/012 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/10155 , H01L2924/15151 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了包含流体路径的MEMS器件及其制造工艺。一种MEMS器件，其中半导体材料的裸片具有第一面和第二面。在裸片中或在裸片上形成薄膜，并且该薄膜面向第一表面。帽体固定至第一裸片的第一面，并且与薄膜间隔开一定空间。裸片在其第二面上或固定至ASIC，该ASIC集成了用于处理由裸片生成的信号的电路。ASIC继而固定在支撑体上。封装区域覆盖裸片、帽体和ASIC并且将其密封与外部环境隔绝。流体路径被形成为通过支撑体、ASIC和第一裸片，并且将薄膜和裸片的第一面与外部连接，而不要求在帽体中的孔。
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公开(公告)号：CN107976645A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711395148.X
申请日：2013-07-11
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁场传感器，包括：芯片，包括具有第一表面和第二表面的衬底以及覆盖第一表面的绝缘层；第一磁阻器，延伸到绝缘层中并且具有主磁化轴线和副磁化轴线；第二磁阻器，延伸到绝缘层中并且具有主磁化轴线和副磁化轴线，第二磁阻器的主磁化轴线在横切于第一磁阻器的主磁化轴线的方向上延伸，并且第二磁阻器的副磁化轴线在横切于第一磁阻器的副磁化轴线的方向上延伸；第一磁场发生器，被配置为用于产生具有沿着第一磁阻器的主磁化轴线的场线的第一磁场；第二磁场发生器，被配置为用于产生具有沿着第二磁阻器的主磁化轴线的场线的第二磁场。第一磁阻器和第二磁阻器以距第一表面彼此不同的第一距离和第二距离分别延伸到绝缘层中。
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公开(公告)号：CN101331080B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200680046903.7
申请日：2006-07-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0061 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81C1/0023 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/1461 , H01L2924/3025 , H04R1/04 , H04R19/005 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 在衬底级组件(22)中，半导体材料的器件衬底(20)具有顶面(20a)并包封第一集成器件(1；16)，特别地第一集成器件具有形成于器件衬底(20)之内的埋藏腔(3)以及在顶面(20a)附近悬置于埋藏腔(3)上方的膜(4)。在顶面(20a)上方将帽盖衬底(21)耦合到器件衬底(20)以便覆盖第一集成器件(1；16)，从而在膜(4)上提供第一空白空间(25)。电接触元件(28a，28b)将集成器件(1；16)与衬底级组件(22)的外部电连接。在一个实施例中，该器件衬底(20)集成至少一个具有相应膜(4′)的其他集成器件(1′，10)；并且在所述其他集成器件(1′，10)的相应膜(4′)上方提供与第一空白空间(25)流体隔离的其他空白空间(25′)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103641060B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201310241823.9
申请日：2013-06-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体国际有限公司
CPC classification number: B81B3/0021 , B81C1/00158 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/16151 , H01L2924/16152 , H04R19/005 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种半导体集成器件组件(40)，其设想：封装(42)，限定内部空间(45)；第一裸片(51)，包括半导体材料；以及第二裸片(52)，与所述第一裸片(51)不同，也包括半导体材料；所述第一裸片(51)和第二裸片(52)被耦合至所述封装(42)的面向所述内部空间(45)的内表面(43a；44a)。所述第二裸片(52)被成形以便在所述内表面(43a；44a)之上部分地与所述第一裸片(51)重叠，使部分(55)以悬臂样式在所述第一裸片(51)之上悬置重叠距离(d)。
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公开(公告)号：CN103641060A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310241823.9
申请日：2013-06-14
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体国际有限公司
CPC classification number: B81B3/0021 , B81C1/00158 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/16151 , H01L2924/16152 , H04R19/005 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种半导体集成器件组件(40)，其设想：封装(42)，限定内部空间(45)；第一裸片(51)，包括半导体材料；以及第二裸片(52)，与所述第一裸片(51)不同，也包括半导体材料；所述第一裸片(51)和第二裸片(52)被耦合至所述封装(42)的面向所述内部空间(45)的内表面(43a；44a)。所述第二裸片(52)被成形以便在所述内表面(43a；44a)之上部分地与所述第一裸片(51)重叠，使部分(55)以悬臂样式在所述第一裸片(51)之上悬置重叠距离(d)。
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公开(公告)号：CN114572928A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111430582.3
申请日：2021-11-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体国际有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括：基底；集成到基底中的换能微结构；接合到基底以及具有邻近第一基底以及第二外部表面的盖；以及穿过盖从第二面延伸到第一并且与换能微结构连通的通道。可透过气态物质的多孔多晶硅微结构的保护膜跨过通道被设置。
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公开(公告)号：CN107976645B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201711395148.X
申请日：2013-07-11
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁场传感器，包括：芯片，包括具有第一表面和第二表面的衬底以及覆盖第一表面的绝缘层；第一磁阻器，延伸到绝缘层中并且具有主磁化轴线和副磁化轴线；第二磁阻器，延伸到绝缘层中并且具有主磁化轴线和副磁化轴线，第二磁阻器的主磁化轴线在横切于第一磁阻器的主磁化轴线的方向上延伸，并且第二磁阻器的副磁化轴线在横切于第一磁阻器的副磁化轴线的方向上延伸；第一磁场发生器，被配置为用于产生具有沿着第一磁阻器的主磁化轴线的场线的第一磁场；第二磁场发生器，被配置为用于产生具有沿着第二磁阻器的主磁化轴线的场线的第二磁场。第一磁阻器和第二磁阻器以距第一表面彼此不同的第一距离和第二距离分别延伸到绝缘层中。
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公开(公告)号：CN104249990A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410314175.X
申请日：2014-06-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体国际有限公司
CPC classification number: B81B7/0061 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2207/012 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/10155 , H01L2924/15151 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了包含流体路径的MEMS器件及其制造工艺。一种MEMS器件，其中半导体材料的裸片具有第一面和第二面。在裸片中或在裸片上形成薄膜，并且该薄膜面向第一表面。帽体固定至第一裸片的第一面，并且与薄膜间隔开一定空间。裸片在其第二面上或固定至ASIC，该ASIC集成了用于处理由裸片生成的信号的电路。ASIC继而固定在支撑体上。封装区域覆盖裸片、帽体和ASIC并且将其密封与外部环境隔绝。流体路径被形成为通过支撑体、ASIC和第一裸片，并且将薄膜和裸片的第一面与外部连接，而不要求在帽体中的孔。
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