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公开(公告)号：CN118266068A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202280076421.5
申请日：2022-11-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 本文提供了用于基板支撑件中的气体输送的多孔塞和结合所述多孔塞的基板支撑件和基板处理腔室。在一些实施例中，用于基板支撑件的多孔塞包括：多孔中心通路；以及实心外壳，所述实心外壳接合至所述多孔中心通路且围绕所述多孔中心通路，使得所述多孔中心通路与所述实心外壳之间沿着所述多孔塞的整体长度没有连续的间隙，其中所述实心外壳包括设置于所述实心外壳的末端上的密封表面，以便于沿着所述密封表面且围绕所述多孔中心通路形成密封。在一些实施例中，可绕着所述实心外壳的外表面形成一个或多个O形环保持沟槽。
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公开(公告)号：CN116711062A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202280008136.X
申请日：2022-03-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 本文提供了用于基板处理腔室的升降杆机构的方法和设备。在一些实施例中，升降杆机构包括升降杆，所述升降杆包括轴，所述轴具有顶端、底端和在底端处的耦接端；波纹管组件设置在轴周围。波纹管组件包括：上波纹管凸缘，所述上波纹管凸缘具有开口以用于轴的轴向移动；波纹管，所述波纹管具有第一端，所述第一端耦接到上波纹管凸缘的下表面，使得轴延伸到由波纹管围绕的中心空间中；以及波纹管引导组件，所述波纹管引导组件耦接到波纹管的第二端以密封中心空间。轴在耦接端处耦接到波纹管引导组件。波纹管引导组件可轴向移动以相对于上波纹管凸缘移动升降杆。
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公开(公告)号：CN116504679A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310566128.3
申请日：2018-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： T·J·富兰克林
IPC: H01L21/67 , H01L21/324 , H01L21/687 , C23C16/458 , C23C16/56
Abstract: 公开内容的实施例总体涉及用于填充基板上的缝隙和沟槽的方法和设备以及用于批次退火基板的工具。在一个实施例中，公开的批次处理腔室包括下壳、穿过下壳形成的基板移送端口、设置于下壳上的上壳、设置于上壳内的内壳、操作用来加热内壳的加热器、可移动地设置于下壳内的升降板、设置于升降板上且被配置以固持多个基板于内腔室内的匣以及注入端口。内壳与上壳界定外腔室，而内壳与下壳界定部分地由外腔室所包围的内腔室。注入端口被配置以将流体引入内腔室。
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公开(公告)号：CN108074792B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201711021998.3
申请日：2017-10-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
Abstract: 公开了热重复性和原位喷头温度监测。本文中描述的实施例总体涉及一种基板处理设备，并且更具体地涉及一种用于基板处理设备的改进喷头组件。喷头组件包括气体分配板和一个或多个温度检测组件。气体分配板包括具有顶表面和底表面的主体。一个或多个温度检测组件与气体分配板的顶表面对接，使得在气体分配板与一个或多个温度检测组件中的每一者之间形成热结合。每个温度检测组件包括突出特征和温度探测器。突出特征与气体分配板的顶表面对接，使得轴向负载沿着突出特征的轴线而放置在气体分配板上。温度探测器定位在突出特征的主体中。
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公开(公告)号：CN110574150A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201880028790.0
申请日：2018-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： T·J·富兰克林
Abstract: 公开内容的实施例总体涉及用于填充基板上的缝隙和沟槽的方法和设备以及用于批次退火基板的工具。在一个实施例中，公开的批次处理腔室包括下壳、穿过下壳形成的基板移送端口、设置于下壳上的上壳、设置于上壳内的内壳、操作用来加热内壳的加热器、可移动地设置于下壳内的升降板、设置于升降板上且被配置以固持多个基板于内腔室内的匣以及注入端口。内壳与上壳界定外腔室，而内壳与下壳界定部分地由外腔室所包围的内腔室。注入端口被配置以将流体引入内腔室。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118355148A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202280080846.3
申请日：2022-12-02
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 一种方法包括：将第一材料的第一层沉积至处理腔室的腔室部件的表面上。第一材料包括聚合物，所述聚合物具有至少40MV/m的介电强度。所述方法进一步包括：将第二材料的第二层沉积至第一层上。第二材料包括第一陶瓷材料，第一陶瓷材料注入至第一聚合物或第二聚合物内。所述方法进一步包括：沉积第三层。第三层是第三材料。第三材料包括第一陶瓷材料或第二陶瓷材料。第三材料不附着至第一聚合物或第二聚合物。第三材料附着至第二层的第一陶瓷材料或第二陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN116964726A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202280020626.1
申请日：2022-03-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 提供了用于基板处理腔室的升降销组件的方法和设备。在一些实施例中，升降销组件包括：升降销，所述升降销包括轴、头部和耦接端，所述头部被配置成抵靠在静电吸盘上；上引导件，所述上引导件包括顶端、底端和第一开口，所述第一开口从顶端延伸到底端，其中所述轴被设置并且可轴向移动穿过第一开口；下引导件，所述下引导件包括顶端、底端、第二开口和第三开口，第二开口和第三开口从顶端延伸至底端，其中第三开口大于第二开口，并且其中轴被设置并且可轴向移动穿过第二开口和第三开口；以及偏置机构，所述偏置机构耦接到轴并且被配置成将升降销偏置朝向静电吸盘。
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公开(公告)号：CN116261780A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202180064596.X
申请日：2021-09-23
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本文提供了用于在基板处理腔室中使用的部件的实施例。在一些实施例中，一种用于在基板处理腔室中使用的部件包括：主体，所述主体具有从所述主体的顶表面部分地延伸穿过所述主体的开口，其中所述开口包含螺纹部分，所述螺纹部分用于将所述主体紧固到第二处理腔室部件，其中所述螺纹部分包含多个螺纹，所述多个螺纹限定多个圆形峰部与多个圆形根部，并且其中所述螺纹部分的深度是所述多个圆形峰部中的圆形峰部与所述多个圆形根部中的相邻根部之间的径向距离，所述螺纹部分的所述深度从第一深度减小到在所述多个螺纹中的最后螺纹处的第二深度。
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公开(公告)号：CN115362533A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202180026044.X
申请日：2021-04-01
Applicant: 应用材料公司
Inventor： T·J·富兰克林
IPC: H01L21/304 , H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本文提供用于形成穿过基板的孔的方法及装置。在某些实施例中，一种在处理腔室中使用的基板中形成孔的方法包括：使用第一钻机在基板中部分地形成多个孔，以从基板的第一侧至基板的相对第二侧形成穿过基板的多个粗略孔；将基板定位于第二钻机与第三钻机之间；使用第二钻机，以从基板的第一侧至沿着多个粗略孔的每个孔的长度至少一半的第一位置，修整多个粗略孔；及使用第三钻机，以从基板的第二侧至沿着多个粗略孔的每个孔的长度的至少第一位置，修整多个粗略孔。
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公开(公告)号：CN111373519B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201880072145.9
申请日：2018-10-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/673
Abstract: 本文提供用于退火半导体基板的设备，例如批处理腔室。批处理腔室包含：腔室主体，封闭内部容积；匣，可移动地设置于内部容积内；以及栓塞，耦合至该匣的底部壁。腔室主体具有穿过腔室主体的底部壁的孔洞，并且与一个或更多个加热器交界，该加热器可操作以维持腔室主体处于大于290℃的温度。该匣经配置以升高以在该匣上装载多个基板以及降低以密封内部容积。该栓塞经配置以在内部容积内上下移动。该栓塞包含面向下的密封，该密封经配置以与腔室主体的底部壁的顶部表面接合并且关闭穿过腔室主体的底部壁的孔洞。
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