公开(公告)号：CN107430991A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680011251.7

申请日：2016-01-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 梁璟梅 ,  J·C·李 ,  郭津睿 ,  M·斯利尼瓦萨恩

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/50

CPC classification number: C23C16/045 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/483 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56 ,  H01L21/205 ,  C23C16/50

Abstract: 描述用于循环的沉积和固化工艺的方法。本文描述的实施方案提供用于填充形成在基板上的特征的循环连续沉积和固化工艺。填充特征以确保在形成在基板上的集成电路中的特征的电绝缘。本文描述的工艺使用的可流动膜沉积工艺可有效减小在形成在基板上的特征中产生的空隙或接缝。然而，使用可流动膜的传统缝隙填充方法通常包含具有不良物理和电性质的电介质材料。特别是，膜密度是不均匀的，横跨膜厚度的膜介电常数不同，膜稳定性不理想，膜折射率不一致，而且传统的可流动膜中的耐稀释氢氟酸(DHF)性并不理想。循环连续沉积和固化工艺解决本文描述的问题以形成质量较高且寿命增长的膜。

公开(公告)号：CN106575634A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580043795.7

申请日：2015-08-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Z·J·叶 ,  J·D·平森二世 ,  塙广二 ,  周建华 ,  林兴 ,  段仁官 ,  K·D·李 ,  金柏涵 ,  S·P·贝海拉 ,  S·哈 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  P·K·库尔施拉希萨 ,  J·K·福斯特 ,  M·斯利尼瓦萨恩 ,  U·P·哈勒 ,  H·K·博尼坎帝

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01L21/68757 ,  H02N13/00

Abstract: 本公开的实施例提供了一种用于在高温下维持在等离子体反应器中处理的基板的平坦度的静电卡盘。在一个实施例中，所述静电卡盘包括：耦接到支撑杆的卡盘主体，所述卡盘主体具有基板支撑表面，并且所述卡盘主体在约250℃至约700℃的温度下具有约1×107ohm‑cm至约1×1015ohm‑cm的体电阻率值；以及电极，所述电极嵌在所述主体中，所述电极耦接到电源。在一个示例中，所述卡盘主体由氮化铝材料组成，已经观察到氮化铝材料在沉积或蚀刻工艺、或者使用高操作温度和基板夹持特征两者的任何其他工艺期间，能够在约600℃或更高温度下优化卡持性能。