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公开(公告)号：CN110473762A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910392379.8
申请日：2019-05-10
申请人： 应用材料公司
摘要： 本发明涉及使用具有电流返回输出级的脉冲发生器来控制离子能量分布的方法。本公开内容的实施方式描述了一种电极偏置方案，其能够维持几乎恒定的鞘层电压，并因此在基板的表面处产生单能IEDF，因而能够精确控制IEDF的形状和在基板表面中形成的特征的轮廓。
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公开(公告)号：CN108376657A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201711214844.6
申请日：2017-11-28
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683
摘要： 本文中描述的实施例大体涉及一种基板处理设备。在一个实施例中，本文中公开了一种用于基板处理腔室的工艺套件。工艺套件包括：环，环具有第一环部件和第二环部件；可调整调谐环；以及致动机构。第一环部件与第二环部件对接，使得第二环部件相对于第一环部件是可移动的，从而在这两者之间形成间隙。可调整调谐环定位在环下方并且接触第二环部件的底表面。可调整调谐环的顶表面接触第二环部件。致动机构与可调整调谐环的底表面对接。致动机构被配置为致动可调整调谐环，使得第一环部件与第二环部件之间的间隙变化。
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公开(公告)号：CN106997842A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201710048220.5
申请日：2017-01-20
申请人： 应用材料公司
发明人： J·罗杰斯
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01L21/6833 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32146 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32577 , H01J37/32605 , H01J37/32697 , H01J37/32715 , H01J37/3288 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01L21/67017 , H01L21/67103 , H01L21/6719 , H01L21/6831 , H01L21/68735 , H01L21/68785 , H01J37/32431 , H01J37/32477 , H01J37/32532
摘要： 本公开总体上涉及控制边缘环的射频(RF)振幅的装置和方法。装置和方法包括通过可变电容器耦接到接地的电极。所述电极可以是环形的并且嵌入在基板支撑件中，所述基板支撑件包括静电卡盘。所述电极可定位于基板和/或所述边缘环的周边下方。当等离子体壳层由于边缘环侵蚀而相邻于所述边缘环下降时，调整可变电容器的电容以便影响靠近所述基板边缘的RF振幅。经由所述电极和可变电容器对RF振幅的调整引起所述基板周边附近的等离子体壳层的调整。
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公开(公告)号：CN118335584A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410434006.3
申请日：2020-01-07
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本文描述的实施例提供了用于在等离子体辅助处理基板期间控制毗邻基板的圆周边缘的处理结果分布的方法和设备。在一实施例中，基板支撑组件具有第一底板和围绕第一底板的第二底板的特征。第一底板和第二底板均具有设置在其中的一个或更多个相应的第一冷却和第二冷却。基板支撑组件的特征进一步具有设置在第一底板上并与第一底板热耦合的基板支撑件以及设置在第二底板上并与第二底板热耦合的偏压环。在此，基板支撑件和偏压环均由介电材料形成。基板支撑组件进一步包括：边缘环偏置电极，其嵌入偏压环的介电材料中；以及边缘环，其设置在偏压环上。
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公开(公告)号：CN118299246A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410403309.9
申请日：2019-09-18
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/3065
摘要： 本公开内容涉及相对于位于处理腔室内的基板支撑件上的基板来操纵边缘环处的电压的设备和方法。设备包括基板支撑组件，基板支撑组件具有主体，主体具有嵌入在主体中的基板电极以用于向基板施加电压。基板支撑组件的主体另外具有嵌入在主体中的边缘环电极以用于向边缘环施加电压。设备进一步包括耦合到边缘环电极的边缘环电压控制电路。基板电压控制电路耦合到基板电极。边缘环电压控制电路和基板电压控制电路独立地可调谐，以在边缘环电压与基板电压之间产生电压差。
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公开(公告)号：CN116250059A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202180060516.3
申请日：2021-10-13
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本公开的实施例大体上涉及用于在等离子体处理期间控制离子能量分布的装置和方法。在实施例中，装置包括具有主体的基板支撑件，所述主体具有用于将基板电压施加到基板的基板电极和被嵌入以用于将边缘环电压施加到边缘环的边缘环电极。装置进一步包括耦合到基板电极的基板电压控制电路和耦合到边缘环电极的边缘环电压控制电路。基板电极、边缘环电极、或两者耦合到被配置为主动地控制到达基板、边缘环、或两者的离子的能量分布函数宽度的功率模块。还描述了用于在基板处理期间控制离子的能量分布函数宽度的方法。
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公开(公告)号：CN113039626A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202080006038.3
申请日：2020-01-07
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本文描述的实施例提供了用于在等离子体辅助处理基板期间控制毗邻基板的圆周边缘的处理结果分布的方法和设备。在一实施例中，基板支撑组件具有第一底板和围绕第一底板的第二底板的特征。第一底板和第二底板均具有设置在其中的一个或更多个相应的第一冷却和第二冷却。基板支撑组件的特征进一步具有设置在第一底板上并与第一底板热耦合的基板支撑件以及设置在第二底板上并与第二底板热耦合的偏压环。在此，基板支撑件和偏压环均由介电材料形成。基板支撑组件进一步包括：边缘环偏置电极，其嵌入偏压环的介电材料中；以及边缘环，其设置在偏压环上。
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公开(公告)号：CN108206148A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201711213957.4
申请日：2017-11-28
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683
CPC分类号： H01J37/32642 , H01J37/32 , H01J37/32082 , H01J37/32449 , H01J37/32513 , H01J37/32522 , H01J2237/334 , H01L21/67005 , H01L21/683 , H01L2221/67 , H01L2221/683
摘要： 公开了用于边缘均匀性控制的可调整的延伸电极。本文中描述的实施例大体涉及一种基板处理设备。在一个实施例中，本文中公开了一种用于基板处理腔室的工艺套件。工艺套件包括：第一环，所述第一环具有顶表面和底表面；可调整调谐环，所述可调整调谐环具有顶表面和底表面；以及致动机构。底表面由基板支撑构件支撑。底表面至少部分地延伸到由基板支撑构件支撑的基板下方。可调整调谐环定位在第一环下方。可调整调谐环的顶表面与第一环限定可调整的间隙。致动机构与可调整调谐环的底表面对接。致动机构被配置为更改限定在第一环的底表面与可调整调谐环的顶表面之间的可调整的间隙。
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