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公开(公告)号：CN113169111A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980080012.0
申请日：2019-12-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/324 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本文提供了具有改善ESC与基板之间的热耦合的内部气体通道的静电吸盘(ESC)的实施方式，以及包含该静电吸盘的基板支撑件和处理腔室。在一些实施方式中，静电吸盘包括电极、介电体与气体分配通道，该介电体具有圆盘形状并覆盖该电极，该介电体包含中心区域和周围区域，且该介电体包含下表面与上表面，该下表面具有中心开口，该上表面在该中心区域中具有第一开口以及在该周围区域中具有多个第二开口，其中该上表面包含多个突部，且该多个第二开口中的各者的直径大于25.0密耳，气体分配通道从下表面延伸到上表面，以在介电体内限定气室。
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公开(公告)号：CN111183512A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201880064782.1
申请日：2018-09-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 提供了基板支撑件和配备所述基板支撑件的处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，基板支撑件包括：支撑主体，具有第一表面；一个或多个插孔，延伸穿过第一表面并且进入支撑主体；和一个或多个突起，分别设置在一个或多个插孔中的对应插孔内并且从第一表面突出，其中一个或多个突起在第一表面上方至少部分地限定大体上平坦的支撑表面。还公开了消除背侧晶片损坏的方法。
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公开(公告)号：CN107112189B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201580071068.1
申请日：2015-11-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 用于等离子体处理半导体基板的设备。该设备的情形包括上屏蔽件，上屏蔽件具有布置于上屏蔽件中心的气体扩散器。气体扩散器与上屏蔽件允许处理气体以层流的方式进入处理腔室。上屏蔽件剖面促进处理气体的径向扩散和自基板表面蚀刻来的材料的径向移动。上屏蔽件的曲率引导蚀刻的材料至下屏蔽件，减少蚀刻的材料沉积于上屏蔽件上。下屏蔽件亦包括将蚀刻的材料引导往狭槽的弯曲表面，而使蚀刻的材料能够自处理腔室离开，减少蚀刻的材料沉积于下屏蔽件上。
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公开(公告)号：CN113166927B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201980083200.9
申请日：2019-12-12
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 大卫·冈瑟 , 蔡振雄 , 克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚
Abstract: 本文提供了处理配件的实施方式。在一些实施方式中，一种处理配件包括：沉积环，沉积环被配置为设置在基板支撑件上，沉积环包括：环形带，环形带被配置为置放在基板支撑件的下凸缘上，环形带具有上表面和下表面，下表面在径向内部和径向外部之间包括台阶；内唇部，内唇部从环形带的上表面向上延伸并与环形带的内表面相邻，其中环形带的上表面与内唇部的上表面的水平部分之间的深度在约6.0mm至约12.0mm之间；通道，通道设置在环形带的径向外侧和下方；及外唇部，外唇部向上延伸并设置在通道的径向外侧。
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公开(公告)号：CN113994461A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202080044325.3
申请日：2020-05-18
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供用于基板处理腔室的方法和设备。在一些实施例中，基板处理腔室包括腔室主体，所述腔室主体具有侧壁，所述侧壁限定具有多边形形状的内部体积；设置在腔室主体的上部中的可选择性密封的细长开口以用于将一个或多个基板转移进入或离开腔室主体；设置在腔室主体的第一端处的漏斗，其中漏斗的尺寸沿着从腔室主体的外表面到内部体积的方向增大；以及设置在与漏斗相对的腔室主体的第二端处的泵端口。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107210180B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201680009239.2
申请日：2016-02-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿拉维德·米亚尔·卡马斯 , 蔡振雄 , 贾勒帕里·拉维 , 松下智治 , 雨·常
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本文提供一种用于处理基板的设备。在一些实施方式中，基板支撑件包括具有支撑表面的主体；设置在主体中并靠近支撑表面的RF电极，以接收来自RF源的RF电流；用于支撑主体的轴；具有内部空间且延伸通过轴的导电元件，其中所述导电元件耦接至RF电极；以及RF垫片；其中所述导电元件包含啮合RF垫片以将RF电流返回到接地的特征。
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公开(公告)号：CN107112262A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580068865.4
申请日：2015-10-22
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H05B3/26 , H01L21/67103 , H05B2203/037 , H01L2221/683
Abstract: 本文提供基板支撑件的实施方式。在某些实施方式中，基板支撑件可包括具有支撑表面的主体；及第一加热器，第一加热器设置于主体内且具有第一加热线圈与多个加热区，其中第一加热线圈的绕组间距在多个加热区之间变化，以界定多个加热区之间的预定加热比率。
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公开(公告)号：CN106935541A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201611012176.4
申请日：2014-11-21
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 戈文达·瑞泽 , 蔡振雄 , 罗伯特·T·海拉哈拉 , 凯瑟拉·拉马亚·纳伦德纳斯 , 曼朱纳塔·科普帕 , 罗斯·马歇尔
IPC: H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 具体实施方式涉及静电卡盘表面，所述静电卡盘表面具有最小接触面积特征。更具体地，本发明的具体实施方式提供用于提供颗粒生成减少和基板和卡紧设备的磨损减少的静电卡盘组件，所述静电卡盘组件具有凸起伸长的表面特征图案。
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公开(公告)号：CN113994461B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202080044325.3
申请日：2020-05-18
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文提供用于基板处理腔室的方法和设备。在一些实施例中，基板处理腔室包括腔室主体，所述腔室主体具有侧壁，所述侧壁限定具有多边形形状的内部体积；设置在腔室主体的上部中的可选择性密封的细长开口以用于将一个或多个基板转移进入或离开腔室主体；设置在腔室主体的第一端处的漏斗，其中漏斗的尺寸沿着从腔室主体的外表面到内部体积的方向增大；以及设置在与漏斗相对的腔室主体的第二端处的泵端口。
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公开(公告)号：CN110462810B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN201880016511.9
申请日：2018-02-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本文提供用于基板处理系统中的基板支撑件的基板位置校准的方法与设备。一些实施方式中，一种用于在基板支撑件上定位基板的方法包括：通过重复地将基板放置于基板支撑件上的位置且将所述基板真空吸附至所述基板支撑件及测量背侧压力，而获得多个背侧压力值，所述背侧压力值对应于所述基板支撑件上的多个不同
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