从晶片转移纳米结构至透明基板

    公开(公告)号:CN113728250B

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202080031521.7

    申请日:2020-02-24

    Abstract: 本公开内容的实施方式大体上涉及形成光学器件的方法,光学器件包含设置在透明基板上的纳米结构。提供基板作为用于形成光学器件的底座。透明层设置在基板的第一表面上,以及结构层设置在透明表面上。氧化物层设置在基板的与第一表面相反的第二表面上,以及在氧化物层中形成窗口或开口,以暴露出基板的第二表面的一部分。接着,在结构层中形成多个纳米结构,以及移除基板的从窗口延伸至透明层的部分。然后,使透明层的一部分与基板分离以形成光学器件,透明层的该部分具有设置在其上的纳米结构。

    掩模定向
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114930253A

    公开(公告)日:2022-08-19

    申请号:CN202080090426.4

    申请日:2020-12-08

    Abstract: 提供了一种在基板上形成图案化特征的方法。该方法包括以下步骤:将布置在掩模布局中的多个掩模定位在基板上方。基板定位在第一平面中,且多个掩模定位在第二平面中,掩模布局中的多个掩模具有多个边缘,多个边缘各自平行于第一平面且平行或垂直于基板上的对准特征延伸,基板包括多个分区,多个分区被配置为被引导通过布置在掩模布局中的掩模的能量图案化。该方法进一步包括以下步骤:通过基板上方的掩模布局中布置的多个掩模向多个分区引导能量,以在多个分区的各者中形成多个图案化特征。

    用于平板光学器件制造的光刻胶负载方案

    公开(公告)号:CN113906350A

    公开(公告)日:2022-01-07

    申请号:CN202080040885.1

    申请日:2020-05-21

    Abstract: 本公开内容的实施方式涉及制造光学装置的方法。此方法的一个实施方式包括在基板的表面上设置结构材料层和在结构材料层上方设置图案化光刻胶。图案化光刻胶具有至少一个装置部分与至少一个辅助部分。各装置部分与各辅助部分暴露结构材料层的未掩蔽部分。对应于各装置部分与各辅助部分的结构材料层的未掩蔽部分被蚀刻。蚀刻未掩蔽部分形成具有装置结构与至少一个辅助区的至少一个光学装置,该装置结构对应于至少一个装置部分的未掩蔽部分,该至少一个辅助区具有对应于至少一个辅助部分的未掩蔽部分的辅助结构。

    沟槽中薄膜沉积的方法
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113677825A

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN202080027992.0

    申请日:2020-02-19

    Abstract: 本公开内容的实施方式总体涉及在沉积、蚀刻和/或固化工艺期间利用掩模来处理含有基板的工件,以在工件上具有局部的沉积。将掩模放置在工件的第一层上,所述掩模保护复数个沟槽免受第二层的沉积的影响。在一些实施方式中,在第二层的沉积之前放置掩模。在其他实施方式中,在沉积掩模之前使第二层固化。在其他实施方式中,在沉积掩模之后蚀刻第二层。本文中所公开的方法允许在工件中所存在的沟槽中的一些中沉积第二层,而同时至少部分地防止在工件中所存在的其他沟槽中沉积第二层。

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