公开(公告)号：CN113677825A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202080027992.0

申请日：2020-02-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 郭津睿 ,  卢多维克·戈代 ,  罗格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森 ,  徐永安 ,  杨政翰 ,  陈建安

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/56 ,  G02B1/10

Abstract: 本公开内容的实施方式总体涉及在沉积、蚀刻和/或固化工艺期间利用掩模来处理含有基板的工件，以在工件上具有局部的沉积。将掩模放置在工件的第一层上，所述掩模保护复数个沟槽免受第二层的沉积的影响。在一些实施方式中，在第二层的沉积之前放置掩模。在其他实施方式中，在沉积掩模之前使第二层固化。在其他实施方式中，在沉积掩模之后蚀刻第二层。本文中所公开的方法允许在工件中所存在的沟槽中的一些中沉积第二层，而同时至少部分地防止在工件中所存在的其他沟槽中沉积第二层。

公开(公告)号：CN116635787A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202180086387.5

申请日：2021-11-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 徐永安 ,  傅晋欣 ,  杨政翰 ,  卢多维克·戈代

IPC: G03F7/00

Abstract: 本公开内容总体涉及形成光学装置的方法，所述光学装置包含设置在透明基板上的纳米结构。一种形成纳米结构的第一工艺包含在玻璃基板上沉积第一材料的第一层；在所述第一层中形成一或多个沟槽；和在一或多个孔至沟槽中沉积第二材料的第二层，交替的第一材料的第一部分和第二材料的第二部分的第一交替层。将第一工艺重复一或多次，以在第一交替层之上形成额外的交替层。每个交替层的每个第一部分设置成与相邻交替层中的相邻第一部分接触并且从所述相邻第一部分偏移一段距离。第二工艺包含从每个交替层移除第一部分或第二部分以形成多个纳米结构。

公开(公告)号：CN117413208A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202280019598.1

申请日：2022-01-31

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 张振毅 ,  詹姆斯·康诺利 ,  陈建安 ,  安德鲁·塞巴洛斯 ,  江靖 ,  杨政翰 ,  徐永安

IPC: G02B1/12

Abstract: 本文所述的实施方式涉及具有涂覆层的平面光学装置，所述涂覆层包括单层，所述单层选自由以下项组成的组：二硫化钼(MoS2)、二硫化钨(WS2)、二硒化钨(WSe2)、二硒化钼(MoSe2)、二碲化钼(MoTe2)、二硫化钛(TiS2)、二硫化锆(ZrS2)、二硒化锆(ZrSe2)、二硫化铪(HfS2)、二硫化铂(PtS2)、二硫化锡(SnS2)或它们的组合。所述涂覆层设置在所述光学装置的多个光学装置结构之上。所述单层可在材料之间交替以形成所述涂覆层或可以是单一材料的均匀涂覆层。所述涂覆层设置在所述多个光学装置结构中的每个光学装置结构之上。

公开(公告)号：CN113677825B

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202080027992.0

申请日：2020-02-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 郭津睿 ,  卢多维克·戈代 ,  罗格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森 ,  徐永安 ,  杨政翰 ,  陈建安

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/56 ,  G02B1/10

Abstract: 本公开内容的实施方式总体涉及在沉积、蚀刻和/或固化工艺期间利用掩模来处理含有基板的工件，以在工件上具有局部的沉积。将掩模放置在工件的第一层上，所述掩模保护复数个沟槽免受第二层的沉积的影响。在一些实施方式中，在第二层的沉积之前放置掩模。在其他实施方式中，在沉积掩模之前使第二层固化。在其他实施方式中，在沉积掩模之后蚀刻第二层。本文中所公开的方法允许在工件中所存在的沟槽中的一些中沉积第二层，而同时至少部分地防止在工件中所存在的其他沟槽中沉积第二层。