用于增加高指数纳米压印平板印刷术膜密度的方法

    公开(公告)号:CN115516374A

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202180029852.1

    申请日:2021-02-23

    Abstract: 本公开内容的多个实施方式一般涉及致密纳米压印膜和用于制作这些致密纳米压印膜的工艺,和含有致密纳米压印膜的光学装置。在一个或多个实施方式中,致密纳米压印膜含有基底纳米压印膜和设置在基底纳米压印膜上和纳米颗粒之间的金属氧化物。基底纳米压印膜含有纳米颗粒,其中纳米颗粒含有氧化钛、氧化锆、氧化铌、氧化钽、氧化铪、氧化铬、铟锡氧化物、氮化硅或它们的任何组合。金属氧化物含有氧化铝、氧化钛、氧化锆、氧化铌、氧化钽、氧化铟、铟锡氧化物、氧化铪、氧化铬、氧化钪、氧化锡、氧化锌、氧化钇、氧化镨、氧化镁、氧化硅、氮化硅、氧氮化硅或它们的任何组合。

    具有含硅光学装置结构的涂覆过渡金属二硫属化物的平面光学装置

    公开(公告)号:CN117413208A

    公开(公告)日:2024-01-16

    申请号:CN202280019598.1

    申请日:2022-01-31

    Abstract: 本文所述的实施方式涉及具有涂覆层的平面光学装置,所述涂覆层包括单层,所述单层选自由以下项组成的组:二硫化钼(MoS2)、二硫化钨(WS2)、二硒化钨(WSe2)、二硒化钼(MoSe2)、二碲化钼(MoTe2)、二硫化钛(TiS2)、二硫化锆(ZrS2)、二硒化锆(ZrSe2)、二硫化铪(HfS2)、二硫化铂(PtS2)、二硫化锡(SnS2)或它们的组合。所述涂覆层设置在所述光学装置的多个光学装置结构之上。所述单层可在材料之间交替以形成所述涂覆层或可以是单一材料的均匀涂覆层。所述涂覆层设置在所述多个光学装置结构中的每个光学装置结构之上。

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