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公开(公告)号：CN111699430A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201980012469.8
申请日：2019-01-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 卡尔·J·阿姆斯特朗 , 傅晋欣 , 威尔逊·班茨
IPC: G02B26/00
Abstract: 在此所述的实施方式涉及光学器件制作的方法及材料。在一个实施方式中，提供一种制作光学器件的方法。方法包括在基板上沉积介电膜，在介电膜上沉积润湿层，及在润湿层上沉积含金属膜。在另一实施方式中，提供一种光学器件。器件包括基板，沉积在基板上且接触基板的介电膜，沉积在介电膜上且接触介电膜的润湿层，和沉积在润湿层上且接触润湿层的含金属膜。
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公开(公告)号：CN115718334A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202211304207.9
申请日：2020-04-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 卡尔·J·阿姆斯特朗 , 卢多维克·戈代 , 布莱恩·亚历山大·科恩 , 韦恩·麦克米兰 , 詹姆斯·D·斯特拉斯纳 , 本杰明·里奥登
Abstract: 本公开内容的实施方式涉及形成用于制造光学装置的多深度膜。一个实施方式包含在基板的表面上设置装置材料的基底层。装置材料的一个或多个心轴设置在基底层上。设置一个或多个心轴的步骤包含在基底层上方定位掩模。在掩模位于基底层上方的情况下沉积装置材料以形成光学装置，该光学装置具有具基底层深度的基底层及具有第一心轴深度与第二心轴深度的一个或多个心轴。
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公开(公告)号：CN119742321A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411770844.4
申请日：2018-10-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： G·K·戈帕拉克里希南·奈尔 , 苏布拉曼亚·P·赫尔勒 , 卡尔·J·阿姆斯特朗
IPC: H01M4/1395 , H01M4/134 , H01M4/62 , H01M4/66 , H01M10/0525 , H01M10/42
Abstract: 本文所描述的实现方式总体涉及金属电极，更具体地涉及含锂阳极、包括前述含锂电极的诸如二次电池的高性能电化学装置，及其制造方法。在一个实现方式中，提供了一种阳极电极结构。所述阳极电极结构包括包含铜的集流体。所述阳极电极结构进一步包括形成在所述集流体上的锂金属膜。所述阳极电极结构进一步包括形成在所述锂金属膜上的固体电解质界面(SEI)膜堆叠。所述SEI膜堆叠包括形成在所述锂金属膜上的硫族化物膜。在一个实现方式中，所述SEI膜堆叠进一步包括形成在所述硫族化物膜上的氧化锂膜。在一个实现方式中，所述SEI膜堆叠进一步包括形成在所述氧化锂膜上的碳酸锂膜。
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公开(公告)号：CN116829991A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202180093415.6
申请日：2021-11-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 卡尔·J·阿姆斯特朗 , 大野贤一 , 阿列克谢·阿迪琳·波蒂洛·里维拉 , 安德鲁•塞巴洛斯 , 拉米•胡拉尼 , 布莱恩·亚历山大·科恩
IPC: G02B5/08
Abstract: 本发明的实施方式总体涉及经封装光学装置及用于制造经封装光学装置的方法。在一或多个实施方式中，用于封装光学装置的方法包括在基板上沉积金属银层、在金属银层上沉积阻挡层，其中阻挡层含有氮化硅、金属元素、金属氮化物、或前述物的任何组合、及在阻挡层上沉积含有氧化硅的封装层。
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公开(公告)号：CN115698369A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180039600.7
申请日：2021-06-30
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 安德鲁·塞巴洛斯 , 卢多维克·戈代 , 卡尔·J·阿姆斯特朗 , 拉米·胡拉尼
Abstract: 本公开内容的实施方式一般涉及用于光学器件制造的方法及材料。更具体而言，本文描述的实施方式提供了光学膜沉积方法及材料，其经由通过在沉积期间抑制光学材料的晶体生长来掺入掺杂原子，从而扩大非晶光学膜沉积的处理窗口。通过使非晶膜能够在更高温度下沉积，能够实现显著的成本节省及产量增加。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111316478A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201880071709.7
申请日：2018-10-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： G·K·戈帕拉克里希南·奈尔 , 苏布拉曼亚·P·赫尔勒 , 卡尔·J·阿姆斯特朗
IPC: H01M4/1395 , H01M4/134 , H01M4/62 , H01M4/66 , H01M10/052 , H01M4/38
Abstract: 本文所描述的实现方式总体涉及金属电极，更具体地涉及含锂阳极、包括前述含锂电极的诸如二次电池的高性能电化学装置，及其制造方法。在一个实现方式中，提供了一种阳极电极结构。所述阳极电极结构包括包含铜的集流体。所述阳极电极结构进一步包括形成在所述集流体上的锂金属膜。所述阳极电极结构进一步包括形成在所述锂金属膜上的固体电解质界面(SEI)膜堆叠。所述SEI膜堆叠包括形成在所述锂金属膜上的硫族化物膜。在一个实现方式中，所述SEI膜堆叠进一步包括形成在所述硫族化物膜上的氧化锂膜。在一个实现方式中，所述SEI膜堆叠进一步包括形成在所述氧化锂膜上的碳酸锂膜。
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公开(公告)号：CN119181774A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411169223.0
申请日：2018-10-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： G·K·戈帕拉克里希南·奈尔 , 苏布拉曼亚·P·赫尔勒 , 卡尔·J·阿姆斯特朗
IPC: H01M4/1395 , H01M4/134 , H01M4/62 , H01M4/66 , H01M10/0525 , H01M10/42
Abstract: 本文所描述的实现方式总体涉及金属电极，更具体地涉及含锂阳极、包括前述含锂电极的诸如二次电池的高性能电化学装置，及其制造方法。在一个实现方式中，提供了一种阳极电极结构。所述阳极电极结构包括包含铜的集流体。所述阳极电极结构进一步包括形成在所述集流体上的锂金属膜。所述阳极电极结构进一步包括形成在所述锂金属膜上的固体电解质界面(SEI)膜堆叠。所述SEI膜堆叠包括形成在所述锂金属膜上的硫族化物膜。在一个实现方式中，所述SEI膜堆叠进一步包括形成在所述硫族化物膜上的氧化锂膜。在一个实现方式中，所述SEI膜堆叠进一步包括形成在所述氧化锂膜上的碳酸锂膜。
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公开(公告)号：CN116157547A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202180059409.9
申请日：2021-07-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 安德鲁·塞巴洛斯 , 卢多维克·戈代 , 卡尔·J·阿姆斯特朗 , 拉米·胡拉尼
IPC: C23C14/34
Abstract: 本公开内容的实施方式涉及光学装置膜和形成光学装置膜的方法。具体地，本文所描述的实施方式提供了一种具有恒定氧浓度、第一材料的第一浓度分布和第二材料的第二浓度分布的光学装置膜。本文所描述和提及的第一材料的第一折射率为约2.0或更大，并且第二材料的第二折射率为小于2.0。
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公开(公告)号：CN111699430B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN201980012469.8
申请日：2019-01-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 卡尔·J·阿姆斯特朗 , 傅晋欣 , 威尔逊·班茨
IPC: G02B26/00
Abstract: 在此所述的实施方式涉及光学器件制作的方法及材料。在一个实施方式中，提供一种制作光学器件的方法。方法包括在基板上沉积介电膜，在介电膜上沉积润湿层，及在润湿层上沉积含金属膜。在另一实施方式中，提供一种光学器件。器件包括基板，沉积在基板上且接触基板的介电膜，沉积在介电膜上且接触介电膜的润湿层，和沉积在润湿层上且接触润湿层的含金属膜。
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公开(公告)号：CN113646668A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202080026802.3
申请日：2020-04-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 卡尔·J·阿姆斯特朗 , 卢多维克·戈代 , 布莱恩·亚历山大·科恩 , 韦恩·麦克米兰 , 詹姆斯·D·斯特拉斯纳 , 本杰明·里奥登
Abstract: 本公开内容的实施方式涉及形成用于制造光学装置的多深度膜。一个实施方式包含在基板的表面上设置装置材料的基底层。装置材料的一个或多个心轴设置在基底层上。设置一个或多个心轴的步骤包含在基底层上方定位掩模。在掩模位于基底层上方的情况下沉积装置材料以形成光学装置，该光学装置具有具基底层深度的基底层及具有第一心轴深度与第二心轴深度的一个或多个心轴。
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