公开(公告)号：CN110476222B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN201880023145.X

申请日：2018-04-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·B·玛里克 ,  P·曼纳 ,  江施施

IPC: H01L21/02

Abstract: 用于无缝间隙填充的方法包括：通过PECVD形成可流动膜；处理所述可流动膜以形成Si‑X膜，其中X＝C、O或N；以及固化所述可流动膜或所述Si‑X膜以凝固所述膜。所述可流动膜可以通过使用更高阶的硅烷和等离子体形成。UV固化、或其他固化可以用于凝固所述可流动膜或所述Si‑X膜。

公开(公告)号：CN115943482A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202180050627.6

申请日：2021-07-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 江施施 ,  P·杰哈 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/311

Abstract: 示例处理方法可包括：形成含硅前驱物的等离子体。方法可包括：利用含硅前驱物的等离子体流出物在半导体基板上沉积可流动膜。半导体基板可限定半导体基板内的特征。方法可包括：在半导体处理腔室的处理区域内形成含氢前驱物的等离子体。可从偏压功率源将偏压功率施加至基板支撑件。方法可包括：利用含氢前驱物的等离子体流出物从半导体基板内的特征的侧壁蚀刻可流动膜。方法可包括：利用含氢前驱物的等离子体流出物将限定于半导体基板内的特征内的保留的可流动膜致密化。

公开(公告)号：CN111095524A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201880058936.6

申请日：2018-09-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： P·曼纳 ,  A·B·玛里克 ,  K·莱斯彻基什 ,  S·文哈弗贝克 ,  江施施

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67

Abstract: 提供形成包括含硅(Si)层或硅锗(SiGe)层的半导体结构的方法。此方法包括在半导体结构之上沉积保护阻挡物(例如，衬垫)层，在衬垫层之上形成可流动介电层，以及将可流动介电层暴露于高压蒸气。一种群集系统包括配置以形成半导体结构的第一沉积腔室、配置以执行衬垫沉积工艺以形成衬垫层的第二沉积腔室、配置以在衬垫层之上形成可流动介电层的第三沉积腔室、配置以将可流动氧化物层暴露于高压蒸气的退火腔室。

公开(公告)号：CN110678973A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201880035089.1

申请日：2018-05-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： P·曼纳 ,  江施施 ,  A·B·玛里克 ,  K·莱斯彻基什

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 本公开的实施例总体涉及用于干式剥除沉积在半导体基板上的碳化硼层的方法。在一个实施方案中，该方法包括：将具有碳化硼层的基板装载到压力容器中；将基板暴露于包括氧化剂的处理气体，所述氧化剂的压力在约500托与60巴之间；将压力容器加热到大于处理气体的冷凝点的温度；和从压力容器去除处理气体与碳化硼层之间的反应的一种或多种产物。

公开(公告)号：CN110114853A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201780079140.4

申请日：2017-12-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： P·曼纳 ,  程睿 ,  A·B·玛里克 ,  江施施

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 一种用于形成保形的密封氮化硅膜的方法。所述方法包括：用聚硅烷气体使用热化学气相沉积以在基板上产生超保形非晶硅膜，随后用氨或氮等离子体处理所述膜以将所述非晶硅膜转化成保形的密封氮化硅。在一些实施方式中，所述非晶硅沉积和所述等离子体处理在相同的处理腔室中执行。在一些实施方式中，重复所述非晶硅沉积和所述等离子体处理直到达到所希望的氮化硅膜厚度。

公开(公告)号：CN111699549B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN201980012399.6

申请日：2019-01-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  程睿 ,  P·曼纳 ,  A·B·玛里克 ,  江施施 ,  巫勇 ,  K·莱斯彻基什 ,  S·冈迪科塔

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 本公开的各方面包括处理基板的方法。所述方法包括将共形层沉积在包含接缝的基板上。在存在氧化剂时使用高压退火来处理所述基板。

公开(公告)号：CN116982139A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202280015523.6

申请日：2022-01-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·爱丁 ,  程睿 ,  江施施 ,  K·嘉纳基拉曼

IPC: H01L21/02

Abstract: 描述了用于对基板表面的特征进行间隙填充的方法。特征中的每一者从基板表面延伸进入基板达一距离并且具有底部和至少一个侧壁。方法包括以多个高频射频(HFRF)脉冲在基板表面的特征中沉积非共形膜。非共形膜在特征的底部上比在至少一个侧壁上具有更大的厚度。沉积膜被基本上从特征的侧壁蚀刻掉。重复沉积与蚀刻工艺以填充特征。

公开(公告)号：CN112996950A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201980072236.7

申请日：2019-11-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 江施施 ,  K·莱斯彻基什 ,  P·曼纳 ,  A·玛里克

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/24 ,  C23C16/26 ,  H01L21/02 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768

Abstract: 本文所述的实施例涉及可使用可操作以维持超大气压力(例如，大于大气压力的压力)的腔室来执行的无缝间隙填充与接缝愈合的方法。一个实施例包括将具有形成在基板的表面中的一个或多个特征的基板定位在处理腔室中并将基板的一个或多个特征在约1巴或更大的压力下暴露于至少一种前驱物。另一实施例包括将具有形成在基板的表面中的一个或多个特征的基板定位在处理腔室中。一个或多个特征中的每一者具有材料的接缝。材料的接缝在约1巴或更大的压力下暴露于至少一种前驱物。

公开(公告)号：CN112219261A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN201980035901.5

申请日：2019-04-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 江施施 ,  P·曼纳 ,  A·B·玛里克 ,  S·C·赛斯 ,  S·D·内马尼

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

Abstract: 本文的实施例提供对使用可流动化学气相沉积(flowable chemical vapor deposition；FCVD)工艺沉积的非晶硅层进行等离子体处理的方法。在一个实施例中，处理基板的方法包括通过以下步骤等离子体处理非晶硅层：使实质上无硅的氢处理气体流入处理腔室的处理容积中，所述处理容积中具有设置在基板支撑件上的基板；形成实质上无硅的氢处理气体的处理等离子体；和将基板的表面上沉积有非晶硅层的基板暴露于处理等离子体。在此，使用FCVD工艺沉积非晶硅层。FCVD工艺包括：将基板定位在基板支撑件上；使处理气体流入处理容积中；形成处理气体的沉积等离子体；将基板的表面暴露于沉积等离子体；和在基板的表面上沉积非晶硅层。

公开(公告)号：CN110945642A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201880037482.4

申请日：2018-06-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 巫勇 ,  陈一宏 ,  江施施 ,  段子青 ,  A·B·玛里克 ,  S·冈迪科塔

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L21/02

Abstract: 描述了用于以无缝钨填充物来填充基板特征的方法。所述方法包括沉积钨膜、将钨膜氧化成氧化钨柱、将氧化钨膜还原成无缝钨间隙填充物，且可选地在钨间隙填充物上沉积额外的钨。