-
公开(公告)号：CN103262215A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201180060112.0
申请日：2011-12-13
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 朱鸣伟 , 维韦卡·阿格拉沃尔 , 纳格·B·帕蒂班德拉 , 奥姆卡尔姆·纳兰姆苏
IPC: H01L21/203 , H01L33/00
CPC classification number: H01L21/0254 , C23C14/0641 , C23C14/568 , C23C16/34 , C23C28/04 , C23C28/044 , C30B23/02 , C30B25/08 , C30B29/406 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L33/007 , H01L33/0095
Abstract: 在此描述具有物理气相沉积（PVD）形成的氮化铝缓冲层的氮化镓类发光二极管（LED）的制造。举例而言，多腔室系统包括物理气相沉积（PVD）腔室，所述PVD腔室具有铝构成的靶。也包括一腔室，所述腔室适于沉积无掺杂或n型的氮化镓，或适于沉积前述两种氮化镓。在另一实施例中，一种制造发光二极管（LED）结构的方法包括在多腔室系统的物理气相沉积（PVD）腔室中的衬底上方形成氮化铝层。在多腔室系统的第二腔室中将无掺杂或n型氮化镓层形成在氮化铝层上。
-
公开(公告)号：CN119949054A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202380068452.0
申请日：2023-09-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 浩·T·黄 , 奈格·B·帕蒂班德拉 , 李志勇 , 朱鸣伟 , 斯瓦帕基亚·甘纳塔皮亚潘 , 孙健峰 , 刘培文
IPC: H10H20/851 , H10H29/30 , H01L25/075 , H10H20/857 , H10H20/855
Abstract: 本文提供了用于多色显示器的颜色转换阵列。所述颜色转换阵列包括：多个特征，每个特征具有基部和远侧端部；以及多个阱。每个阱被限定在所述多个特征中的一者或多者内。第一颜色转换层设置在所述多个阱中的第一阱内，以将第一照射转换为第一颜色的光。第二颜色转换层设置在所述多个阱中的第二阱内，以将第二照射转换为第二颜色的光。所述阵列的第一主表面或第二主表面被配置为耦接到背板。
-
公开(公告)号：CN118854233A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410821344.2
申请日：2013-08-07
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 描述了用于GaN基光电与电子器件的控氧PVD AlN缓冲部。亦描述了以控氧方式形成用于GaN基光电与电子器件的PVD AlN缓冲部的方法。在实例中，形成用于GaN基光电或电子器件的氮化铝(AlN)缓冲层的方法涉及反应性溅射AlN层于基板上，反应性溅射涉及使置于物理气相沉积(PVD)腔室内的含铝靶材与含氮气体或以含氮气体为基础的等离子体发生反应。该方法进一步涉及将氧并入AlN层中。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117178377A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202280027514.9
申请日：2022-03-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 浩·T·黄 , 奈格·帕蒂班德拉 , 乌马·斯利德哈尔 , 斯瓦帕基亚·甘纳塔皮亚潘 , 朱鸣伟
IPC: H01L33/00
Abstract: 在背板上形成LED结构的范例处理方法可包括将第一转移基板与LED来源基板耦合。LED来源基板可包括多个经制造LED。可以用在第一转移基板与多个经制造LED的每个LED之间延伸的第一耦合材料来产生第一转移基板的耦合。此方法可包括从LED分离LED来源基板。此方法可包括将第二转移基板与第一转移基板耦合。可以在第二转移基板与多个经制造LED的每个LED之间延伸的第二耦合材料来产生第一转移基板的耦合。此方法可包括从第二转移基板分离第一转移基板。此方法可包括将多个经制造LED与显示器背板接合。
-
-
公开(公告)号：CN115668518A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202180036787.5
申请日：2021-05-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 托马斯·奈斯利 , 巴斯卡尔·乔蒂·布雅 , 马克·沙丽 , 朱鸣伟
Abstract: 公开了用于清洁及包封微型发光二极管特征结构的方法。一些实施方式提供湿式清洁处理与干式清洁处理来从微型发光二极管特征结构移除污染物。一些实施方式提供干净微型发光二极管特征结构的包封。一些实施方式提供微型发光二极管特征结构与覆盖层的改善的结晶性。一些实施方式提供由所公开的微型发光二极管特征结构形成的微型发光二极管装置的改善的EQE。
-
公开(公告)号：CN104246980B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201380020953.8
申请日：2013-04-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 朱鸣伟 , 汪荣军 , 纳格·B·帕蒂班德拉 , 唐先明 , 维韦卡·阿格拉沃尔 , 成雄·马修·蔡 , 穆罕默德·拉希德 , 迪内希·塞加尔 , 普拉布兰姆·加帕伊·拉贾 , 奥姆卡尔姆·纳兰姆苏 , 阿纳塔·苏比玛尼
IPC: H01L21/203 , H01L33/02 , H01L33/12
CPC classification number: H01L33/12 , C30B23/02 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/02439 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L21/02661 , H01L29/205 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 描述利用物理气相沉积(PVD)形成的氮化铝缓冲层来制造氮化镓基发光装置。亦描述用于PVD AlN缓冲层的工艺条件。亦描述用于PVD氮化铝缓冲层的基板预处理。在实例中,制造缓冲层于基板上的方法包含预处理基板表面。所述方法亦包含随后利用氮基气体或等离子体从安置在物理气相沉积(PVD)腔室内的含铝靶材反应溅射氮化铝(AlN)层至基板表面上。
-
公开(公告)号：CN107964647A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201711365233.1
申请日：2011-12-13
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 朱鸣伟 , 维韦卡·阿格拉沃尔 , 纳格·B·帕蒂班德拉 , 奥姆卡尔姆·纳兰姆苏
IPC: C23C14/06 , C23C14/56 , C23C16/34 , C23C28/04 , C30B23/02 , C30B25/08 , C30B29/40 , H01L21/02 , H01L33/00
CPC classification number: H01L21/0254 , C23C14/0641 , C23C14/568 , C23C16/34 , C23C28/04 , C23C28/044 , C30B23/02 , C30B25/08 , C30B29/406 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L33/007 , H01L33/0095
Abstract: 在此描述具有物理气相沉积(PVD)形成的氮化铝缓冲层的氮化镓类发光二极管(LED)的制造。举例而言，多腔室系统包括物理气相沉积(PVD)腔室，所述PVD腔室具有铝构成的靶。也包括一腔室，所述腔室适于沉积无掺杂或n型的氮化镓，或适于沉积前述两种氮化镓。在另一实施例中，一种制造发光二极管(LED)结构的方法包括在多腔室系统的物理气相沉积(PVD)腔室中的衬底上方形成氮化铝层。在多腔室系统的第二腔室中将无掺杂或n型氮化镓层形成在氮化铝层上。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.023 seconds)
