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公开(公告)号：CN1689078A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN03824259.1
申请日：2003-02-20
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B32B1/00 , G11B5/65 , G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 非磁性取向控制层(37)铺于磁性取向控制层(36)的表面上，包括互相毗邻的晶粒。磁性记录层(38)铺于非磁性取向控制层(37)的表面上，包括从非磁性取向控制层(37)中各晶粒生长得到的晶粒。基于磁性和非磁性取向控制层(36、37)的影响，在磁性记录层(38)中的晶粒中可建立均匀的取向。与单独使用非磁性取向控制层(37)来控制磁性记录层(38)中的晶向的情形相比，能可靠地控制磁性记录层(38)中的晶向。无需增加非磁性取向控制层(37)的厚度就能够实现可靠地建立均匀的晶向。垂直磁性记录介质在电磁转换特性上具有更高的性能。
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公开(公告)号：CN1229973A
公开(公告)日：1999-09-29
申请号：CN98117092.7
申请日：1998-12-11
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/012 , G11B5/3903 , G11B5/3929 , G11B5/3945 , G11B2005/3996 , Y10S977/934
Abstract: 本发明提供了一种GMR磁头,其中通过抑制由GMR磁头的被锁定磁层14发出的进入自由磁层12的静磁场为GMR磁头的自由磁层12设置充足的偏置点。该GMR磁头包括检测部分10和在检测部分侧面放置的磁场矫正部分20。检测部分10除了包括自由磁层12和被锁定磁层14外,还包括特定布置的中间层13和反铁磁层15。磁场矫正部分20可以和检测部分10具有相同的结构。
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公开(公告)号：CN100394628C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN02149946.2
申请日：2002-11-08
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , H01F10/3254 , H01F10/3259 , H01F10/3263 , H01F10/3268
Abstract: 一种磁电阻元件，其通过在磁电阻效应膜的厚度方向上给出读出电流而检测磁电阻的改变量，该磁电阻效应膜至少包括一个底层、一个自由层、一个非磁性层、一个被固定层、一个固定层和一个保护层，该磁电阻元件包括粒状结构层，该粒状结构层包括导电颗粒和薄膜形式的绝缘基质材料，该绝缘基质材料包含处于分散状态的所述导电颗粒并且其厚度小于所述导电颗粒的颗粒直径，该粒状结构层邻接于所述自由层和所述被固定层中的任何一个层。
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公开(公告)号：CN1324560C
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200380101025.0
申请日：2003-10-07
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3116 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/3268
Abstract: 磁阻膜(44)沿着与介质相对表面相交的基准面(43)延伸。非磁体(47)在与磁阻膜(44)相邻的位置处沿着基准面(43)延伸。省略了所谓的磁畴控制膜。本发明者已发现在CPP结构的磁阻元件中基于电流磁场，可以在沿着介质相对表面的预定方向上建立足够的磁化。只要保持所产生的热量，即电能恒定，就可以在自由铁磁层中建立足够强度的磁场。可以以方便的方式容易地控制磁化方向。
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公开(公告)号：CN1292406C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN02829330.4
申请日：2002-12-26
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/7325 , Y10T428/265
Abstract: 提供一种垂直磁记录媒体，包括：基板；在上述基板上形成的金属基底层；在上述金属基底层上用无电解镀敷法形成的、在上述基板的面内方向上具有易磁化轴的软磁性层；以及在上述软磁性层上形成的、在与基板面垂直的方向上具有易磁化轴的磁性记录层，且上述软磁性层具有100nm～600nm的厚度。金属基底层是由从Co、Ni、Fe中选出的元素的合金形成的，具有≤3Oe的矫顽力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1703739A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200380101025.0
申请日：2003-10-07
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3116 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/3268
Abstract: 磁阻膜(44)沿着与介质相对表面相交的基准面(43)延伸。非磁体(47)在与磁阻膜(44)相邻的位置处沿着基准面(43)延伸。省略了所谓的磁畴控制膜。本发明者已发现在CPP结构的磁阻元件中基于电流磁场，可以在沿着介质相对表面的预定方向上建立足够的磁化。只要保持所产生的热量，即电能恒定，就可以在自由铁磁层中建立足够强度的磁场。可以以方便的方式容易地控制磁化方向。
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公开(公告)号：CN1208757C
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN03101543.3
申请日：2003-01-10
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , H01F10/324
Abstract: 一种电流垂直于平面(CPP)结构的磁阻元件包括旋阀膜。在包含于旋阀膜的非磁性中间层从导电层之间确定一个边界。磁性金属材料和绝缘材料存在于该边界上。绝缘材料减小读出电流路径的截面面积。相应于在自由磁性层中的磁化的旋转，该CPP结构的磁阻元件实现在电阻中较大变化。采用较小的读出电流来获得电压的较大变化。相应地，CPP结构的磁阻元件大大地有助于记录密度的提高以及减小电能消耗。
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公开(公告)号：CN1110795C
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN98117092.7
申请日：1998-12-11
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/012 , G11B5/3903 , G11B5/3929 , G11B5/3945 , G11B2005/3996 , Y10S977/934
Abstract: 本发明提供了一种GMR磁头，其中通过抑制由GMR磁头的被锁定磁层(14)发出的进入自由磁层(12)的静磁场为GMR磁头的自由磁层(12)设置充足的偏置点。该GMR磁头包括检测部分(10)和在检测部分侧面放置的磁场矫正部分(20)。检测部分(10)除了包括自由磁层(12)和被锁定磁层(14)外，还包括特定布置的中间层(13)和反铁磁层(15)。磁场矫正部分(20)可以和检测部分(10)具有相同的结构。
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公开(公告)号：CN1402224A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN02105798.2
申请日：2002-04-18
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , Y10T29/49046
Abstract: 一种磁阻磁头，其中包括：第一磁屏蔽；位于所述第一磁屏蔽上并具有第一宽度的第一电极端；位于所述第一电极端上并具有等于或小于所述第一宽度的第二宽度的磁阻薄膜。该磁阻磁头进一步包括位于所述磁阻薄膜上的第二电极端，其具有小于或等于所述第二宽度的第三宽度；以及位于所述第二电极端上的第二磁屏蔽。最好，该磁阻磁头进一步包括：用于连接所述第二电极端和所述第二磁屏蔽的插塞电极；以及用于覆盖所述插塞电极的侧壁的插塞侧保护绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1319900A
公开(公告)日：2001-10-31
申请号：CN01103366.5
申请日：2001-02-02
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/00 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/3268 , H01F10/3295
Abstract: 一种磁传感器,其包括由软铁磁材料的第一磁性层、非磁性层、铁磁材料的第二磁性层和反铁磁层构成的层状结构和用于检测外部磁场变化为电阻变化并将其输出的转换元件,至少一部分第一磁性层由Ni－Fe材料构成,以wt%计算的Ni含量XNi和以纳米表示的其厚度t满足上式表示的关系:其中,BBulk1=－53.78J/cm3,BBulk2=－0.6638J/cm3,BSurf1=1.7548×10－6J/cm2,BSurf2=－2.432×10－8J/cm2。还公开了一种包括磁头和磁记录介质的磁存储器,其中磁头使用根据本发明的磁传感器。
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