公开(公告)号：CN102723362B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201210211258.7

申请日：2009-10-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮 ,  山田敦史

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L29/34 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/34 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7832

Abstract: 本发明提供了一种化合物半导体器件及其制造方法，该器件包括：电子渡越层（i-GaN层）；化合物半导体层（n-GaN层），形成在所述电子渡越层上；源电极以及漏电极，形成在所述化合物半导体层上；第一绝缘膜，形成在所述化合物半导体层上；以及栅电极，形成在所述绝缘膜上；其中，在所述化合物半导体层的所述源电极与所述漏电极之间的区域内并在所述第一绝缘膜内、并且在与所述栅电极分离的部分处，形成有凹入部分；第二绝缘膜，沿所述凹入部分的内表面形成；以及电极，形成在所述第二绝缘膜上。本发明能在断电时间内降低泄漏电流，并优选地获得高阈值电压。

公开(公告)号：CN103022117B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201210262950.2

申请日：2012-07-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  山田敦史 ,  尾崎史朗 ,  今西健治

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H02M5/458 ,  H03F3/189

CPC classification number: H01L29/0607 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H03F1/3247 ,  H03F3/19 ,  H03F3/245

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体器件及其制造方法。一个化合物半导体器件的实施方案包括：衬底；形成在衬底上的化合物半导体堆叠结构；和形成在衬底和化合物半导体堆叠结构之间的非晶绝缘膜。

公开(公告)号：CN103887309A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201310559631.2

申请日：2013-11-12

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 山田敦史

IPC: H01L27/085 ,  H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8252

CPC classification number: H01L29/7785 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件、一种用于制造半导体器件的方法、一种电源和一种高频放大器。本发明提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一晶体管，所述第一晶体管包括第一栅电极、第一源电极、第一漏电极和第一氮化物半导体叠层，所述第一氮化物半导体叠层包括第一电子渡越层和第一电子供给层；第二晶体管，所述第二晶体管包括第二栅电极、第二源电极、第二漏电极和第二氮化物半导体叠层，所述第二氮化物半导体叠层包括第二电子渡越层和第二电子供给层，所述第二漏电极为还用作所述第一源电极的公共电极，所述第二电子渡越层具有位于所述第二栅电极之下并包含p型掺杂剂的部分；以及p型掺杂剂扩散阻挡层。

公开(公告)号：CN103715242A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310316249.9

申请日：2013-07-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小谷淳二 ,  石黑哲郎 ,  山田敦史 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

Abstract: 一种半导体装置，该半导体装置包括：衬底；形成在衬底上的缓冲层；形成在缓冲层上的第一半导体层；以及形成在第一半导体层上的第二半导体层。此外，缓冲层由AlGaN形成并且掺杂有Fe，缓冲层包括彼此具有不同Al组成比的多个层，第一层的Al组成比大于第二层的Al组成比，并且第一层的Fe浓度小于第二层的Fe浓度，第一层和第二层包括在多个层中，并且第一层形成在第二层的衬底侧上。

公开(公告)号：CN103325822A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201210575487.7

申请日：2012-12-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 山田敦史

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66431 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H02M3/335

Abstract: 本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。具体而言，提供一种AlGan/GaN HEMT，其包括在SiC衬底上的层叠化合物半导体结构以及形成在层叠化合物半导体结构上的栅电极，其中在层叠化合物半导体结构的与栅电极对准的下部区域中p型杂质(Mg)和氧(O)局域化为使得在层叠化合物半导体结构中生成的二维电子气的一部分消失的深度。

公开(公告)号：CN103022116A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210262738.6

申请日：2012-07-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 山田敦史

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335 ,  H03F3/04

CPC classification number: H01L29/42316 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。一种化合物半导体器件的实施方案，包括：衬底；形成于衬底之上的电子沟道层和电子供给层；形成于电子供给层上或者上方的栅电极、源电极和漏电极；以及形成于电子供给层和栅电极之间的p型半导体层。该p型半导体层包含与包含在电子沟道层和电子供给层中的至少任一层中的元素相同的元素作为p型杂质。

公开(公告)号：CN106057648A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610536760.3

申请日：2011-12-02

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 清水早苗 ,  今西健治 ,  山田敦史 ,  宫岛豊生

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: 一种化合物半导体器件及其制造方法，该器件包括：衬底；电子渡越层，形成在衬底的上方；电子供应层，形成在电子渡越层的上方；以及缓冲层，形成在衬底与电子渡越层之间且包括AlxGa1‑xN(0≤x≤1)，其中，x值表示沿缓冲层的厚度方向的多个最大值和多个最小值，所述x值沿所述缓冲层的任意厚度方向连续变化，并且在缓冲层中具有1nm厚度的任何区域中x的变化为0.5或更小。本发明具有良好的结晶度。

公开(公告)号：CN102646581B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201210003495.4

申请日：2012-01-06

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 山田敦史

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底上设置的半导体层；通过氧化半导体层的一部分形成的绝缘膜；和在绝缘膜上设置的电极，其中所述绝缘膜包括氧化镓、或氧化镓和氧化铟。

公开(公告)号：CN103715249A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310394830.2

申请日：2013-09-03

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今西健治 ,  山田敦史 ,  石黑哲郎 ,  宫岛丰生

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。具体而言，提供一种AlGaN／GaN HEMT，其包括：电子渡越层；形成在电子渡越层上方的电子供给层；以及形成在电子供给层上方的栅电极，其中仅在电子渡越层的包含在栅电极下方区域中的位置处形成有p型半导体区域。

公开(公告)号：CN103715245A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310329317.5

申请日：2013-07-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 石黑哲郎 ,  山田敦史 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/155 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供半导体装置，所述半导体装置包括：形成在衬底上的缓冲层；形成在缓冲层上的SLS(应变层超晶格)缓冲层；形成在SLS缓冲层上并且由半导体材料形成的电子渡越层；以及形成在电子渡越层上并且由半导体材料形成的电子供给层。此外，缓冲层由AlGaN形成并且包括具有不同Al组成比的两层或更多层，SLS缓冲层通过将包括AlN的第一晶格层和包括GaN的第二晶格层交替地层叠而形成，并且缓冲层中的各层中与SLS缓冲层接触的一层中的Al组成比大于或等于SLS缓冲层中的Al有效组成比。