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公开(公告)号：CN111033751A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880052063.8
申请日：2018-07-25
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/322 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/07 , H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 提供一种半导体装置，具有：栅极流道部；以及设置于栅极流道部的下方的第1导电型的阱区，二极管区在半导体基板上具有多个第1接触部；第1导电型的阳极区；以及从半导体基板的下表面起设置到预先确定的深度范围的第2导电型的阴极区，阱区在第1方向上与二极管区接触，在将第1方向上相互对置的阱区的端部、多个第1接触部的至少1个第1接触部的端部和阴极区的端部虚拟地投影于半导体基板的上表面的情况下，作为阱区的端部与阴极区的端部之间的最短距离的第1距离比作为阱区的端部与至少1个第1接触部的端部之间的最短距离的第2距离大。
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公开(公告)号：CN119208363A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411255783.8
申请日：2019-11-14
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/36 , H01L21/331 , H01L21/265 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备半导体基板，半导体基板具有含氢的含氢区，含氢区具有载流子浓度比根据所含有的氢的浓度和氢的活化率确定的虚拟载流子浓度高的高浓度区。半导体基板具有N型的漂移区、以与半导体基板的上表面接触的方式设置且载流子浓度比漂移区的载流子浓度高的N型的发射区、设置在发射区与漂移区之间的P型的基区、以与半导体基板的下表面接触的方式设置的P型的集电区、以及设置在集电区与漂移区之间且载流子浓度比漂移区的载流子浓度高的N型的缓冲区，含氢区被包含在缓冲区中。
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公开(公告)号：CN112219263B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN201980028584.4
申请日：2019-11-14
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/322 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备半导体基板，半导体基板具有含氢的含氢区，含氢区具有载流子浓度比根据所含有的氢的浓度和氢的活化率确定的虚拟载流子浓度高的高浓度区。半导体基板具有N型的漂移区、以与半导体基板的上表面接触的方式设置且载流子浓度比漂移区的载流子浓度高的N型的发射区、设置在发射区与漂移区之间的P型的基区、以与半导体基板的下表面接触的方式设置的P型的集电区、以及设置在集电区与漂移区之间且载流子浓度比漂移区的载流子浓度高的N型的缓冲区，含氢区被包含在缓冲区中。
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公开(公告)号：CN110770914B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN201880035386.6
申请日：2018-10-25
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/76 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L29/739
Abstract: 提供晶体管部和二极管部的导通特性优良的半导体装置。提供具有晶体管部与二极管部的半导体装置，该半导体装置具备：第一导电型的漂移区，其设置在半导体基板；第二导电型的第一阱区，其设置在半导体基板的上表面侧；第二导电型的阳极区，其在二极管部，设置在半导体基板的上表面侧；以及第二导电型的第一高浓度区，其在阳极区与第一阱区之间，与第一阱区接触地设置，并且掺杂浓度比阳极区的掺杂浓度高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111052393B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201980003778.9
申请日：2019-01-25
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/322 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 在RC‑IGBT中，期望防止FWD区域中的耐破坏量降低。提供一种半导体装置，具有：第1导电型的阳极区，其在二极管区设置于半导体基板中；第2导电型的漂移区，其至少设置于二极管区，在半导体基板中位于比阳极区靠近下方的位置；第2导电型的蓄积区，其至少设置于二极管区，在半导体基板的深度方向上位于阳极区与漂移区之间；以及绝缘膜，其具有沿第1方向延伸的多个接触部，且设置于半导体基板的上表面上，多个接触部包含设置于二极管区的第1接触部，第1接触部在第1接触部的在第1方向上的端部具有与蓄积区在深度方向上不重叠的第1非重叠区。
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公开(公告)号：CN110785852B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201880035669.0
申请日：2018-10-24
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 本发明提供半导体装置，其具有半导体基板，半导体基板具备二极管区、晶体管区和位于二极管区与晶体管区之间的边界区，边界区包括在半导体基板的正面侧的预先确定的深度位置从与二极管区邻接的端部起向晶体管区侧延伸设置的缺陷区，且边界区的至少一部分不具有在半导体基板的正面露出的第1导电型的发射区，晶体管区在夹在相邻的2个沟槽部之间且具有发射区的台面部中的最靠近边界区的台面部的下方不具有缺陷区。
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公开(公告)号：CN107180855B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN201710138246.9
申请日：2017-03-09
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供具有接触区的半导体装置。所述半导体装置具备：半导体基板；多个第一沟槽部，形成在半导体基板的正面侧，并在俯视时沿预定的延伸方向延伸；第一导电型的发射极区，在多个第一沟槽部的相邻的沟槽之间，形成在半导体基板的正面侧；第二导电型的第一接触区，形成在多个第一沟槽部的相邻的沟槽之间，并在延伸方向上与发射极区交替地配置；第二导电型的第二接触区，在第一接触区的上方与发射极区分离地形成，且与第一接触区相比为高掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN106549035B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201610773105.X
申请日：2016-08-30
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/861
Abstract: 本发明的目的在于提高半导体装置中的反向恢复时的耐量。本发明提供一种半导体装置，该半导体装置具备：第一传导型的半导体基板；形成于半导体基板的正面的第二传导型的第一区域；位于半导体基板的正面而与第一区域邻接地形成并且比第一区域浓度高的第二传导型的第二区域；位于半导体基板的正面而与第二区域邻接地形成并且比第二区域浓度高的第二传导型的第三区域；覆盖第二区域的一部分以及第三区域的绝缘膜；以及与未被绝缘膜覆盖的第一区域以及第二区域连接的电极。
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公开(公告)号：CN110164966A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201811588060.4
申请日：2018-12-25
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/861 , H01L27/07 , H01L29/08 , H01L29/10
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，期望在RC-IGBT的FWD区域中流通反向恢复电流的情况下，FWD区域不被破坏。半导体装置在一个半导体基板具有多个晶体管区域和多个二极管区域，具备：多个晶体管区域以及多个二极管区域，其分别从有源区域的一个端缘延伸至另一端缘；第一导电型的焊盘用阱区域，其与矩形环状的栅极流道区域接触，且设于栅极流道区域的内侧；第一导电型的集电极区域，其设于半导体基板的下表面侧，且至少设于晶体管区域；以及第二导电型的阴极区域，其设于半导体基板的下表面侧，且设于多个二极管区域，焊盘用阱区域的在与多个晶体管区域以及多个二极管区域的延伸方向正交的排列方向上的端部沿延伸方向延伸，在焊盘用阱区域的端部的下方设有集电极区域。
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