公开(公告)号：CN110785852B

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN201880035669.0

申请日：2018-10-24

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 田村隆博 ,  小野沢勇一 ,  高桥美咲 ,  三塚要 ,  尾崎大辅 ,  兼武昭徳

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明提供半导体装置，其具有半导体基板，半导体基板具备二极管区、晶体管区和位于二极管区与晶体管区之间的边界区，边界区包括在半导体基板的正面侧的预先确定的深度位置从与二极管区邻接的端部起向晶体管区侧延伸设置的缺陷区，且边界区的至少一部分不具有在半导体基板的正面露出的第1导电型的发射区，晶体管区在夹在相邻的2个沟槽部之间且具有发射区的台面部中的最靠近边界区的台面部的下方不具有缺陷区。

公开(公告)号：CN110785852A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201880035669.0

申请日：2018-10-24

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 田村隆博 ,  小野沢勇一 ,  高桥美咲 ,  三塚要 ,  尾崎大辅 ,  兼武昭徳

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明提供半导体装置，其具有半导体基板，半导体基板具备二极管区、晶体管区和位于二极管区与晶体管区之间的边界区，边界区包括在半导体基板的正面侧的预先确定的深度位置从与二极管区邻接的端部起向晶体管区侧延伸设置的缺陷区，且边界区的至少一部分不具有在半导体基板的正面露出的第1导电型的发射区，晶体管区在夹在相邻的2个沟槽部之间且具有发射区的台面部中的最靠近边界区的台面部的下方不具有缺陷区。