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公开(公告)号：CN109979935B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN201811553511.0
申请日：2018-12-19
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，所述半导体装置在半导体基板设置有二极管区，二极管区包括：第一导电型的基区，以在半导体基板的上表面露出的方式设置；第二导电型的阴极区，以在半导体基板的下表面露出的方式设置；第一导电型的阴极间区域，以在半导体基板的下表面露出的方式设置，且在预先设定的方向上与阴极区交替地配置；以及第二导电型的浮置区，设置在阴极区的上方和阴极间区域的上方。
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公开(公告)号：CN119631593A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202380056927.4
申请日：2023-11-21
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 洼内源宜
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备在第一方向上并列的晶体管部以及二极管部，所述半导体装置包括第一台面部以及配置为比所述第一台面部距所述二极管部更远的第二台面部，所述第一台面部具有第一导电型的第一区，所述第一导电型的第一区设置于所述基区的下端的深度位置与所述沟槽部的下端的深度位置之间的至少一部分，所述第二台面部具有第一导电型的第二区，所述第一导电型的第二区设置于所述基区的下端的深度位置与所述沟槽部的下端的深度位置之间的至少一部分，并且所述第二区的剂量大于所述第一区的剂量。
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公开(公告)号：CN119631592A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202380056894.3
申请日：2023-11-21
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备晶体管部和并列地配置的二极管部，晶体管部具有供多个台面部中的第一台面部和金属电极接触的第一接触部、以及供多个台面部中的比第一台面部更远离二极管部而配置的第二台面部和金属电极接触的第二接触部，第一接触部的下端配置在比第二接触部的下端更靠上方的位置。
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公开(公告)号：CN119545822A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202410868539.2
申请日：2024-07-01
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 洼内源宜
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：晶体管部；二极管部；多个沟槽部；N‑型的漂移区；P‑型的基区，其在晶体管部中设置于漂移区的上方；N+型的发射区和P+型的接触区，两者均在晶体管部中设置于半导体基板的正面；P‑‑型的阳极区，其在二极管部中设置于漂移区的上方；半导体基板的台面部；层间绝缘膜，其设置于半导体基板的上方；正面电极，其设置于半导体基板的上方；沟槽接触部，其在晶体管部中将正面电极与台面部连接；以及正面接触部，其在二极管部中将正面电极与台面部连接，正面接触部的下端配置于比沟槽接触部的下端更靠上方的位置。
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公开(公告)号：CN115377098A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210306165.6
申请日：2022-03-25
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 洼内源宜
Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在半导体装置中，在晶体管部的与二极管部邻接的边界区，存在阈值电压降低的问题。半导体装置具备半导体基板，半导体基板具有有源区和外周区，有源区具有晶体管部和二极管部，外周区具有电流感测部，包含寿命抑制剂的寿命控制区从二极管部设置到晶体管部的至少一部分，电流感测部具有未设置寿命控制区的感测晶体管非照射区和设置有寿命控制区的感测晶体管照射区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113892185A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202080039220.9
申请日：2020-12-14
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 洼内源宜
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L27/088 , H01L27/06 , H01L21/8234 , H01L21/265 , H01L21/331 , H01L21/329 , H01L21/336
Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，其具有上表面和下表面，且包含体施主；以及氢增加部，其氢化学浓度从上表面朝向下表面单调地增加，氢增加部遍及半导体基板的深度方向上的厚度的30％以上而设置，氢增加部的施主浓度高于体施主浓度。半导体装置可以通过从半导体基板的上表面向半导体基板的内部的预定的第一注入位置注入氢离子，对半导体基板的下表面进行研磨而除去存在氢的区域的一部分，并对半导体基板进行热处理来制造。
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公开(公告)号：CN109979935A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201811553511.0
申请日：2018-12-19
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/861 , H01L21/8249
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，所述半导体装置在半导体基板设置有二极管区，二极管区包括：第一导电型的基区，以在半导体基板的上表面露出的方式设置；第二导电型的阴极区，以在半导体基板的下表面露出的方式设置；第一导电型的阴极间区域，以在半导体基板的下表面露出的方式设置，且在预先设定的方向上与阴极区交替地配置；以及第二导电型的浮置区，设置在阴极区的上方和阴极间区域的上方。
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公开(公告)号：CN113287201B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202080007299.7
申请日：2020-05-11
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 洼内源宜
Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，其包含第一导电型的漂移区；内侧区域，其包含设置于半导体基板的上表面与漂移区之间的第二导电型的基区，以及阱区，其掺杂浓度比基区的掺杂浓度高，且从半导体基板的上表面起设置到比基区的下端深的位置为止，并被配置为在半导体基板的上表面夹着内侧区域，内侧区域具有多个沿半导体基板的上表面的预定的长边方向具有长边，并从半导体基板的上表面到达漂移区的沟槽部，至少一个沟槽部在与阱区不重叠的区域中沿长边方向分离为2个以上的部分沟槽。
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公开(公告)号：CN113892184B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202080038918.9
申请日：2020-12-10
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H10D12/00 , H10D30/66 , H10D8/00 , H10D8/20 , H10D84/63 , H10D84/40 , H10D84/03 , H01L21/265 , H10D30/01 , H10D8/01 , H10D12/01
Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，其具有上表面和下表面，且包含氧；氢化学浓度的第一峰，其配置在半导体基板的下表面侧；以及平坦部，其配置于比第一峰更靠半导体基板的上表面侧的位置，并包含氢施主，且在半导体基板的深度方向上的施主浓度分布实质上(大致)为平坦，表示氧的氧化学浓度中有助于生成氢施主的氧化学浓度的比例的氧贡献率为1×10‑5以上且7×10‑4以下，在平坦部中，有助于生成氢施主的氧的浓度低于氢化学浓度，平坦部的氢施主浓度为2×1012/cm3以上且5×1014/cm3以下。
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公开(公告)号：CN113544824B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202080018058.2
申请日：2020-08-11
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L27/07
Abstract: 在半导体晶片(10')的正面的聚酰亚胺保护膜(21)和虚设图案用聚酰亚胺膜(22)和虚设图案上形成为了通过氦照射而向IGBT区(31)的重叠区(33)和FWD区(32)导入杂质缺陷而用作遮挡膜的抗蚀剂膜(52)。虚设图案用聚酰亚胺膜(22)(第一聚酰亚胺膜(22a))至少配置在距聚酰亚胺保护膜(21)的距离(w1)成为小于1mm的位置，并且被抗蚀剂膜(52)完全地覆盖。虚设图案用聚酰亚胺膜(22)从相邻的重叠区(33)离开而配置。相邻的虚设图案用聚酰亚胺膜(22)间的距离(w3)是小于1mm。由此，能够使用抗蚀剂膜(52)作为遮挡膜而向预定位置高位置精度地导入预定杂质，并且能够防止成本增大。
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