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    半导体模块和冷却单元
    11.
    发明授权
    半导体模块和冷却单元 有权

    公开(公告)号：CN102549743B

    公开(公告)日：2014-12-24

    申请号：CN201080029038.1

    申请日：2010-07-28

    Applicant: 富士电机株式会社

    Inventor： 乡原广道 ,  两角朗 ,  樋口惠一

    IPC: H01L23/473

    CPC classification number: H01L23/473 ,  H01L23/3735 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00

    Abstract: 提供了一种包括通过其获得良好的冷却效果的冷却单元的半导体模块。与从制冷剂导入口延伸的制冷剂导入流路和延伸到制冷剂排出口的制冷剂排出流路两者连通的多个冷却流路(21c)彼此平行地排列在冷却单元(20)中。翼片(22)排列在每个冷却流路(21c)中。半导体元件(32)和(33)排列在冷却单元(20)上，以使半导体元件(32)和(33)热连接到翼片(22)。通过这样做，形成半导体模块(10)。半导体元件(32)和(33)所产生的热被传导到排列在能够冷却流路(21c)的翼片(22)，并且沿着每个冷却流路(21c)流动的制冷剂驱散。

    半导体模块用冷却器及半导体模块
    12.
    发明公开
    半导体模块用冷却器及半导体模块 有权

    公开(公告)号：CN103890938A

    公开(公告)日：2014-06-25

    申请号：CN201280050253.9

    申请日：2012-09-05

    Applicant: 富士电机株式会社

    Inventor： 乡原广道 ,  两角朗 ,  市村武

    IPC: H01L23/373 ,  H01L23/473 ,  H05K7/20

    CPC classification number: H01L23/473 ,  F28F3/02 ,  F28F3/12 ,  F28F9/026 ,  H01L23/3735 ,  H01L2924/0002 ,  H02M7/003 ,  H05K7/20927 ,  H01L2924/00

    Abstract: 本发明提供一种能消除仅一部分半导体元件的温度上升，从而对半导体元件进行均匀且稳定的冷却的半导体模块用冷却器。该半导体模块用冷却器从外部向水套（2A）提供制冷剂，对配置在该半导体模块用冷却器外表面的半导体元件进行冷却。在水套（2A）的左侧壁（2Ab）上配置有导入口（24）及排出口（25），导入口部（21a）和排出口部（22a）均从相同的左侧壁（2Ab）突出。在作为第二流路的制冷剂排出流路（22）上配置有与翅片（2C）相平行的流速调节板（28），该制冷剂排出流路（22）以与作为第一流路的制冷剂导入流路（21）并排且隔开间隔的方式来进行配置。利用制冷剂冲击流路调节板（28）而产生的压力，可对翅片（2C）中的流速分布进行调整。

    半导体模块
    14.
    发明公开
    半导体模块 审中-实审

    公开(公告)号：CN117316879A

    公开(公告)日：2023-12-29

    申请号：CN202310575114.8

    申请日：2023-05-22

    Applicant: 富士电机株式会社

    Inventor： 两角朗

    IPC: H01L23/10 ,  H01L23/12 ,  H01L23/00 ,  H01L23/26

    Abstract: 本发明涉及半导体模块。抑制侵入物向半导体模块的侵入。半导体模块具备：安装基板，其包括安装面；半导体元件，其设置于安装面；壳体，其收容半导体元件；盖构件，其固定于壳体，并与安装面相对；绝缘性的密封材料，其设置于壳体的内侧的空间，将半导体元件密封；以及吸附剂，其设置于盖构件与密封材料之间，利用吸附而溶胀。利用由吸附剂的吸附引起的溶胀而按压密封材料。

    半导体模块用冷却器及半导体模块
    15.
    发明授权
    半导体模块用冷却器及半导体模块 有权

    公开(公告)号：CN103890938B

    公开(公告)日：2017-10-13

    申请号：CN201280050253.9

    申请日：2012-09-05

    Applicant: 富士电机株式会社

    Inventor： 乡原广道 ,  两角朗 ,  市村武

    IPC: H01L23/373 ,  H01L23/473 ,  H05K7/20

    CPC classification number: H01L23/473 ,  F28F3/02 ,  F28F3/12 ,  F28F9/026 ,  H01L23/3735 ,  H01L2924/0002 ,  H02M7/003 ,  H05K7/20927 ,  H01L2924/00

    Abstract: 本发明提供一种能消除仅一部分半导体元件的温度上升，从而对半导体元件进行均匀且稳定的冷却的半导体模块用冷却器。该半导体模块用冷却器从外部向水套（2A）提供制冷剂，对配置在该半导体模块用冷却器外表面的半导体元件进行冷却。在水套（2A）的左侧壁（2Ab）上配置有导入口（24）及排出口（25），导入口部（21a）和排出口部（22a）均从相同的左侧壁（2Ab）突出。在作为第二流路的制冷剂排出流路（22）上配置有与翅片（2C）相平行的流速调节板（28），该制冷剂排出流路（22）以与作为第一流路的制冷剂导入流路（21）并排且隔开间隔的方式来进行配置。利用制冷剂冲击流路调节板（28）而产生的压力，可对翅片（2C）中的流速分布进行调整。

    半导体模块用冷却器及半导体模块
    19.
    发明公开
    半导体模块用冷却器及半导体模块 有权 复审申请

    公开(公告)号：CN103858224A

    公开(公告)日：2014-06-11

    申请号：CN201280049849.7

    申请日：2012-10-12

    Applicant: 富士电机株式会社

    Inventor： 市村武 ,  乡原广道 ,  两角朗

    IPC: H01L23/473 ,  H02M7/48 ,  H05K7/20

    CPC classification number: H01L23/473 ,  F28F3/02 ,  F28F3/12 ,  F28F9/026 ,  H01L23/3735 ,  H01L2924/0002 ,  H02M7/003 ,  H05K7/20927 ,  H01L2924/00

    Abstract: 本发明提供一种能消除仅一部分半导体元件的温度上升，从而均匀且稳定地对半导体元件进行冷却的半导体模块用冷却器。该半导体模块用冷却器从外部向水套（2A）提供制冷剂，对配置在其外表面的半导体元件进行冷却。在水套（2A）的左侧壁（2Ab）上配置有导入口（24）及排出口（25），导入口部（21a）和排出口部（22a）均从相同的左侧壁（2Ab）突出。在作为第二流路的制冷剂排出流路（22）上配置有与翅片（2C）相平行的流速调节板（28），该制冷剂排出流路（22）与作为第一流路的制冷剂导入流路（21）并排且隔开间隔进行配置。利用制冷剂冲击流路调节板（28）而产生的压力可对翅片（2C）中的流速分布进行调整。

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