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公开(公告)号:CN102473694A
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN201080034710.6
申请日:2010-07-15
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/373
CPC classification number: H05K7/2039 , H01L23/3672 , H01L23/3736 , H01L25/072 , H01L2224/32225 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 改进了半导体模块中所使用的散热构件的特性。形成包括含铝的铝型构件(20)和含铜的铜型构件(30)的散热构件(10A),铜型构件(30)嵌在铝型构件(20)中并且其侧面被铝型构件(20)包围。半导体元件热接合到散热构件(10A)以制造成半导体模块。散热构件(10A)包括铝型构件(20)和铜型构件(30)。因此,有可能实现轻的重量,同时确保特定的散热。此外,铜型构件(30)被铝型构件(20)包围。因此,可增加散热构件(10A)的强度。
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公开(公告)号:CN101933139B
公开(公告)日:2012-11-07
申请号:CN200880120955.3
申请日:2008-12-09
CPC classification number: H01L23/24 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L2224/32225 , H01L2224/371 , H01L2224/3754 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2224/48227 , H01L2224/4846 , H01L2224/4903 , H01L2224/4911 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/19107 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00015 , H01L2224/05599 , H01L2224/37099
Abstract: 本发明提供如下的半导体装置及其制造方法:能够防止在激光焊接中产生的飞溅物附着于电路图案或半导体芯片,能够防止电气特性的劣化。利用焊锡(13)在形成于陶瓷(4)上的铜箔上固定连接导体(14),在该连接导体(14)的上部面(P)的下方填充树脂(17a)并进行激光焊接,然后填充树脂(17b),由此,能够防止在激光焊接中产生的飞溅物(21)附着于电路图案(5)、(6)或半导体芯片(8)的情况。由此,能够防止电气特性劣化。
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公开(公告)号:CN102473694B
公开(公告)日:2016-03-09
申请号:CN201080034710.6
申请日:2010-07-15
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/373
CPC classification number: H05K7/2039 , H01L23/3672 , H01L23/3736 , H01L25/072 , H01L2224/32225 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 改进了半导体模块中所使用的散热构件的特性。形成包括含铝的铝型构件(20)和含铜的铜型构件(30)的散热构件(10A),铜型构件(30)嵌在铝型构件(20)中并且其侧面被铝型构件(20)包围。半导体元件热接合到散热构件(10A)以制造成半导体模块。散热构件(10A)包括铝型构件(20)和铜型构件(30)。因此,有可能实现轻的重量,同时确保特定的散热。此外,铜型构件(30)被铝型构件(20)包围。因此,可增加散热构件(10A)的强度。
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