具有防护结构的射频功率放大器
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115765650A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211460153.5

    申请日:2022-11-17

    Abstract: 本发明公开了一种具有防护结构的射频功率放大器,包括底座、防护罩和放大器主体,放大器主体可拆卸地安装在底座上,防护罩罩设在放大器主体的外部;防护罩的外表面设有支撑板,支撑板上分别有散热风机和储存箱,散热风机的顶部与连接管的一端连接,连接管的另一端贯穿并延伸至防护罩内部且与聚热管连接,聚热管的表面形成吸热口;散热风机通过管道与储存箱的一端连接,储存箱的另一端连接输热管,输热管贯穿防护罩并与防护罩内壁上形成的容纳腔连接;防护罩上还开设有进气口和出气口,出气管的一端与容纳腔连接,另一端穿过出气口向外延伸。其降温快,避免水汽下渗,结构稳定坚固,有效防止放大器内部零部件受热、受潮和碰伤,延长了使用寿命。

    频段前级放大器模块制作方法

    公开(公告)号:CN109688787A

    公开(公告)日:2019-04-26

    申请号:CN201811502292.3

    申请日:2018-12-10

    CPC classification number: H05K13/04

    Abstract: 本发明公开了一种频段前级放大器模块制作方法,该频段前级放大器模块制作方法包括:步骤1,将前级微波板和射频绝缘子分别与腔体进行烧接得到部件A;步骤2,将元器件和馈电绝缘子烧结到部件A上得到部件B;步骤3,将部件B中的元器件分别进行焊接;步骤4,制作多个共晶组件和挡板组件;步骤5,将环形器U1、多个共晶组件和挡板组件安装到腔体的内部;步骤6,将盖板封盖在腔体上以进行密封。该频段前级放大器模块制作方法的产品制作工艺更加科学实用。

    一种卫通领域35W功率放大模块的加工方法

    公开(公告)号:CN109451677A

    公开(公告)日:2019-03-08

    申请号:CN201811509578.4

    申请日:2018-12-11

    Abstract: 本发明提供了一种卫通领域35W功率放大模块的加工方法,包括微波电路板和放大器模块,包括以下步骤:S1:将微波电路板烧结到焊片上;S2:将功放芯片U1共晶到相应的钼铜载体上,形成功放共晶组件G1;S3:将功放共晶组件G1和电容烧结到微波电路板上;S4:利用气相清洗机清洗烧结后的微波电路板;S5:对功放芯片U1和电容进行金丝键合;S6:对装配完成的组件进行调试、测试、封盖和打标。本发明借助微电子组封装工艺技术,实现了卫通领域35瓦功率放大模块的制作,该卫通领域35瓦功率放大模块具有体积小、安装灵活、可靠性高的特点,适合小批量生产。

    卫星通讯领域6位数控衰减模块的制作方法

    公开(公告)号:CN109037881A

    公开(公告)日:2018-12-18

    申请号:CN201811079261.1

    申请日:2018-09-13

    CPC classification number: H01P11/00

    Abstract: 本发明适用于数控衰减器模块制备技术领域,提供了一种卫星通讯领域6位数控衰减模块的制作方法,方法包括如下步骤:S1、将高频电路板烧结到腔体底部;S2、在高频电路板上烧结元器件;S3、将腔体顶部朝下进行清洗;S4、装配射频接头及腔体盖板。该制作方法借助微电子组封装工艺技术,实现了一种卫星通信领域6位数控衰减器模块制作,制备的卫星通信领域6位数控衰减器模块具有体积小、安装灵活、可靠性高、稳定性高、衰减精度高等的特点,且适合大批量生产。

    一种Ku波段60瓦小型化功率放大器的制作工艺

    公开(公告)号:CN108111128A

    公开(公告)日:2018-06-01

    申请号:CN201711360283.0

    申请日:2017-12-15

    Abstract: 本发明适用于微波功率放大器加工工艺技术领域,提供了一种Ku波段60瓦小型化功率放大器的制作工艺,包括如下步骤:方法包括如下步骤:S1、将RT/duroid6035HTC微波电路板烧结到腔体上;S2、将电阻及电容组件烧结到所述RT/duroid6035HTC微波电路板上;S3、将放大器烧结到腔体上;S4、将腔体滤波器烧结到腔体上;S5、对烧结完成的组件进行调试、测试;S6、测试合格,进行盖板封装、激光打标。工艺流程操作性强,经过此工艺生产的Ku波段60瓦小型化功率放大器模块经过严格的测试、筛选实验以及模块调试,各项技术性能指标完全达到模块要求,生产的产品合格率高,提高了生产效率和节约了生产成本。

    共晶芯片组件的烧结方法
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107731695A

    公开(公告)日:2018-02-23

    申请号:CN201711076799.2

    申请日:2017-11-06

    Abstract: 本发明公开了一种共晶芯片组件的烧结方法,所述烧结方法包括:初步安装:在工件的腔体内涂覆助焊剂,之后将多个焊料片放置在腔体内,在每个焊料片表面涂覆助焊剂,将共晶芯片组件分别压紧在每个焊料片表面,形成预装组件;烧结处理:将预装组件依次进行第一烧结处理和第二烧结处理;解决了现有的共晶芯片组件的烧结方法时间长,合金焊料易氧化,最终影响共晶芯片组件烧结在腔体上的焊透率、剪切强度以及散热效果的问题。

    X波段中功率连脉冲放大器的加工方法

    公开(公告)号:CN107708400A

    公开(公告)日:2018-02-16

    申请号:CN201710777766.4

    申请日:2017-09-01

    CPC classification number: H05K13/0465

    Abstract: 本发明涉及微波中功率脉冲放大器技术领域,公开X波段中功率连脉冲放大器的加工方法,包括:步骤1,低频电路板烧结,步骤2,高频电路板烧结,步骤3,元器件烧结,步骤4,装配,步骤5,芯片共晶,步骤6,金丝键合,步骤7,封盖,对F进行封盖处理,得到X波段中功率连脉冲放大器。该涉及X波段中功率连脉冲放大器的加工方法可以实现体积小、安装灵活、可靠性高的目的。

    X波段大功率检波器的加工方法

    公开(公告)号:CN107683027A

    公开(公告)日:2018-02-09

    申请号:CN201710777755.6

    申请日:2017-09-01

    CPC classification number: H05K3/341 H04B1/04 H05K2201/10098

    Abstract: 本发明公开了一种X波段大功率检波器的加工方法,所述加工方法包括:步骤1,微波电路板烧结;分别将微波电路板、绝缘子安装到检波器的腔体中形成组件,并且对所述组件进行烧结;步骤2,元器件烧结;将检波芯片HMC948LP3、四个电容以及三个电阻分别贴装到微波电路板的腔体中,然后对微波电路板上的贴装的元器件进行烧结;步骤3,清洗;使用汽相清洗机将烧结了元器件的微波电路板的腔体进行清洗,且清洗时微波电路板的腔体正面朝下;步骤4,装配。该X波段大功率检波器的加工方法克服现有技术中大多数仅利用器件非线性特性构成的检波电路,存在频带窄、效率低等问题。

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