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公开(公告)号：CN113913789A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111187817.0
申请日：2021-10-12
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/458 , C23C16/455
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体公开了一种托盘基座、气流驱动装置及外延设备的反应室机构，其中，托盘基座底部设有多个圆周阵列的气流槽，多个气流槽通过一进气槽连通，气流槽包括：内槽，与进气槽连通；外槽，与内槽和托盘基座边缘连通；内槽深度小于外槽深度以使得进气槽导入的气流进入内槽中增大动压而托起托盘基座后，再进入外槽中朝外释放而驱动托盘基座旋转；该托盘基座将气流槽设置为内槽和外槽两部分，使得导入的气流从进气槽导入至内槽时产生较大的动压而将托盘基座浮起，其后气流再进入外槽中朝外释放以驱动托盘基座旋转，从而实现了托盘基座先浮起后旋转的启动方式。
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公开(公告)号：CN114775045B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202210438710.7
申请日：2022-04-21
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明属于外延生长技术领域，特别涉及一种外延炉的阀门隔热装置及外延炉，其中，外延炉的阀门隔热装置包括：法兰，用于连接外延炉的反应室和外延炉的传输阀，法兰上设有用于进行衬底上下料的传输口；装置还包括：隔热挡板，活动安装在法兰靠近反应室的一侧；驱动机构，安装在法兰上，且与隔热挡板连接，用于根据反应室的运行状态驱动隔热挡板运动以遮挡或打开传输口；该装置能根据反应室的运行状态利用驱动机构驱动隔热挡板运动以遮挡或打开传输阀与反应室之间的法兰上的传输口，从而减少了传输阀的温升，有效避免了传输阀的阀板因高温而损耗使用寿命，并有效减少反应室内高温对传输室内温度的影响。
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公开(公告)号：CN114990691B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202210794117.6
申请日：2022-07-07
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种外延反应加热控制方法、系统、电子设备及存储介质，外延反应加热控制方法用于外延反应设备，包括以下步骤：输出最大加热功率信息以使外延反应设备的外延腔迅速升温至预设的第一温度信息；根据第一温度信息、预设的第二温度信息以及第二温度信息对应的起始加热功率信息生成加热功率曲线；根据加热功率曲线调节并输出加热功率信息以使外延腔逐渐升温，直至加热功率信息下降至起始加热功率信息；对外延腔进行PID控制加热使外延腔升温至预设的外延反应温度信息所对应的温度，本申请通过上述方法使外延腔在加热过程中不会因为加热功率突变而导致温度产生波动，从而提高加热效率及加热稳定性。
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公开(公告)号：CN113913789B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202111187817.0
申请日：2021-10-12
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/458 , C23C16/455
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体公开了一种托盘基座、气流驱动装置及外延设备的反应室机构，其中，托盘基座底部设有多个圆周阵列的气流槽，多个气流槽通过一进气槽连通，气流槽包括：内槽，与进气槽连通；外槽，与内槽和托盘基座边缘连通；内槽深度小于外槽深度以使得进气槽导入的气流进入内槽中增大动压而托起托盘基座后，再进入外槽中朝外释放而驱动托盘基座旋转；该托盘基座将气流槽设置为内槽和外槽两部分，使得导入的气流从进气槽导入至内槽时产生较大的动压而将托盘基座浮起，其后气流再进入外槽中朝外释放以驱动托盘基座旋转，从而实现了托盘基座先浮起后旋转的启动方式。
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公开(公告)号：CN114093990B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210055643.0
申请日：2022-01-18
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体器件领域，公开了一种紫外LED垂直芯片外延结构及其制备方法，紫外LED垂直芯片外延结构，包括硅衬底以及由下至上依次设置在硅衬底上的预铺Al层、AlN缓冲层、AlyGa1‑yN缓冲层、掺杂Si的N型AlyGa1‑yN电流扩展层、AlyGa1‑yN spacer层、第一掺杂Si的GaN层、应力释放层、第二掺杂Si的GaN层、多量子阱发光层、电子阻挡层、掺杂Mg的P型AlyGa1‑yN电流扩展层、掺杂Mg的P型GaN欧姆接触层；应力释放层和多量子阱发光层均中不掺杂硅。本申请提供的紫外LED垂直芯片外延结构，能够避免因应力释放层和发光层掺Si导致的位错密度增加。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114507900A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210205878.3
申请日：2022-03-04
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种反应腔内表面保护装置、外延反应监控装置及方法，用于保护外延设备的反应腔的内表面，所述反应腔内表面保护装置包括：石墨纸、第一转轴和第二转轴，所述第一转轴和所述第二转轴分别安装在所述反应腔的进气端和出气端，所述石墨纸两端分别套接在所述第一转轴与所述第二转轴上，所述石墨纸在所述反应腔的内顶部具有水平段，且能在所述第一转轴以及所述第二转轴的转动作用下在所述反应腔的内顶部沿单一方向水平输送，通过在反应腔内表面设置保护装置，石墨纸持续工作带走石墨纸上的结晶，防止结晶掉落在衬底上，且无需对反应腔内表面频繁清洗。
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公开(公告)号：CN114277360B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202111640300.2
申请日：2021-12-29
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/458
Abstract: 本申请涉及化学气相沉积技术领域，具体提供了一种化学气相沉积装置，其包括：反应腔；衬托器，倾斜设置在上述反应腔内，用于放置衬底；供气组件，设置在上述反应腔的一端，包括竖直排列设置的多条进气气路，多条所述进气气路分别用于输送包含不同浓度的原料气体的外延气体，所述供气组件通过所述进气气路朝所述衬托器输送的所述外延气体中的所述原料气体的浓度随高度下降而减小；能够有效地对衬底上方的原料气体的浓度进行补偿，从而提高衬底上形成的薄膜厚度的均匀性。
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公开(公告)号：CN116539638A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310810542.4
申请日：2023-07-04
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于测量掺杂浓度的技术领域，公开了一种掺杂浓度测量方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：步骤S101，获取测量点的数量和位置坐标，步骤S102，根据数量和位置坐标，对测量点进行拍照，得到测量点的位置图片，步骤S103，基于位置图片，对测量点进行坐标修正，得到修正坐标后的测量点，步骤S104，对修正坐标后的测量点进行测量，得到修正坐标后的测量点的掺杂浓度数据，通过测量修正坐标后的测量点的掺杂浓度，以获取测量点的掺杂浓度，提高了掺杂浓度的测量效率。
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公开(公告)号：CN114753001B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202210481219.2
申请日：2022-05-05
Applicant: 季华实验室
IPC: C30B25/08 , C30B25/16 , C30B25/14 , C30B25/12 , C23C16/52 , C23C16/458 , C23C16/455
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种外延沉积反应室、沉积系统及沉积方法，其包括：所述反应室包括上半月石墨腔体和下半月石墨腔体，所述上半月石墨腔体两侧通过侧壁支撑石墨件与所述下半月石墨腔体连接，以围合构成气体反应腔，所述上半月石墨腔体的底壁具有多条平行设置的冷却流道，所述上半月石墨腔体一侧设有与所述冷却流道连接的冷却气体提供组件，所述冷却气体提供组件用于在所述反应室进行外延生长时为所述冷却流道提供所述冷却气体；该外延沉积反应室能够有效地减少由于反应气体在上半月石墨腔体的底壁发生化学反应而形成晶体的情况。
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公开(公告)号：CN114277360A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111640300.2
申请日：2021-12-29
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/458
Abstract: 本申请涉及化学气相沉积技术领域，具体提供了一种化学气相沉积装置，其包括：反应腔；衬托器，倾斜设置在上述反应腔内，用于放置衬底；供气组件，设置在上述反应腔的一端，包括竖直排列设置的多条进气气路，多条所述进气气路分别用于输送包含不同浓度的原料气体的外延气体，所述供气组件通过所述进气气路朝所述衬托器输送的所述外延气体中的所述原料气体的浓度随高度下降而减小；能够有效地对衬底上方的原料气体的浓度进行补偿，从而提高衬底上形成的薄膜厚度的均匀性。
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