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公开(公告)号：CN114753001B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202210481219.2
申请日：2022-05-05
Applicant: 季华实验室
IPC: C30B25/08 , C30B25/16 , C30B25/14 , C30B25/12 , C23C16/52 , C23C16/458 , C23C16/455
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种外延沉积反应室、沉积系统及沉积方法，其包括：所述反应室包括上半月石墨腔体和下半月石墨腔体，所述上半月石墨腔体两侧通过侧壁支撑石墨件与所述下半月石墨腔体连接，以围合构成气体反应腔，所述上半月石墨腔体的底壁具有多条平行设置的冷却流道，所述上半月石墨腔体一侧设有与所述冷却流道连接的冷却气体提供组件，所述冷却气体提供组件用于在所述反应室进行外延生长时为所述冷却流道提供所述冷却气体；该外延沉积反应室能够有效地减少由于反应气体在上半月石墨腔体的底壁发生化学反应而形成晶体的情况。
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公开(公告)号：CN113718333A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111020536.6
申请日：2021-09-01
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及外延生长技术领域，具体明公开了一种外延炉的匀气盒及气体输送组件，其中，匀气盒，用于朝外延炉的反应室输送反应气体，包括：用于朝外延炉的反应室输送反应气体，包括：盒体，盒体长度为10‑30cm，盒体内设有若干沿其长度方向设置的气孔，若干气孔包括若干小孔和若干大孔，若干大孔对称分设于小孔两侧；该匀气盒长度为10‑30cm，能使反应气体沿着气孔在盒体中进行输送从而形成若干道平行流动的反应气体气流，确保匀气盒输出的反应气体稳定不紊乱，使得晶体生长更均匀，同时采将气孔布置为中间小、两侧大的形式，使得两侧边缘气流的流速高于传统导气筒导出的两侧边缘气流的流速，从而解决衬底边缘的温度均匀性差的问题。
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公开(公告)号：CN119245357A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411780098.7
申请日：2024-12-05
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及热处理技术领域，具体提供了一种用于热处理设备的传片系统及方法，该系统包括：缓存室；过渡室；控制器，用于控制机械臂将待热处理外延片移动至缓存舟架上或将完成冷却的已热处理外延片移动至片盒上，还用于控制机械臂将待热处理外延片移动至热处理设备内或将已热处理外延片移动至缓存舟架上，还用于在片盒上的所有待热处理外延片均被取出或片盒上放满完成冷却的已热处理外延片时，控制第一开关闸门关闭，然后控制第二开关闸门打开，还用于在完成片盒的更换后，控制第二开关闸门关闭，然后控制第一开关闸门打开；该系统能够在避免热处理设备暴露在非洁净环境中的情况下同时对过渡室进行片盒的取放和对热处理设备进行外延片的上下料。
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公开(公告)号：CN119194603A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411715094.0
申请日：2024-11-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种双蝶阀控压系统、方法及外延炉，该系统包括：排气管道，其上依次设有门阀、第一压力采集组件、第一蝶阀和工艺泵；调压管，其上设有第二蝶阀；第二压力采集组件；控制器，用于根据第一预设开度范围、第一压力信息和第一预设压力调节第一蝶阀的开度，并在第一蝶阀的开度变化量位于第一预设开度范围内且第一压力信息与第一预设压力的差值位于第一预设压力范围内时，根据第二预设开度范围、第二压力信息和第一预设压力调节第二蝶阀的开度；该系统能够有效地减少第一蝶阀的开度的调整次数，从而有效地延长第一蝶阀的使用寿命，进而有效地降低外延炉的维护周期。
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公开(公告)号：CN113718333B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202111020536.6
申请日：2021-09-01
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及外延生长技术领域，具体明公开了一种外延炉的匀气盒及气体输送组件，其中，匀气盒，用于朝外延炉的反应室输送反应气体，包括：用于朝外延炉的反应室输送反应气体，包括：盒体，盒体长度为10‑30cm，盒体内设有若干沿其长度方向设置的气孔，若干气孔包括若干小孔和若干大孔，若干大孔对称分设于小孔两侧；该匀气盒长度为10‑30cm，能使反应气体沿着气孔在盒体中进行输送从而形成若干道平行流动的反应气体气流，确保匀气盒输出的反应气体稳定不紊乱，使得晶体生长更均匀，同时采将气孔布置为中间小、两侧大的形式，使得两侧边缘气流的流速高于传统导气筒导出的两侧边缘气流的流速，从而解决衬底边缘的温度均匀性差的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114753001A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210481219.2
申请日：2022-05-05
Applicant: 季华实验室
IPC: C30B25/08 , C30B25/16 , C30B25/14 , C30B25/12 , C23C16/52 , C23C16/458 , C23C16/455
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种外延沉积反应室、沉积系统及沉积方法，其包括：所述反应室包括上半月石墨腔体和下半月石墨腔体，所述上半月石墨腔体两侧通过侧壁支撑石墨件与所述下半月石墨腔体连接，以围合构成气体反应腔，所述上半月石墨腔体的底壁具有多条平行设置的冷却流道，所述上半月石墨腔体一侧设有与所述冷却流道连接的冷却气体提供组件，所述冷却气体提供组件用于在所述反应室进行外延生长时为所述冷却流道提供所述冷却气体；该外延沉积反应室能够有效地减少由于反应气体在上半月石墨腔体的底壁发生化学反应而形成晶体的情况。
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公开(公告)号：CN114082729A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202210056227.2
申请日：2022-01-18
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种外延炉反应腔的清洗系统、方法、设备和存储介质，该系统用于清洗外延炉反应腔顶壁上堆积的杂质，该系统包括移动装置；激光测距仪，安装在移动装置上，用于测量激光测距仪到反应腔顶壁的最短距离以获取距离信息；可升降的清洗装置，安装在移动装置上，用于对反应腔顶壁的杂质进行清洗；控制器，用于实时获取激光测距仪测得的距离信息和获取反应腔模型，进而获取清洗路径信息，并根据上述信息生成杂质厚度信息组；还可根据清洗路径信息控制移动装置移动和根据杂质厚度信息组调节清洗装置的升降高度，以逐步清洗反应腔顶壁的杂质，此方法无需拆卸反应腔即可得到光洁的反应腔顶壁。
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公开(公告)号：CN113913789A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111187817.0
申请日：2021-10-12
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/458 , C23C16/455
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体公开了一种托盘基座、气流驱动装置及外延设备的反应室机构，其中，托盘基座底部设有多个圆周阵列的气流槽，多个气流槽通过一进气槽连通，气流槽包括：内槽，与进气槽连通；外槽，与内槽和托盘基座边缘连通；内槽深度小于外槽深度以使得进气槽导入的气流进入内槽中增大动压而托起托盘基座后，再进入外槽中朝外释放而驱动托盘基座旋转；该托盘基座将气流槽设置为内槽和外槽两部分，使得导入的气流从进气槽导入至内槽时产生较大的动压而将托盘基座浮起，其后气流再进入外槽中朝外释放以驱动托盘基座旋转，从而实现了托盘基座先浮起后旋转的启动方式。
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公开(公告)号：CN119194603B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411715094.0
申请日：2024-11-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种双蝶阀控压系统、方法及外延炉，该系统包括：排气管道，其上依次设有门阀、第一压力采集组件、第一蝶阀和工艺泵；调压管，其上设有第二蝶阀；第二压力采集组件；控制器，用于根据第一预设开度范围、第一压力信息和第一预设压力调节第一蝶阀的开度，并在第一蝶阀的开度变化量位于第一预设开度范围内且第一压力信息与第一预设压力的差值位于第一预设压力范围内时，根据第二预设开度范围、第二压力信息和第一预设压力调节第二蝶阀的开度；该系统能够有效地减少第一蝶阀的开度的调整次数，从而有效地延长第一蝶阀的使用寿命，进而有效地降低外延炉的维护周期。
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公开(公告)号：CN114540800B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202210171589.6
申请日：2022-02-24
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及衬底预热系统、方法、电子设备、存储介质及外延设备，用于在反应前对衬底进行预热，包括：预热装置、反应装置、移动装置、控制器，控制器与预热装置、反应装置和移动装置电性连接，用于获取预热装置内的第一温度信息和反应装置内的第二温度信息，还用于调节预热装置的温度和反应装置的温度，在反应装置需要装入新的衬底时，控制预热装置升温和反应装置降温，并在第一温度信息大于或等于第二温度信息时，同时控制预热装置停止升温和反应装置停止降温，并控制移动装置将预热装置内新的衬底转移至反应装置中，本申请通过上述系统，实现衬底从预热装置移动到反应装置的动态控制，提高了衬底的预热效率。
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