公开(公告)号：CN117174642A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202311263317.X

申请日：2023-09-27

Applicant: 季华实验室

Inventor： 戴科峰 ,  唐卓睿 ,  吴国发 ,  高桑田 ,  梁启恒

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/677 ,  H01L21/67

Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种用于外延生长设备的晶圆上料方法、装置及系统，该方法包括以下步骤：在机械手将晶圆移动至反应腔内时，基于位于反应腔外的UWB雷达扫描反应腔，以获取第一雷达扫描信息；根据第一雷达扫描信息分析晶圆的实际位置是否与预设的目标位置重合；若实际位置与目标位置不重合，则根据实际位置和目标位置控制机械手对晶圆的位置进行调整，并在实际位置与目标位置重合时控制机械手放下晶圆；该方法能够有效地避免出现由于只有在机械手无法对晶圆进行正常下料时才能发现晶圆位置偏移或托盘位置偏移而导致产生薄膜不均匀的残次品，造成资源和时间的浪费以及机械手在晶圆下料时抓取错误位置，晶圆损坏的问题。

公开(公告)号：CN117174626A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202311457585.5

申请日：2023-11-03

Applicant: 季华实验室

Inventor： 唐卓睿 ,  戴科峰 ,  吴国发

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/268 ,  C30B29/36 ,  C30B33/02

Abstract: 本申请涉及激光退火领域，具体而言，涉及一种用于碳化硅晶圆的激光退火方法和系统，其中激光退火方法包括在对碳化硅晶圆进行激光退火前，获取碳化硅晶圆的图像信息；根据图像信息获取碳化硅晶圆的缺口位置信息；根据缺口位置信息和预设扫描路径信息生成修正扫描路径信息；根据修正扫描路径信息控制驱动件驱动碳化硅晶圆位移以使激光源对碳化硅晶圆进行激光退火。本申请的激光退火方法能解决存在缺口的碳化硅晶圆的缺口的方向与预设方向不一致，导致碳化硅晶圆上部分区域无法被扫描到和扫描路径超出碳化硅晶圆边缘使得激光照射到晶圆承载台上的问题，达到扫描路径遍历碳化硅晶圆上表面且不超出碳化硅晶圆的边缘的效果。

公开(公告)号：CN116516485A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310704429.8

申请日：2023-06-14

Applicant: 季华实验室

Inventor： 刘自然 ,  张南 ,  吴国发

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/18 ,  H01L21/02 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明公开了一种变温度碳化硅外延方法及一种碳化硅外延片，属于半导体工艺领域，方法步骤包括，以第一硅源氢气比、第一碳硅比和第一掺杂浓度在第一温度下生长出第一缓冲层，将反应室温度提高至第二温度短暂刻蚀后，在第二温度下重新通入满足第一硅源氢气比、第一碳硅比的硅源和碳源，并通入具有更低掺杂浓度的掺杂源，生长出第二缓冲层，将反应室温度降回第一温度短暂刻蚀后，以第一温度生长高速外延层。本发明在第二温度形成台阶聚集形貌，阻止三角形缺陷沿 方向的扩展，整个工艺中通过升降温过程中断外延工艺，形成生长界面，通过界面上的碳空位钉扎基平面位错，阻止其延伸进入外延层，提高基平面位错向刃位错的转化效率。

公开(公告)号：CN116190217A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202310419902.8

申请日：2023-04-19

Applicant: 季华实验室

Inventor： 张南 ,  黄吉裕 ,  郭嘉杰 ,  吴国发 ,  刘自然 ,  毛朝斌 ,  伍三忠

IPC: H01L21/205 ,  C30B25/18 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明公开了一种有效减少碳化硅外延层三角形缺陷的方法，属于半导体加工领域，步骤包括，以第一硅源流量和第一碳源流量在碳化硅衬底上生长低速低碳硅比缓冲层；保持硅源流量不变，使碳源流量按关于时间的S型曲线增大达到第二碳源流量，期间形成碳硅比过渡层；以第一硅源流量和第二碳源流量生长低速高碳硅比缓冲层；从第一硅源流量增大过渡至第二硅源流量，且同时从第二碳源流量增大过渡至第三碳源流量，期间保持碳硅比不变，形成源流量过渡层；以第二硅源流量和第三碳源流量生长出高速外延层。该方法将碳硅比变化过程和生长速率变化过程分离，并且使碳硅比变化过程的起点和终点附近平滑过渡，有利于减少三角形缺陷。