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公开(公告)号：CN112768336A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110174995.3
申请日：2018-08-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种具有制冷剂用的流路的部件，其包括：形成有上述流路的基座；和设置在上述流路内的能够升降可能或旋转的突起状部件。由此，不进行设计变更，就能够进行用于实现基片温度的均匀性的修正。
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公开(公告)号：CN109425414B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201811009097.7
申请日：2018-08-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01F25/00
Abstract: 本发明提供一种检查在累加法中利用的流量测量系统是否处于适合于准确求取气体流量的状态的方法。一个实施方式的方法涉及在基板处理系统中使用的检查流量测量系统的方法。流量测量系统提供基于累加法的流量的计算中使用的气体流路。由基板处理系统的气体供给部的流量控制器输出的气体能够向该气体流路供给。在该方法中，除了气体流路的容积的预先所求取的初始值之外，还在流量测量系统的检查时求取该气体流路的容积。并且，将所求取的容积与初始值进行比较。
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公开(公告)号：CN108447760B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201810150376.9
申请日：2018-02-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置和维护装置。抑制进行基板的输送的输送系统的污染地更换消耗零件。维护装置(100)相对于等离子体蚀刻装置(10)的第2闸门(95)保持气密性、同时安装于等离子体蚀刻装置(10)的第2闸门(95)，该等离子体蚀刻装置(10)在处理容器(30)设有与用于晶圆(W)的输入输出的第1闸门(84)不同的第2闸门(95)。维护装置(100)经由第2闸门(95)进行处理容器(30)内的消耗零件的拆卸、消耗零件向处理容器(30)内的安装、处理容器(30)内的清扫中的至少一者。
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公开(公告)号：CN108987231B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201810539508.7
申请日：2018-05-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/263
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，使用一个等离子体处理装置，执行供给至基座的高频功率和所要求的基片的面内温度分布不同的多个步骤。一个实施方式的等离子体处理方法包括：在腔室内对基片实施第1等离子体处理的步骤；和在腔室内对基片实施第2等离子体处理的步骤。在实施第1等离子体处理的步骤中，驱动静电吸盘的吸盘主体内的多个第1加热器，驱动该吸盘主体内的多个第2加热器。在实施第2等离子体处理的步骤中，至少使多个第2加热器的驱动停止。
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公开(公告)号：CN109427532A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810971767.7
申请日：2018-08-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种具有制冷剂用的流路的部件，其包括：形成有上述流路的基座；和设置在上述流路内的能够升降可能或旋转的突起状部件。由此，不进行设计变更，就能够进行用于实现基片温度的均匀性的修正。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108987231A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810539508.7
申请日：2018-05-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/263
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，使用一个等离子体处理装置，执行供给至基座的高频功率和所要求的基片的面内温度分布不同的多个步骤。一个实施方式的等离子体处理方法包括：在腔室内对基片实施第1等离子体处理的步骤；和在腔室内对基片实施第2等离子体处理的步骤。在实施第1等离子体处理的步骤中，驱动静电吸盘的吸盘主体内的多个第1加热器，驱动该吸盘主体内的多个第2加热器。在实施第2等离子体处理的步骤中，至少使多个第2加热器的驱动停止。
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公开(公告)号：CN108447760A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810150376.9
申请日：2018-02-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置和维护装置。抑制进行基板的输送的输送系统的污染地更换消耗零件。维护装置(100)相对于等离子体蚀刻装置(10)的第2闸门(95)保持气密性、同时安装于等离子体蚀刻装置(10)的第2闸门(95)，该等离子体蚀刻装置(10)在处理容器(30)设有与用于晶圆(W)的输入输出的第1闸门(84)不同的第2闸门(95)。维护装置(100)经由第2闸门(95)进行处理容器(30)内的消耗零件的拆卸、消耗零件向处理容器(30)内的安装、处理容器(30)内的清扫中的至少一者。
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公开(公告)号：CN102341760B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN200980157836.X
申请日：2009-11-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社富士金
IPC: G05D7/06 , C23C16/52 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45561 , H01L21/67017 , Y10T137/0396
Abstract: 本发明提供一种流体控制装置，能够减少成本，并且能够实现空间的减少。流体控制装置(1)具有流体控制部(2)和流体导入部(3)。流体导入部(3)被分成三部分，包括：配置在入口侧且分别由2×N/2个开闭阀(23)构成的第一以及第二入口侧阻断开放部(5、6)；由4×M个开闭阀(23)构成且配置在第一以及第二入口侧阻断开放部(5、6)和流体控制部(2)之间的流体控制部侧阻断开放部(7)。
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公开(公告)号：CN101231943B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810005545.6
申请日：2003-11-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01J37/32 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32541 , H01J37/3255 , H01J37/32587
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其具有：可以设置成有真空气氛的处理容器；与在所述处理容器内配置在规定位置的被处理基板相对向而环状地配置的第一上部电极；在所述第一上部电极的半径方向内侧以与其电绝缘状态配置的第二上部电极；向所述处理容器内提供处理气体的处理气体供给部；输出第一高频的第一高频电源；把来自所述第一高频电源的所述第一高频以第一功率值提供给所述第一上部电极的第一供电部；把来自所述第一高频电源的所述第一高频，从所述第一供电部分出，以比所述第一功率值小的第二功率值提供给所述第二上部电极的第二供电部，所述第一上部电极具有与所述第二上部电极的下面相比还向下方突出的突出部分。
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公开(公告)号：CN100364064C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200410078499.4
申请日：2004-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/302
Abstract: 提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。
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