公开(公告)号：CN104051430A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310300949.9

申请日：2013-07-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄伟杰

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L23/544 ,  G03F7/70633 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76883 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种对准方法和装置。一种示例性装置包括形成在衬底上的重合标记；以及形成在所述重合标记附近的多个伪部件。所述伪部件具有低于对准检测工具的最小分辨率的尺寸。将所述重合标记与它最近的伪部件分离的最小距离与重合标记形成的半导体制造技术代相关。本发明还公开了隐形的伪部件及其形成方法。

公开(公告)号：CN111128861B

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN201911051128.X

申请日：2019-10-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄才铭 ,  黄伟杰 ,  匡训冲 ,  朱彦璋 ,  鍾政哲 ,  梁晋玮 ,  郭景森 ,  陈界璋 ,  许峰嘉 ,  陈昇照

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538 ,  H01L23/544

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法。制造半导体装置的方法包含，第一层间介电层形成于基材上，化学机械研磨停止层形成于第一层间介电层上，经由图案化化学机械研磨停止层以及第一层间介电层形成沟槽，金属层形成于化学机械研磨停止层上以及沟槽中，化学机械研磨牺牲层形成于金属层上，于化学机械研磨牺牲层以及金属层上执行化学机械研磨操作，以移除化学机械研磨停止层上方的金属层的部分，并移除沟槽上的化学机械研磨牺牲层的剩余部分。

公开(公告)号：CN111223830A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201910923175.2

申请日：2019-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭震宇 ,  谢静华 ,  余振华 ,  刘重希 ,  雷弋昜 ,  黄伟杰

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/66 ,  H01Q1/22

Abstract: 一种封装结构包括半导体管芯、绝缘封装体、第一重布线层、第二重布线层、天线元件及第一绝缘膜。绝缘封装体包封所述至少一个半导体管芯，绝缘封装体具有第一表面及与第一表面相对的第二表面。第一重布线层设置在绝缘封装体的第一表面上。第二重布线层设置在绝缘封装体的第二表面上。天线元件位于第二重布线层之上。第一绝缘膜设置在第二重布线层与天线元件之间，其中第一绝缘膜包括富含树脂区及富含填料区，富含树脂区位于富含填料区与第二重布线层之间且将富含填料区与第二重布线层隔开。

公开(公告)号：CN221262337U

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202322197823.5

申请日：2023-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗祐青 ,  袁景滨 ,  黄伟杰 ,  郭震宇 ,  雷弋昜 ,  谢静华

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/677

Abstract: 本实用新型实施例提供一种工件卡盘以及具有此工件卡盘的工件搬运设备。工件卡盘包括支撑平台、真空系统及渗气缓冲层。所述支撑平台具有用于在其上固持工件的支撑表面。所述真空系统设置于所述支撑平台的下方并与所述支撑平台气体连通。所述渗气缓冲层设置于所述支撑平台的上方并覆盖所述支撑表面，其中所述渗气缓冲层的硬度标度小于所述支撑平台的硬度标度。