公开(公告)号：CN103137624B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201210036781.0

申请日：2012-02-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢铭峰 ,  张长昀 ,  陈欣志

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/66636

Abstract: 本发明公开了一种具有隔离部件的半导体器件。所述半导体器件包括多个设置在半导体衬底上的栅极结构、形成在所述多个栅极结构的各个侧壁上的多个电介质材料的侧壁间隔件、设置在所述半导体衬底和所述栅极结构上的层间电介质(ILD)、嵌入所述半导体衬底并延伸至所述ILD的隔离部件以及设置在所述隔离部件的延伸部的侧壁上的电介质材料的侧壁间隔件。本发明还公开了高栅极密度器件和方法。

公开(公告)号：CN103117243B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201210074766.5

申请日：2012-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张开泰 ,  陈颐珊 ,  陈欣志 ,  柯志欣 ,  万幸仁

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/02653 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76229

Abstract: 一种方法，包括：在衬底上方形成硬掩模，图案化硬掩模以形成第一多个沟槽，以及在第一多个沟槽内填充有介电材料以形成多个介电区域。从多个介电区域之间去除硬掩模，其中，通过去除硬掩模留下第二多个沟槽。实施外延步骤以在第二多个沟槽内生长半导体材料。本发明还提供了反调STI形成。

公开(公告)号：CN103219340B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201210192137.2

申请日：2012-06-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余绍铭 ,  张长昀 ,  张志豪 ,  陈欣志 ,  张开泰 ,  谢铭峰 ,  吕奎亮 ,  林以唐

IPC: H01L27/085 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了一种半导体结构。该半导体结构包括半导体衬底；形成在半导体衬底中的隔离部件；形成在所述半导体衬底中的第一有源区和第二有源区，其中所述第一有源区和第二有源区在第一方向延伸并且通过所述隔离部件彼此分隔；以及设置在隔离部件上的伪栅极，其中所述伪栅极在第一方向从一侧延伸至所述第一有源区并且从另一侧延伸至所述第二有源区。本发明还公开了用于具有线端延长的晶体管的结构和方法。

公开(公告)号：CN103117243A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201210074766.5

申请日：2012-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张开泰 ,  陈颐珊 ,  陈欣志 ,  柯志欣 ,  万幸仁

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/02653 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76229

Abstract: 一种方法，包括：在衬底上方形成硬掩模，图案化硬掩模以形成第一多个沟槽，以及在第一多个沟槽内填充有介电材料以形成多个介电区域。从多个介电区域之间去除硬掩模，其中，通过去除硬掩模留下第二多个沟槽。实施外延步骤以在第二多个沟槽内生长半导体材料。本发明还提供了反调STI形成。

公开(公告)号：CN101510499B

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN200810135497.2

申请日：2008-08-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李俊鸿 ,  钟嘉麒 ,  陈欣志 ,  许俊豪 ,  陈能国

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明涉及一种在沟渠中的集成电路结构的蚀刻方法。设置欲蚀刻层于此结构上与沟渠中。沉积碳氟基(CF-based)聚合物于欲蚀刻层上，再沉积氧氯化硅(SiOCl)基聚合物的覆盖层。碳氟基聚合物降低沟渠的宽度至一程度，以使很少或没有氧氯化硅基聚合物沉积在沟渠的底部。进行氧等离子体蚀刻，以蚀刻穿过位在沟渠底部的碳氟基聚合物。此氧等离子体蚀刻对氧氯化硅基聚合物具有很小的作用，因此结构的上表面仍受到聚合物的覆盖。因此，这些上表面在后续蚀刻欲蚀刻层期间仍受到充分的保护。

公开(公告)号：CN101510499A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200810135497.2

申请日：2008-08-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李俊鸿 ,  钟嘉麒 ,  陈欣志 ,  许俊豪 ,  陈能国

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明涉及一种在沟渠中的集成电路结构的蚀刻方法。设置欲蚀刻层于此结构上与沟渠中。沉积碳氟基(CF－based)聚合物于欲蚀刻层上，再沉积氧氯化硅(SiOCl)基聚合物的覆盖层。碳氟基聚合物降低沟渠的宽度至一程度，以使很少或没有氧氯化硅基聚合物沉积在沟渠的底部。进行氧等离子体蚀刻，以蚀刻穿过位在沟渠底部的碳氟基聚合物。此氧等离子体蚀刻对氧氯化硅基聚合物具有很小的作用，因此结构的上表面仍受到聚合物的覆盖。因此，这些上表面在后续蚀刻欲蚀刻层期间仍受到充分的保护。