公开(公告)号：CN106601753B

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201610786074.1

申请日：2016-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑国裕 ,  赵治平 ,  蔡冠智 ,  陈世雄 ,  蔡维恭

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明的一些实施例涉及一种半导体器件。半导体器件包括衬底，衬底包括设置在绝缘层上方的硅层。衬底包括晶体管器件区域和射频(RF)区域。互连结构设置在衬底上方并且包括设置在介电结构内的多个金属层。处理衬底设置在互连结构的上表面上方。捕获层使互连结构与处理衬底分离。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN109786402A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201810721617.0

申请日：2018-07-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴明锜 ,  杜建男 ,  林坤佑 ,  陈世雄

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了具有吸收增强半导体层的图像传感器。在一些实施例中，图像传感器包括：堆叠的前侧半导体层、吸收增强半导体层和背侧半导体层。吸收增强半导体层堆叠在前侧半导体层和背侧半导体层之间。吸收增强半导体层具有小于前侧半导体层的能带隙。此外，图像传感器包括多个突起和光电探测器。突起由背侧半导体层限定，并且光电探测器由前侧半导体层、吸收增强半导体层和背侧半导体层限定。

公开(公告)号：CN110660817A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910184019.9

申请日：2019-03-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴明锜 ,  方俊杰 ,  苏柏菖 ,  杜建男 ,  叶玉隆 ,  林坤佑 ,  陈世雄

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种方法包括蚀刻半导体衬底以形成沟槽，将介电层填充到沟槽中，其中，在沟槽中和介电层的相对部分之间形成空隙，蚀刻介电层以暴露空隙，在介电层上形成扩散阻挡层，以及在扩散阻挡层上形成高反射率金属层。高反射率金属层具有延伸到沟槽中的部分。通过高反射率金属层包围空隙的剩余部分。本发明的实施例还提供了抗裂缝的深沟槽隔离结构、图像传感器结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN106601753A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201610786074.1

申请日：2016-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑国裕 ,  赵治平 ,  蔡冠智 ,  陈世雄 ,  蔡维恭

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明的一些实施例涉及一种半导体器件。半导体器件包括衬底，衬底包括设置在绝缘层上方的硅层。衬底包括晶体管器件区域和射频(RF)区域。互连结构设置在衬底上方并且包括设置在介电结构内的多个金属层。处理衬底设置在互连结构的上表面上方。捕获层使互连结构与处理衬底分离。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN104952892A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201410682658.5

申请日：2014-11-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杜建男 ,  叶玉隆 ,  林杏芝 ,  黄建彰 ,  陈世雄

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/14625 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，用于感测入射光，并且该半导体器件包括衬底、器件层、半导体层和滤色镜层。器件层设置在衬底上并且包括感光区域。半导体层覆盖器件层并且具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。第一表面邻近器件层。半导体层包括位于第二表面上的微结构。滤色镜层设置在半导体层的第二表面上。本发明还提出了一种制造该半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN1459865A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN02119729.6

申请日：2002-05-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许荣显 ,  曾健庭 ,  周宏昕 ,  陈世雄

IPC: H01L27/112 ,  H01L21/8246 ,  G11C17/08

Abstract: 本发明的罩幕式只读存储器包括：彼此互相平行的第一埋入式N型掺杂层和第二埋入式N型掺杂层、分别与其相对应的第一接触窗和第二接触窗、以及与其垂直的闸极；其中第一埋入式N型掺杂层的第一端延伸至周边电路区，且第一接触窗配置于此；第二埋入式N型掺杂层的第二端亦延伸至周边电路区，且第二接触窗配置于此；第一埋入式N型掺杂层的第一端与第二埋入式N型掺杂层的第一端同侧，且第一埋入式N型掺杂层的第二端与第二埋入式N型掺杂层的第二端同侧。