公开(公告)号：CN112305856B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202010751636.5

申请日：2020-07-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  杨淳復 ,  连大成 ,  李信昌

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/64 ,  G03F7/20

Abstract: 本揭露描述一种极紫外光微影光罩与图案化半导体晶圆的方法。此方法包括接收极紫外光微影光罩，其包括具有低温膨胀材料的基材，位在基材上的反射多层膜，位在反射多层膜上的覆盖层及位于覆盖层上的吸收层。此方法还包括图案化吸收层，以在极紫外光微影光罩上形成沟渠，其中沟渠具有在目标宽度以上的第一宽度。此方法还包括使用氧电浆处理极紫外光微影光罩，以将沟渠减少到第二宽度，第二宽度小于目标宽度。此方法亦包括使用氮电浆处理极紫外光微影光罩，以保护覆盖层，其中使用氮电浆处理极紫外光微影光罩扩大沟渠至在目标宽度的第三宽度。

公开(公告)号：CN115903372A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202210767783.0

申请日：2022-07-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李伟豪 ,  许倍诚 ,  李环陵 ,  连大成 ,  李信昌 ,  林进祥

IPC: G03F1/48

Abstract: 本公开涉及具有涂层的光学组件和使用方法。经涂覆的纳米管和纳米管束被形成为用于EUV光刻系统中的光学组件的膜。这些光学组件可用于对半导体衬底上的材料进行图案化的方法。这样的方法涉及在UV光刻系统中产生UV辐射。UV辐射穿过光学组件，如薄膜组件的涂覆层。穿过涂覆层的UV辐射穿过单个纳米管的矩阵或纳米管束的矩阵。穿过单个纳米管的矩阵或纳米管束的矩阵的UV辐射从掩模反射并在半导体衬底处接收。

公开(公告)号：CN115877649A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202210859358.4

申请日：2022-07-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李信昌 ,  许倍诚 ,  李伟豪 ,  林秉勋 ,  连大成 ,  余青芳

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/48 ,  G03F1/54

Abstract: 本公开涉及极紫外掩模、使用极紫外掩模的方法以及图案化方法。极紫外(EUV)掩模包括衬底、位于衬底上的反射多层堆叠、以及位于反射多层堆叠上的单层或多层帽盖特征。帽盖特征包括一个或多个帽盖层，该一个或多个帽盖层包括具有非晶结构的材料。其他描述的实施例包括(一个或多个)帽盖层，该(一个或多个)帽盖层包含具有小于约3的第一固态碳溶解度的(一种或多种)元素。在多层帽盖特征实施例中，各个帽盖层的(一种或多种)元素具有不同的固态碳溶解度特性。

公开(公告)号：CN115220296A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210628062.1

申请日：2022-06-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建诚 ,  李环陵 ,  连大成 ,  陈嘉仁 ,  李信昌

IPC: G03F1/30

Abstract: 本公开涉及光刻掩模和方法。提供了一种光刻掩模，包括衬底、位于衬底上的相移层和蚀刻停止层。相移层被图案化并且衬底被蚀刻停止层保护免受蚀刻。蚀刻停止层可以是对光刻工艺中使用的光半透射的材料，或者可以是对光刻工艺中使用的光透射的材料。

公开(公告)号：CN115016226A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202110820401.1

申请日：2021-07-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李信昌 ,  许倍诚 ,  连大成 ,  陈立锐 ,  高蔡胜 ,  林进祥

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/22

Abstract: 一种薄膜组件和倍缩光罩组件的形成方法以及薄膜膜状物，形成薄膜组件的方法包括减少一或多个初始膜状物的厚度以获得薄膜膜状物。接着将薄膜膜状物固定至安装框架以获得薄膜组件。可施加压缩压力以减少初始膜状物的厚度。可替代的是，通过拉伸初始膜状物来减少厚度以获得经延伸膜状物。接着将安装框架固定至经延伸膜状物的一部分。接着将安装框架及经延伸膜状物的此部分与经延伸膜状物的其余部分分离，以获得薄膜组件。所得薄膜组件包括附接至安装框架的薄膜膜状物。薄膜膜状物可由纳米管形成且具有高透射率、低偏转及小微孔尺寸的组合。

公开(公告)号：CN114647156A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202210126552.1

申请日：2022-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  林秉勋 ,  连大成 ,  李信昌

IPC: G03F7/20

Abstract: 本公开提供了带涂覆层的光学组件及使用方法。在EUV光刻系统中，经涂覆的纳米管和纳米管束被形成在光学组件中有用的膜中。这些光学组件在用于在半导体衬底上图案化材料的方法中有用。这样的方法涉及在UV光刻系统中产生UV辐射。UV辐射穿过光学组件(例如，薄膜组件)的涂覆层。已穿过涂覆层的UV辐射穿过个体纳米管的基体或纳米管束的基体。穿过个体纳米管的基体或纳米管束的基体的UV辐射从掩模反射并在半导体衬底处被接收。

公开(公告)号：CN114077158A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202111008318.0

申请日：2021-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈冠铭 ,  许倍诚 ,  连大成 ,  王子奕 ,  李信昌

IPC: G03F1/38 ,  G03F1/24 ,  G03F1/54

Abstract: 本公开涉及用于极紫外掩模的吸收材料。一种极紫外掩模包括：衬底；反射多层堆叠，位于衬底之上；帽盖层，位于反射多层堆叠之上；图案化吸收层，位于帽盖层的第一部分之上；以及磁性层，位于帽盖层的围绕第一部分的第二部分之上。

公开(公告)号：CN113589640A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202010969692.6

申请日：2020-09-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 薛文章 ,  李信昌 ,  连大成

IPC: G03F1/24

Abstract: 一种极紫外线微影遮罩和其制造方法，制造极紫外线微影遮罩的方法包括形成多层反射层、在多层反射层上形成缓冲层，以及在多层反射层上形成吸收层。在图案化吸收层之前，移除吸收层的外部部分。接着沉积光阻层在吸收层的顶表面上及吸收层的侧壁上。接着图案化光阻层，且在图案化光阻层的存在下，以电浆蚀刻制程蚀刻吸收层。在电浆蚀刻制程期间，在吸收层侧壁上的光阻层有助于改良蚀刻吸收层的均匀性。

公开(公告)号：CN113406854A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202110041748.6

申请日：2021-01-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李信昌 ,  陈嘉仁 ,  许倍诚 ,  连大成

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/22 ,  G03F1/38 ,  G03F1/76 ,  G03F1/56 ,  G03F1/48

Abstract: 本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。在一种制造反射掩模的方法中，在掩模坯之上形成光致抗蚀剂层。掩模坯包括衬底、在衬底上的反射多层、在反射多层上的帽盖层、在帽盖层上的吸收体层、和硬掩模层，并且吸收体层由Cr、CrO或CrON制成。光致抗蚀剂层被图案化，硬掩模层通过使用经图案化的光致抗蚀剂层而被图案化，吸收体层通过使用经图案化的硬掩模层而被图案化，并且附加的元素被引入到经图案化的吸收体层来形成经转化的吸收体层。

公开(公告)号：CN103365069B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201210580668.9

申请日：2012-12-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林云跃 ,  李信昌 ,  陈嘉仁 ,  连大成 ,  严涛南

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/68

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/50 ,  G03F1/68 ,  G03F1/78

Abstract: 本发明公开了一种制造具有碳基电荷消散(CBCD)层的光刻掩模的方法。所述方法包括：提供衬底，在所述衬底上沉积不透明层，涂覆光刻胶，以及在所述光刻胶上方或者下方沉积电荷消散层。通过电子束写入图案化所述光刻胶。在对所述光刻胶进行显影期间去除所述CBCD层。本发明还公开了一种制造光刻掩模的方法。