公开(公告)号：CN114551261A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202210057639.8

申请日：2022-01-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 詹凯钧 ,  高金福 ,  李光君 ,  郑明达 ,  陈承先

IPC: H01L21/603 ,  H01L21/683

Abstract: 方法包括：通过真空抽吸将管芯附接至热压接合(TCB)头，其中，管芯包括多个导电柱；通过真空抽吸将第一衬底附接至卡盘，其中，第一衬底包括多个焊料凸块；使多个导电柱中的第一导电柱与多个焊料凸块中的第一焊料凸块接触，其中，使第一导电柱与第一焊料凸块接触产生第一导电柱的最顶面和第一焊料凸块的最底面之间的第一高度；以及将第一焊料凸块粘合至第一导电柱以形成第一接头，其中，将第一焊料凸块粘合至第一导电柱包括加热TCB头。本申请的实施例还涉及封装件及其制造方法。

公开(公告)号：CN113628976A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202110378733.9

申请日：2021-04-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 颜晨恩 ,  康金玮 ,  詹凯钧 ,  吕文雄 ,  林政仁 ,  郑明达 ,  李明机

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体装置的形成方法，包括：提供基板；形成掩膜层于基板的表面之上，掩膜层具有开口位于表面的部分之上；沉积导电层于表面的部分及掩膜层之上；移除掩膜层及掩膜层之上的导电层，在移除掩膜层及掩膜层之上的导电层之后，在表面的部分之上余留的导电层形成导电垫，且导电垫的宽度朝着基板增加；以及通过焊料层接合装置至导电垫，导电垫埋藏于焊料层中。

公开(公告)号：CN222524666U

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202420681180.3

申请日：2024-04-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨胜钧 ,  林艺民 ,  张纯 ,  刘哲纲 ,  詹凯钧 ,  郑绚阳 ,  赵子权 ,  吴维纲 ,  王致渊 ,  王仁珏

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/44 ,  H01L21/67

Abstract: 一种半导体处理工具及加热模块。半导体处理工具包括：处理腔室；支撑件，用于固定装载至腔室工具中的晶圆；入口，将第一气体引入至腔室中以用于处理晶圆；及排气系统，该排气系统排出来自该腔室的气体。该排气系统包括：第一管线，第一管线耦接至腔室以排出来自腔室的气体；及泵，用于经由第一管线自腔室抽吸气体。该工具进一步包括加热模块，加热模块具有：耦接至第一管线及第二气体的一供应的第二管线，第二气体经由第二管线自该供应流至第一管线中；及容纳于第二管线中的加热元件，加热元件在第二气体流至第一管线中之前加热第二管线中的第二气体。