公开(公告)号：CN115206781A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210113805.1

申请日：2022-01-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏益辰 ,  王子奕 ,  连大成

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/22 ,  G03F1/76 ,  G03F7/20

Abstract: 一种倍缩光罩的表面的处理方法及半导体制造系统，倍缩光罩的表面的处理方法包含从倍缩光罩库取出倍缩光罩，与将倍缩光罩转移至处理装置。当臭氧流体位于倍缩光罩的表面上时，以入射紫外线(UV)辐射照射倍缩光罩的表面一预定照射时间，在处理装置中处理倍缩光罩的表面。于处理后，将倍缩光罩转移至曝光装置来进行微影操作，以在晶圆上产生光阻图案。晶圆的表面进行成像，以产生晶圆上的光阻图案的影像。对光阻图案所产生的影像进行分析，以判断光阻图案的关键尺寸均匀度。若关键尺寸均匀度没有满足一临界关键尺寸均匀度，增加预定照射时间。

公开(公告)号：CN110967917A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910909214.3

申请日：2019-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李信昌 ,  许倍诚 ,  林秉勳 ,  连大成 ,  王子奕

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/54

Abstract: 一种用于极紫外线微影术的光罩包括基板，基板具有前表面及与该前表面相对的后表面；多层Mo/Si堆叠，多层Mo/Si堆叠安置在基板的前表面上；封盖层，封盖层安置在多层Mo/Si堆叠上；吸收层，吸收层安置在封盖层上；以及背侧导电层，背侧导电层安置在基板的后表面上。背侧导电层由硼化钽制成。

公开(公告)号：CN116430667A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202211481930.4

申请日：2022-11-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢玮哲 ,  朱家庆 ,  陈亚伦 ,  苏煜中 ,  王子奕 ,  郑雅如 ,  连大成 ,  李信昌 ,  张庆裕

IPC: G03F1/24

Abstract: 本文涉及EUV光掩模的制作方法。在一种制造反射型掩模的方法中，在掩模坯上方形成粘合层。掩模坯包括衬底、布置在衬底上方的反射多层、布置在反射多层上方的覆盖层、布置在覆盖层上方的吸收剂层和布置在吸收剂层上方的硬掩模层。在粘合层上方形成光致抗蚀剂图案，图案化粘合层，图案化硬掩模层，并且使用图案化的硬掩模层作为刻蚀掩模来图案化吸收剂层。光致抗蚀剂层对粘合层的粘附性高于对硬掩模层的粘附性。

公开(公告)号：CN109581808A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811093649.7

申请日：2018-09-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  连大成 ,  王子奕 ,  李信昌

IPC: G03F1/66

Abstract: 一种用以存放用于微影的遮罩的遮罩容器。此遮罩容器包括基底及盖体，基底具有复数个锥角，此些锥角从基底的主要顶面向外且向下延伸。盖体具有向下延伸的复数个锥角，且当盖体附接至基底时，盖体的锥角覆盖基底的锥角。盖体的锥角以与基底的锥角大致相同的角度呈锥状，使得当盖体附接至基底时，盖体的锥角的表面基本上平行于基底的锥角的对应表面。凹槽位于盖体的锥角中。偏压元件及球形元件位于基底的锥角中，以在盖体附接至基底时与凹槽配合。